存儲(chǔ)器文章進(jìn)入存儲(chǔ)器技術(shù)社區(qū)

嵌入式存儲(chǔ)器的前世今生，作為電子工程師的你知道嗎？

　　隨著超大規(guī)模集成電路工藝的發(fā)展，人類(lèi)已經(jīng)進(jìn)入了超深亞微米時(shí)代。先進(jìn)的工藝使得人們能夠把包括處理器、存儲(chǔ)器、模擬電路、接口邏輯甚至射頻電路集成到一個(gè)大規(guī)模的芯片上，形成所謂的SoC(片上系統(tǒng))。作為SoC重要組成部分的嵌入式存儲(chǔ)器，在SoC中所占的比重(面積)將逐漸增大。下面就隨嵌入式小編一起來(lái)了解一下相關(guān)內(nèi)容吧?！　〗谂_(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成在其自家技術(shù)論壇中，首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ))和eRRAM(嵌入式電阻式存儲(chǔ)器)將分別訂于明后年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)。預(yù)計(jì)試產(chǎn)主要采用2
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三星半導(dǎo)體未來(lái)將著重非存儲(chǔ)器 SOC 及代工業(yè)務(wù)發(fā)展

　　根據(jù)韓國(guó)媒體《The Investor》的報(bào)導(dǎo)，三星即將在 12 月 19 日舉行的一年兩次“全球戰(zhàn)略會(huì)議”上，由接任三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人的金奇南(Kim Ki-nam)宣布，未來(lái)三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上將強(qiáng)化在非存儲(chǔ)器的 SOC(系統(tǒng)芯片)及代工業(yè)務(wù)的發(fā)展上。這是三星半導(dǎo)體部門(mén)在尋求當(dāng)前除了最賺錢(qián)的存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)之外，未來(lái)新的營(yíng)收來(lái)源計(jì)劃。　　報(bào)導(dǎo)指出，三星每年在 6 月及 12 月所舉行的“全球戰(zhàn)略會(huì)議”，是三星為接下來(lái)半年的營(yíng)運(yùn)策略定下計(jì)劃的重要會(huì)議。而
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清華大學(xué)攜手兆易創(chuàng)新于IEDM發(fā)表阻變存儲(chǔ)器論文

　　12月2-6日，第63屆國(guó)際電子器件大會(huì)(International Electron Devices Meeting, IEDM)在美國(guó)加州舊金山舉行，清華大學(xué)微納電子系吳華強(qiáng)課題組的2篇文章入選其列，分別題為“類(lèi)腦計(jì)算中阻變存儲(chǔ)器的氧空位分布無(wú)序效應(yīng)模型(Modeling disorder effect of the oxygen vacancy distribution in filamentary analog RRAM for neuromorphic computing)”和“用于類(lèi)腦計(jì)算
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三星半導(dǎo)體未來(lái)將著重非存儲(chǔ)器 SOC 及代工業(yè)務(wù)發(fā)展

　　根據(jù)韓國(guó)媒體《The Investor》的報(bào)導(dǎo)，三星即將在 12 月 19 日舉行的一年兩次“全球戰(zhàn)略會(huì)議”上，由接任三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人的金奇南(Kim Ki-nam)宣布，未來(lái)三星在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)上將強(qiáng)化在非存儲(chǔ)器的 SOC(系統(tǒng)芯片)及代工業(yè)務(wù)的發(fā)展上。這是三星半導(dǎo)體部門(mén)在尋求當(dāng)前除了最賺錢(qián)的存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)之外，未來(lái)新的營(yíng)收來(lái)源計(jì)劃?！　?bào)導(dǎo)指出，三星每年在 6 月及 12 月所舉行的“全球戰(zhàn)略會(huì)議”，是三星為接下來(lái)半年的營(yíng)運(yùn)策略定下計(jì)劃的重要會(huì)議。而根據(jù)知情人士的透露，在金奇南被任命為三星半導(dǎo)體部門(mén)C
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中國(guó)存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)風(fēng)云迭起誰(shuí)將成為“攪局者”？

從國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的趨勢(shì)來(lái)看，紫光國(guó)際以及長(zhǎng)江存儲(chǔ)已成為“攪局者”，于國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)而言，將是一把利劍，也是打破美日韓壟斷國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的希望。
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美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)決定調(diào)查海力士存儲(chǔ)器模組侵權(quán)案

