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            子單元長期存放對(duì)焊接質(zhì)量的影響*
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 長期進(jìn)行IGBT器件焊接封裝發(fā)現(xiàn)，IGBT器件封裝所用關(guān)鍵部件子單元的存放時(shí)間長短對(duì)焊接空洞影響較大，本文分別對(duì)兩批存放時(shí)間差別較大的子單元進(jìn)行封裝，通過實(shí)驗(yàn)對(duì)比兩批產(chǎn)品的空洞率，結(jié)果表明存放時(shí)間較短的子單元焊接的IGBT器件空洞率明顯偏小，從而提高了IGBT器件的可靠性。
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        IGBT  焊接  封裝  空洞率  子單元  202201                          
              • 
                   	
            
                    
            
                
            
                                                

                
            
	                
            
		                	
            
	
            
	共1條
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