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爾必達(dá)
爾必達(dá) 文章 進(jìn)入爾必達(dá)技術(shù)社區(qū)
爾必達(dá)計(jì)劃在中國(guó)大陸和臺(tái)灣建廠
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，爾必達(dá)總裁阪本幸雄上周五接受媒體采訪時(shí)表示，該公司計(jì)劃在中國(guó)大陸和臺(tái)灣建廠，以滿足市場(chǎng)需求并減少稅收成本。 阪本幸雄表示，爾必達(dá)必將進(jìn)軍中國(guó)市場(chǎng)，該公司最早將于2012年與一家臺(tái)灣芯片制造商合作到大陸建廠，并希望尋求中國(guó)政府的支持。爾必達(dá)還將加快其臺(tái)灣合資公司瑞晶電子第二家工廠的建設(shè)進(jìn)程。 阪本幸雄預(yù)計(jì)，隨著電腦銷(xiāo)量回升以及新款移動(dòng)設(shè)備對(duì)存儲(chǔ)芯片需求的增加，爾必達(dá)本財(cái)年有望實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄的利潤(rùn)和收入。三星電子上月表示，今年將向芯片業(yè)務(wù)投資89億美元，約為爾必達(dá)的10倍。海力士也
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) 存儲(chǔ)芯片
爾必達(dá)宣布全球最小40nm 2Gb移動(dòng)內(nèi)存顆粒
- 據(jù)報(bào)道，日本DRAM大廠爾必達(dá)今天宣布已經(jīng)研發(fā)出40nm 2Gb移動(dòng)(Mobile RAM)內(nèi)存顆粒。該顆粒大小不到50平方毫米，號(hào)稱(chēng)目前能夠使用40nm工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的最小顆粒。該2Gb移動(dòng)內(nèi)存顆?；?0nm CMOS工藝，支持x16-bit、x32-bit位寬，采用60/90-ball FBGA或PoP式FBGA封裝。除JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的1.8V電壓外，該顆粒還可支持1.2V的低電壓工作，數(shù)據(jù)傳輸率400Mbps，工作溫度-25到85度。 爾必達(dá)稱(chēng)，新40nm顆粒在使用了爾必達(dá)獨(dú)家設(shè)計(jì)工藝以及
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) 40nm 內(nèi)存
全球最大容量 爾必達(dá)4Gb DDR3顆粒開(kāi)發(fā)完成
- 日本DRAM大廠爾必達(dá)今天宣布，已經(jīng)成功開(kāi)發(fā)出4Gbit容量DDR3內(nèi)存顆粒。這是目前市場(chǎng)上DDR3顆粒的最大容量，只需單面8顆即可組成 4GB容量?jī)?nèi)存條，雙面16顆即可構(gòu)成單條8GB內(nèi)存。該顆粒使用40nm CMOS工藝制造，相比同工藝的2Gb顆粒可節(jié)能30%。支持x4、x8、x16 bit位寬，其中x4/x8位寬版本采用78-ball FBGA封裝，x16bit產(chǎn)品采用96-ball FBGA封裝。除DDR3標(biāo)準(zhǔn)的1.5V電壓外，還可支持1.35V低壓標(biāo)準(zhǔn)。 爾必達(dá)計(jì)劃將該顆粒使用在單條32
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) 40nm CMOS DDR3
爾必達(dá)2010財(cái)年凈利20億日元 三年內(nèi)首次盈利
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日本最大的計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片制造商爾必達(dá)周三發(fā)布了該公司2010財(cái)年初步財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，受內(nèi)存芯片價(jià)格上漲及PC銷(xiāo)量增長(zhǎng)的推動(dòng)，爾必達(dá)在過(guò)去三年中首次實(shí)現(xiàn)盈利。 內(nèi)存價(jià)格的大幅上漲，使得處于長(zhǎng)期虧損的內(nèi)存芯片制造商紛紛實(shí)現(xiàn)了盈利。爾必達(dá)財(cái)報(bào)顯示，在截至3月31日的2010財(cái)年，爾必達(dá)的凈利潤(rùn)為20億日元。這一業(yè)績(jī)好于2009財(cái)年，爾必達(dá)在2009財(cái)年的凈虧損為1789億日元。 根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)的交易商集邦科技(Dramexchange Technology Inc)此前