　　據(jù)韓國(guó)媒體《etnews》報(bào)導(dǎo)，日前遭美國(guó)芯片廠Netlist控告兩項(xiàng)存儲(chǔ)器模組侵權(quán)的韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)3日宣布，決定立案開(kāi)始調(diào)查。調(diào)查最終結(jié)果，一旦被裁定有侵犯專(zhuān)利權(quán)的事實(shí)，ITC將有權(quán)利引用美國(guó)海關(guān)337條款，禁止使用侵權(quán)技術(shù)的產(chǎn)品輸入美國(guó)。　　報(bào)導(dǎo)指出，SK海力士是在2017年的10月31日遭Netlist控訴侵犯專(zhuān)利權(quán)，指SK海力士?jī)身?xiàng)存儲(chǔ)器模組產(chǎn)品，包括RDIMM和LRDIMM等用于服務(wù)器的存儲(chǔ)器模組產(chǎn)品侵犯了Netlist的專(zhuān)利權(quán)。不過(guò)，該案曾在20
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Yole：供需失衡推動(dòng)存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲，市場(chǎng)年均增長(zhǎng)9%

　　存儲(chǔ)器行業(yè)正處于強(qiáng)勁增長(zhǎng)的階段。Yole在其《2017年存儲(chǔ)器封裝市場(chǎng)與技術(shù)》報(bào)告中預(yù)計(jì)，2016~2022年整個(gè)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率約為9%，到2022將達(dá)到1350億美元，DRAM和NAND市場(chǎng)份額合計(jì)約占95%。此外，供需失衡正推動(dòng)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體芯片價(jià)格上漲，導(dǎo)致存儲(chǔ)器IDM廠商獲得創(chuàng)紀(jì)錄的利潤(rùn)! 　　存儲(chǔ)器的需求來(lái)自各行各業(yè)，特別是移動(dòng)和計(jì)算(主要是服務(wù)器)市場(chǎng)。平均而言，每部智能手機(jī)的DRAM內(nèi)存容量將增長(zhǎng)三倍以上，預(yù)計(jì)到2022年將到6GB左右，而每部智能手機(jī)的NAND存儲(chǔ)器容量將增加
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紫光南京存儲(chǔ)器基地實(shí)質(zhì)啟動(dòng)

當(dāng)前南京已經(jīng)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)之城，包括臺(tái)積電、紫光都落地于此。
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三星2017年豪擲260億美元投資欲遏制中國(guó)存儲(chǔ)器廠商發(fā)展

　　根據(jù)IC Insights最新發(fā)布的17年麥克林報(bào)告指出，今年半導(dǎo)體行業(yè)資本支出增長(zhǎng)35%，達(dá)到908億美元。　　而三星今年在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支出達(dá)到260億美元，是去年支出的兩倍還多。IC Insights總裁Bill McClean表示：“我追蹤半導(dǎo)體行業(yè)的37年里，從沒(méi)有見(jiàn)過(guò)如此激烈的半導(dǎo)體資本支出增長(zhǎng)。可見(jiàn)，今年三星的巨額開(kāi)支在半導(dǎo)體行業(yè)史上是史無(wú)前例的。” 　　下圖顯示了自2010年以來(lái)三星為其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入的資本支出。2010年，該公司首次為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入了超過(guò)1
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存儲(chǔ)器廠調(diào)漲DRAM合約價(jià) 明年Q1價(jià)格仍有望居高不下

　　DRAM漲勢(shì)不斷，后遺癥逐步顯現(xiàn)，渠道商表示，因存儲(chǔ)器漲幅過(guò)大，下游應(yīng)用端，尤其是筆電和部分智能手機(jī)等市場(chǎng)，不堪侵蝕獲利，已開(kāi)始朝降低搭載量抵制，加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出，研判明年下半年，DRAM漲勢(shì)將止步，價(jià)格有下調(diào)壓力。　　調(diào)研機(jī)構(gòu)研究報(bào)告顯示，三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產(chǎn)計(jì)劃，都為未來(lái)DRAM市場(chǎng)投下新變數(shù)，明年DRAM產(chǎn)值雖仍可成長(zhǎng)11.8%，但成長(zhǎng)已低于今年的67.8%，到2019年，在新產(chǎn)能增加，重陷價(jià)格戰(zhàn)下，年產(chǎn)值將衰選25.9%，且預(yù)估有2年的殺戮戰(zhàn)。
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國(guó)際大廠力量強(qiáng)勢(shì)，中國(guó)存儲(chǔ)器明年迎 “大戰(zhàn)”

