導(dǎo)體所等在二維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)研究中取得新進(jìn)展

• 　　近日，中科院半導(dǎo)體所超晶格國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室博士生康俊，在李京波研究員、李樹深院士和夏建白院士的研究團(tuán)隊(duì)中，與美國勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室(LBNL)汪林望博士研究組合作，在二維半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的基礎(chǔ)研究中取得新進(jìn)展。相關(guān)成果發(fā)表在9月30日美國化學(xué)學(xué)會(huì)主辦的《納米快報(bào)》(Nano Letters)上。 　　半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)是由不同半導(dǎo)體材料接觸形成的結(jié)構(gòu)。由于構(gòu)成異質(zhì)結(jié)的兩種半導(dǎo)體材料擁有不同的禁帶寬度、電子親和能、介電常數(shù)、吸收系數(shù)等物理參數(shù)，異質(zhì)結(jié)將表現(xiàn)出許多不同于單一半導(dǎo)體材料的性質(zhì)。在傳統(tǒng)半導(dǎo)體領(lǐng)域，以
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