摘要：基準電壓源是在電路系統中為其它功能模塊提供高精度的電壓基準，它是模擬集成電路和混合集成電路中非常重要的模塊。文中主要研究了帶隙基準基本原理的基礎上，設計了一款應用于折疊插值ADC中粗量化電路部分CMO
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帶隙基準 電壓源
基于TSMC40LP工藝設計了一種新穎的溫度補償、高電源抑制比的帶隙基準源。本設計采用全MOSFET設計，工作于1.1 V電源電壓，通過將MOSFET偏置在零溫度系數工作點，并結合溫度補償技術和有源衰減電路，實現在-40 ℃~125 ℃內溫度變化系數為6.6 ppm/℃，低頻下電源抑制比為93 dB，高頻下電源抑制比為56 dB，與此同時，利用阻抗調試對環(huán)路穩(wěn)定性進行了補償。
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帶隙基準 全CMOS 低電源電壓 曲率補償 高電源抑制比 零溫系數點 201804
自啟動是必需的，但有時卻難以實現，無論是激發(fā)人體，還是冷啟動汽車，或者是給IC提供POR（上電復位），都會面臨這樣的問 ...
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穩(wěn)壓器 帶隙基準 上電復位
帶隙基準計算器(BGRC)是一個帶隙基準電路的設計和分析。所有的電路參數和輸出電壓的計算結溫的功能?；萜誶eg; 50G計算器或免費的PC模擬器，可以使用計算器。帶隙基準計算器帶隙參考計算器(BGRC)是HP50克計算器的程序
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BGRC 帶隙基準 計算器
帶隙基準計算器(BGRC)是一個帶隙基準電路的設計和分析。所有的電路參數和輸出電壓的計算結溫的功能?；萜誶eg; 50G計算器或免費的PC模擬器，可以使用計算器。 帶隙基準計算器 帶隙參考計算器(BGRC)是HP50克計算
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BGRC 帶隙基準 計算器
比較了傳統帶運算放大器的帶隙基準電壓源電路與采用曲率補償技術的改進電路，設計了一種適合汽車電子使用的帶隙基準電壓源，該設計電路基于上海貝嶺2μm 40 V bipolar工藝，采用一階曲率補償技術，充分考慮了汽車空間有限、溫差大、噪聲多的環(huán)境特點。沒有使用運放，避免其復雜的結構以及所引起的失調，因此降低了電路成本并改善性能，設計中還引入了啟動電路，大大降低了附加功耗。用Cadence Spectre對電路仿真，結果表明，電路溫度特性好，抗干擾能力強，有較高的電源抑制比(PSRR)，達到預期指標。 關鍵字：
汽車環(huán)境 帶隙基準 電壓源
0 引 言 帶隙基準是所有基準電壓中最受歡迎的一種，由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關的突出優(yōu)點，所以被廣泛地應用于高精度的比較器、A/D或D/A轉換器、LDO穩(wěn)壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準的主要作用是在集成電路中提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流，這就要求基準對電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。 本文結合工程實際的要求設計了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動的CMOS帶隙基準源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標準CMOS工藝模型庫進行仿真，HSPICE
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軟啟動 CMOS 帶隙基準 電源 模擬IC 電源
引 言
帶隙基準是所有基準電壓中最受歡迎的一種，由于其具有與電源電壓、工藝、溫度變化幾乎無關的突出優(yōu)點，所以被廣泛地應用于高精度的比較器、A/D或D/A轉換器、LDO穩(wěn)壓器以及其他許多模擬集成電路中。帶隙基準的主要作用是在集成電路中提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流，這就要求基準對電源電壓的變化和溫度的變化不敏感。
本文結合工程實際的要求設計了一款具有低噪聲、高精度且可快速啟動的CMOS帶隙基準源。采用UMC公司的0.6μm 2P2M標準CMOS工藝模型庫進行仿真，HSPICE的仿真結果表明該基
關鍵字：
嵌入式系統 單片機 CMOS 帶隙基準 比較器 測量工具
帶隙基準介紹
帶隙基準
目錄
1簡介
2原理
1簡介
Bandgap voltage reference，常常有人簡單地稱它為Bandgap。最經典的帶隙基準是利用一個與溫度成正比的電壓與一個與溫度成反比的電壓之和，二者溫度系數相互抵消，實現與溫度無關的電壓基準，約為1.25V。因為其基準電壓與硅的帶隙電壓差不多，因而稱為帶隙基準。實際上利用的不是帶隙電壓。現在有些Bandga [
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