存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)是一個(gè)長(zhǎng)期的過(guò)程，不可能一蹴而就。在未來(lái)相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)，中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)必須是一個(gè)踏踏實(shí)實(shí)的“跟隨者”與“學(xué)習(xí)者”，同樣又是一個(gè)與產(chǎn)業(yè)共同進(jìn)步的“貢獻(xiàn)者”。
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存儲(chǔ)器產(chǎn)值減少，臺(tái)灣2017年半導(dǎo)體產(chǎn)值首度落后韓國(guó)

　　在存儲(chǔ)器價(jià)格供不應(yīng)求，價(jià)錢(qián)居高不下的情況下，也進(jìn)一步影響了臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)值在全世界的排名。根據(jù)工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心(IEK)的研究指出，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在存儲(chǔ)器成長(zhǎng)達(dá)到六成幅度的帶動(dòng)下，首度超過(guò)4千億美元，較2016年成長(zhǎng)近2成。這使得目前在存儲(chǔ)器市場(chǎng)擁有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)的南韓，2017年的半導(dǎo)體產(chǎn)值超越臺(tái)灣，排名居次，僅次于美國(guó)。　　工研院IEK7日上午舉辦“眺望2018產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)研討會(huì)”，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究經(jīng)理彭茂榮表示，2017年全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)持穏，加上存儲(chǔ)器價(jià)格大漲，帶動(dòng)全
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莫大康：準(zhǔn)備迎接更艱難的時(shí)刻到來(lái)

　　中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展有它的獨(dú)特規(guī)律，通常生產(chǎn)線的產(chǎn)能爬坡速率緩慢，用時(shí)相對(duì)久些，也即需要如“接力棒式”傳遞。但是中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展在任何時(shí)候必須要充滿(mǎn)信心，堅(jiān)持到底，因?yàn)槲覀冇袊?guó)家層面的支持，是全球其它地區(qū)無(wú)法比及的，所以相信中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)一定會(huì)取得最后的成功。　　-莫大康2017年11月6日　　01大基金推動(dòng)下成績(jī)卓然　　近期中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)好事連連，上海中微半導(dǎo)體宣布，它的MOCVD設(shè)備PrismoA7機(jī)型出貨量已突破100臺(tái)，邁向重要里程碑，包括三安光電和華燦光電等設(shè)
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蘋(píng)果掃貨DRAM漲不停本季已漲10％，下季料將續(xù)漲5％

　　由于蘋(píng)果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季移動(dòng)式DRAM產(chǎn)能，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)發(fā)酵下，標(biāo)準(zhǔn)型、服務(wù)器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨，第四季合約價(jià)順利再漲6～10%，業(yè)界對(duì)明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識(shí)，法人點(diǎn)名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。　　南亞科受惠于DRAM合約價(jià)順利調(diào)漲，加上20納米制程新產(chǎn)能全面開(kāi)出，昨(6)日公告10月合并營(yíng)收月增9.2%達(dá)50.72億元，創(chuàng)下單月?tīng)I(yíng)收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月?tīng)I(yíng)收，但法人樂(lè)觀預(yù)估華邦電營(yíng)收將介于43～4
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有機(jī)憶阻器再創(chuàng)紀(jì)錄，但未來(lái)是否有機(jī)會(huì)顛覆存儲(chǔ)器市場(chǎng)？

　　憶阻器是傳說(shuō)中電阻器、電容器和電感元件以外的電路第四元件，始終處于實(shí)驗(yàn)階段，但這個(gè)傳說(shuō)可能將實(shí)現(xiàn)。來(lái)自新加坡、美國(guó)和印度的國(guó)際團(tuán)隊(duì)研究出一種新型有機(jī)憶阻器，不只速度快且穩(wěn)定性高，保存資料的時(shí)間更打破原有紀(jì)錄。　　憶阻器(Memristor)最早在1971年由加州大學(xué)柏克萊分校的蔡少棠教授提出，概念取自于“記憶”(Memory)和“電阻器”(Resistor)兩個(gè)字的組合。他認(rèn)為電阻、電容和電感代表電子學(xué)中電壓、電流、電荷和磁通量4項(xiàng)重要元素之間的關(guān)系
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（Memory）是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器的構(gòu)成構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]