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爾必達(dá)狀告英飛凌和百思買(mǎi)，要求禁售有關(guān)產(chǎn)品
- 本月早些時(shí)候，日本爾必達(dá)公司向美國(guó)佛吉尼亞?wèn)|區(qū)法庭提交了針對(duì)英飛凌公司和百思買(mǎi)公司的訴狀，指這兩家公司違反國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)的有關(guān)規(guī)定。爾必達(dá)公司指控這兩家公司生產(chǎn)/銷(xiāo)售/進(jìn)口的產(chǎn)品侵犯了自己有關(guān)移動(dòng)設(shè)備用半導(dǎo)體集成電路的幾項(xiàng)專(zhuān)利。 不僅如此，爾必達(dá)公司還向該法院遞交了另外一份訴狀，訴狀指英飛凌公司生產(chǎn)的微控制器產(chǎn)品觸犯了爾必達(dá)公司幾項(xiàng)與汽車(chē)電子設(shè)備有關(guān)的專(zhuān)利。 為此，爾必達(dá)公司在訴狀中請(qǐng)求美國(guó)法院禁止這兩家公司生產(chǎn)/銷(xiāo)售的有關(guān)產(chǎn)品在美國(guó)地區(qū)進(jìn)口/銷(xiāo)售，并要求對(duì)已售出的有關(guān)產(chǎn)品對(duì)爾必
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專(zhuān)利戰(zhàn)升級(jí) 爾必達(dá)反告英飛凌芯片侵權(quán)
- 爾必達(dá)近日向美國(guó)法院對(duì)英飛凌提起兩項(xiàng)專(zhuān)利侵權(quán)訴訟，此次訴訟可以看作是爾必達(dá)對(duì)英飛凌起訴的反擊，雙方的半導(dǎo)體芯片大戰(zhàn)開(kāi)始升級(jí)。 訴訟之一，爾必達(dá)稱(chēng)英飛凌侵犯了其三項(xiàng)與手機(jī)有關(guān)的微控制器美國(guó)專(zhuān)利，這其中就涉及英飛凌為蘋(píng)果iPhone生產(chǎn)的微控制器。第二項(xiàng)訴訟是英飛凌侵犯用于汽車(chē)組件的微控制器專(zhuān)利。 爾必達(dá)在手機(jī)微控制器侵權(quán)聲明中表示，英飛凌拒絕了爾必達(dá)的專(zhuān)利授權(quán)，在不顧爾必達(dá)專(zhuān)利的情況下繼續(xù)出售微控制器。 該手機(jī)微控制器訴訟中還提到了百思買(mǎi)，原因則是后者銷(xiāo)售使用侵犯爾必達(dá)專(zhuān)利微控制器的手
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) 半導(dǎo)體芯片 微控制器
華邦為爾必達(dá)代工的GDDR顯存產(chǎn)能明顯低于預(yù)期
- 據(jù)業(yè)者透露，臺(tái)灣華邦公司最近已經(jīng)開(kāi)始為爾必達(dá)內(nèi)存公司代工GDDR顯存芯片產(chǎn)品，其月產(chǎn)能為5000片晶圓。不過(guò)，由于華邦認(rèn)為NOR閃存毛利更高，因 此其保留了部分產(chǎn)能用來(lái)制作NOR閃存，這便導(dǎo)致目前華邦公司的GDDR芯片產(chǎn)能僅能滿足爾必達(dá)一半的需求。 據(jù)業(yè)者分析，由于爾必達(dá)公司顯存業(yè)務(wù)量的激增，爾必達(dá)目前對(duì)華邦GDDR芯片的產(chǎn)能需求在每月1萬(wàn)片左右，而華邦則被NOR閃存最近的漲價(jià)風(fēng)聲所吸引，增大了NOR閃存的產(chǎn)能，這樣自然就影響到了其GDDR閃存的產(chǎn)能。 華邦計(jì)劃到下半年將其N(xiāo)OR閃存芯片的
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) NOR閃存
爾必達(dá)計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)Spansion閃存資產(chǎn)
- 3月4日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，爾必達(dá)公司今日表示，計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。Spansion是由日本富士通和AMD組建的合資企業(yè)，該公司去年3月申請(qǐng)破產(chǎn)。 爾必達(dá)記憶體將斥資30-50億日元(合3400-5700萬(wàn)美元)收購(gòu)Spansion的NAND相關(guān)資產(chǎn)，其中包括在意大利的一個(gè)研發(fā)工廠。 爾必達(dá)希望提供半導(dǎo)體模組，結(jié)合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋(píng)果iPhone等智能手機(jī)方面的運(yùn)用增長(zhǎng)趨勢(shì)明顯，爾必達(dá)正在追趕DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三星電子和海力士半導(dǎo)體
