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寬帶隙半導(dǎo)體
寬帶隙半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
寬帶隙半導(dǎo)體在航空航天和衛(wèi)星方面的應(yīng)用
- 寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體在電源轉(zhuǎn)換方面具備幾個(gè)優(yōu)勢(shì)，如功率密度和效率更高，同時(shí)可通過允許使用更小無源元器件的高頻開關(guān)，減少系統(tǒng)尺寸和重量。這些優(yōu)勢(shì)在航空航天和衛(wèi)星動(dòng)力系統(tǒng)中可能更加重要，因?yàn)槌叽绾椭亓吭谶@些領(lǐng)域中更為關(guān)鍵。本文探討了碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等 WBG 元器件在這些應(yīng)用中的相對(duì)優(yōu)勢(shì)。寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體在電源轉(zhuǎn)換方面具備幾個(gè)優(yōu)勢(shì)，如功率密度和效率更高，同時(shí)可通過允許使用更小無源元器件的高頻開關(guān)，減少系統(tǒng)尺寸和重量。這些優(yōu)勢(shì)在航空航天和衛(wèi)星動(dòng)力系統(tǒng)中可能更加
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寬帶隙半導(dǎo)體介紹
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