存儲器文章進(jìn)入存儲器技術(shù)社區(qū)

C8051F的超大容量Flash存儲器擴(kuò)展方法介紹

摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲的理想選擇，當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲。本文對該類型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗(yàn)證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。引
關(guān)鍵字：方法介紹擴(kuò)展存儲器大容量 Flash C8051F

關(guān)鍵區(qū)域分析與存儲器冗余

要點(diǎn)1.一個隨機(jī)微粒缺陷的概率是布局特征間距的函數(shù)。因?yàn)榇鎯ζ饔邢鄬χ旅艿慕Y(jié)構(gòu)，它們天生就對隨機(jī)缺陷更加敏感，于是就可能影響到器件的總良品率。2.一款關(guān)鍵區(qū)域分析工具要能精確地分析出存儲器冗余，就必須了解
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三星電子全球首家量產(chǎn)20納米級移動存儲器

日前，三星電子發(fā)布，其全球首家批量生產(chǎn)20納米級工藝的4GbLPDDR2DRAM，旨在全面擴(kuò)大其4GbDRAM市場。
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51單片機(jī)教程：單片機(jī)存儲器結(jié)構(gòu)

單片機(jī)內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)分析我們來思考一個問題，當(dāng)我們在編程器中把一條指令寫進(jìn)單片要內(nèi)部，然后取下單片機(jī)，單片機(jī)就可以執(zhí)行這條指令，那么這條指令一定保存在單片機(jī)的某個地方，并且這個地方在單片機(jī)掉電后依然可以
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相變存儲器的高可靠性多值存儲設(shè)計(jì)

摘要：基于相變存儲器(PCM) 已有的2T2R 結(jié)構(gòu)，提出一種以比值為導(dǎo)向的狀態(tài)定義方法，以實(shí)現(xiàn)2T2R 結(jié)構(gòu)下PCM 的多值存儲。它在相變電阻具有4 態(tài)可編寫的能力下，可以實(shí)現(xiàn)單元內(nèi)8 態(tài)存儲，同時對小尺寸驗(yàn)證，而對PCM 存
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采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計(jì)

采用Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲器接口控制器的設(shè)計(jì),本白皮書討論各種存儲器接口控制器設(shè)計(jì)所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案，同時也說明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過硬件驗(yàn)證的參考設(shè)計(jì)來為您自己的應(yīng)用(從低成本的 DDR SDRAM 應(yīng)用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣的更
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基于JTAG口對DSP外部Flash存儲器的在線編程設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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探究存儲器特性以分析和預(yù)測應(yīng)用處理器性能及功耗

在現(xiàn)有塔吊控制室控制的基礎(chǔ)上，結(jié)合微型計(jì)算機(jī)控制技術(shù)，本研究提出一種低功耗、自動CRC校驗(yàn)碼、軟件編碼和硬件譯碼、接收器采用無記憶控制且具有高抗干擾能力和高可靠性的塔吊無線遙控系統(tǒng)，既保證了安全操作又大幅
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測量并抑制存儲器件中的軟誤差研究

軟誤差是半導(dǎo)體器件中無法有意再生的“干擾”(即數(shù)據(jù)丟失)。它是由那些不受設(shè)計(jì)師控制的外部因素所引起的，包...
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基于FPGA技術(shù)的存儲器設(shè)計(jì)及其應(yīng)用

基于FPGA技術(shù)的存儲器設(shè)計(jì)及其應(yīng)用,復(fù)雜可編程邏輯器件—FPGA技術(shù)在近幾年的電子設(shè)計(jì)中應(yīng)用越來越廣泛。FPGA具有的硬件邏輯可編程性、大容量、高速、內(nèi)嵌存儲陣列等特點(diǎn)使其特別適合于高速數(shù)據(jù)采集、復(fù)雜控制邏輯、精確時序邏輯等場合的應(yīng)用。而應(yīng)
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英研發(fā)新型存儲器速度比閃存快百倍

　　英國研究人員最近報(bào)告說，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。　　電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材料，這種材料的特殊性在于，在外加電壓時其電阻會發(fā)生變化，隨后即使取消外加電壓，它也能“記住”這個電阻值。在此基礎(chǔ)上開發(fā)出的存儲設(shè)備與現(xiàn)有閃存相比更快更節(jié)能，是業(yè)界近來的研發(fā)熱點(diǎn)。但以前開發(fā)出的這種存儲設(shè)備只能在高度真空環(huán)境中運(yùn)行。　　英國倫敦大學(xué)學(xué)院等機(jī)構(gòu)研究人員日前在《應(yīng)用物理學(xué)雜
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存儲器接口設(shè)計(jì)-認(rèn)識信號完整性的價值

存儲器和其它組件之間的問題通常存在于這些器件之間的接口上，這些系統(tǒng)級的問題有時候是難以覺察的。本文詳述了一種能夠很容易地識別和解決這些出現(xiàn)在存儲器接口上問題的測試工具，從而使你的設(shè)計(jì)更為魯棒。過去，設(shè)
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便攜存儲器的存儲容量

便攜存儲器的存儲容量　　存儲容量是指該便攜存儲產(chǎn)品最大所能存儲的數(shù)據(jù)量，是便攜存儲產(chǎn)品最為關(guān) ...
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Synopsys將HAPS糾錯可見度提升100倍

全球領(lǐng)先的電子器件和系統(tǒng)設(shè)計(jì)、驗(yàn)證和制造軟件及知識產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商新思科技公司(Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票市場代碼：SNPS)日前宣布：為其HAPS?基于FPGA原型系統(tǒng)的用戶推出新版的Deep Trace Debug深度追蹤糾錯軟件。借助HAPS Deep Trace Debug，原型工程師可利用比傳統(tǒng)FPGA片上邏輯糾錯器所用的存儲器高出將近100倍的信號存儲容量。新的深度追蹤糾錯功能同時增強(qiáng)了容量和故障隔離性能，同時釋放片上FPGA存儲器來滿足驗(yàn)證復(fù)雜的系統(tǒng)級芯片(SoC)設(shè)計(jì)之
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嵌入式多媒體應(yīng)用中的片上存儲器分配

引言隨著CPU速度的迅速提高，CPU與片外存儲器的速度差異越來越大，匹配CPU與外部存儲器的方法通常是采用Cache或者片上存儲器。微處理器中片上存儲器結(jié)構(gòu)通常包含指令Cache ，數(shù)據(jù)Cache 或者片上存儲器。對于嵌入
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]