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日本爾必達(dá)計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)Spansion閃存資產(chǎn)
- 日本爾必達(dá)周四稱(chēng)，計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。 爾必達(dá)希望提供半導(dǎo)體模組，結(jié)合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋(píng)果iPhone等智能手機(jī)方面的運(yùn)用愈發(fā)增加。爾必達(dá)正在追趕DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三星電子和海力士半導(dǎo)體。 爾必達(dá)發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示，該公司正在就獲得Spansion的閃存技術(shù)，及意大利的四五十名工程師進(jìn)行談判。他拒絕就該公司將為該收購(gòu)案斥資的規(guī)模進(jìn)行評(píng)論。 日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)稱(chēng)，爾必達(dá)記憶體將斥資30-50億日?qǐng)A(合3400-5
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爾必達(dá)擬投資400億日?qǐng)A提高瑞晶產(chǎn)能
- 日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)，日廠爾必達(dá)(Elpida)與臺(tái)廠力晶合資成立的瑞晶，計(jì)劃在2010年度內(nèi)將DRAM產(chǎn)能提高為目前的2倍。 日經(jīng)報(bào)導(dǎo)，雙方將投資約400億日?qǐng)A(約4.3億美元)將瑞晶產(chǎn)線全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)45奈米制程，以提高生產(chǎn)效率。 另一方面，爾必達(dá)亦計(jì)劃對(duì)該公司生產(chǎn)主力的廣島廠加碼投資600億日?qǐng)A進(jìn)行增產(chǎn)，估計(jì)含瑞晶在內(nèi)，總產(chǎn)能將擴(kuò)增為1.6倍，可望追上三星電子(Samsung Electronics)。 報(bào)導(dǎo)指出，瑞晶目前月產(chǎn)能為7.5萬(wàn)片(以12寸晶圓計(jì))，目前采用的是65奈米制程技術(shù)
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爾必達(dá)宣布40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片已投入量產(chǎn)
- 爾必達(dá)公司近日宣布其位于廣島的芯片廠已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，爾必達(dá)公司今年10月份剛剛完成40nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片技術(shù)的開(kāi)發(fā)工作，而他們只用了兩個(gè)月的時(shí)間便將這項(xiàng)技術(shù)投入了量產(chǎn)。 ? 比較現(xiàn)有的50nm制程技術(shù)，40nm制程能在每片晶圓上多產(chǎn)出44%的DDR3內(nèi)存芯片，而且新制程用于生產(chǎn)1.6Gbps規(guī)格的DDR3內(nèi)存芯片時(shí)的良率可達(dá)100%。芯片工作電壓方面，40nm制程的DDR3芯片也比50nm制程的產(chǎn)品的1.5V降低了2/3左右，達(dá)到1
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爾必達(dá)開(kāi)發(fā)出新款65nm XS制程1Gb DDR3內(nèi)存芯片
- 爾必達(dá)公司近日宣布完成了基于其新65nm XS(extra-shink)制程1Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)工作，并稱(chēng)使用這種新制程技術(shù)制作出的內(nèi)存芯片在制作成本方面要比現(xiàn)有的50nm制程內(nèi)存芯片更低。當(dāng)應(yīng)用在300mm尺寸晶 圓上時(shí)，這種65nm XS制程相比其前代65nm S(shrink)制程(08年開(kāi)發(fā)完成)的產(chǎn)出量能提升25%。新的65nm XS制程除了可以進(jìn)一步縮小芯片的尺寸之外，還可以顯著減小廠方在制造設(shè)備上的費(fèi)用投資。 這種65nm XS制程技術(shù)的1Gb DDR3內(nèi)存芯片面向的
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爾必達(dá)內(nèi)存有望今年實(shí)現(xiàn)三年來(lái)的首次年度盈利
- 12月11日訊，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，受到內(nèi)存需求大于供給的利好影響，日本最大的內(nèi)存生產(chǎn)企業(yè)爾必達(dá)內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc)可能在2010年本財(cái)年結(jié)束時(shí)實(shí)現(xiàn)開(kāi)業(yè)三年來(lái)首次出現(xiàn)年度贏利。 爾必達(dá)內(nèi)存公司首席執(zhí)行官坂本幸雄(Yukio Sakamoto)宣稱(chēng)：“由于今年全球電腦市場(chǎng)對(duì)內(nèi)存需求大于供給，我們也將在本財(cái)年結(jié)束時(shí)首次實(shí)現(xiàn)年度盈利。” 日本東京Ichiyoshi投資管理公司的總裁秋野充(Mitsushige Akino)宣稱(chēng)：“盡管這種
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) DRAM 內(nèi)存
爾必達(dá)與臺(tái)灣茂德簽DRAM代工 預(yù)計(jì)明年量產(chǎn)
- 據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，日本記憶體晶片大廠爾必達(dá)與臺(tái)灣茂德、華邦結(jié)盟，市場(chǎng)揣測(cè)會(huì)趁勢(shì)入股茂德與華邦。爾必達(dá)社長(zhǎng)坂本幸雄昨日首度對(duì)入股茂德與華邦猜測(cè)松口表示：“目前沒(méi)有，但以后的事很難說(shuō)。”強(qiáng)調(diào)爾必達(dá)會(huì)積極與臺(tái)灣DRAM廠“共同抗韓”的立場(chǎng)。 茂德董事長(zhǎng)陳民良透露，將引進(jìn)新的投資對(duì)象，目前潛在合作對(duì)象有四個(gè)集團(tuán)，但堅(jiān)決不透露是誰(shuí)中選。 業(yè)內(nèi)揣測(cè)，有意入股或金援茂德者，可能是結(jié)盟的爾必達(dá)，或已是茂德大股東的聯(lián)電。另外，外傳旺宏有意買(mǎi)下茂德竹科8吋與1
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) DRAM
臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”主導(dǎo)的TIMC成立計(jì)劃走向窮途末路
- 臺(tái)“立法院經(jīng)濟(jì)委員會(huì)”本月26日一致投票通過(guò)反對(duì)臺(tái)經(jīng)濟(jì)部一項(xiàng)要求政府向臺(tái)灣創(chuàng)新記憶體公司(TIMC)注資的提案，這意味著臺(tái)灣當(dāng)局主導(dǎo)的力圖重建本土內(nèi)存工業(yè)的改革計(jì)劃第四次遭到政府其它部門(mén)的反對(duì)。 與此形成鮮明對(duì)比的是，韓國(guó)聯(lián)合通訊社本月26日援引韓國(guó)知識(shí)經(jīng)濟(jì)部的說(shuō)法，稱(chēng)南韓政府計(jì)劃支持三星以及海力士公司開(kāi)發(fā)自旋極化磁隨機(jī)存取內(nèi)存技術(shù)(STT-MRAM)的項(xiàng)目.政府將于2014年前向該項(xiàng)目注資240億韓元(合2050萬(wàn)美元)，占項(xiàng)目總預(yù)算的一半。 此前三星與海力士公司
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爾必達(dá)介紹
Elpida ELPIDA\爾必達(dá)是日本最主要的DRAM半導(dǎo)體芯片制造廠商,主要生產(chǎn)DRAM顆粒,并且自己制造原產(chǎn)的ELPIDA內(nèi)存條.Elpida在歐美市場(chǎng)以提供高品質(zhì)的DRAM類(lèi)產(chǎn)品而著稱(chēng),但因在大陸地區(qū)韓系廠商的流行,且本身定位于高端產(chǎn)品所以目前在中國(guó)較少有貨物銷(xiāo)售,但同時(shí)也為廣大業(yè)者帶來(lái)潛在的商機(jī).
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