場(chǎng)效應(yīng)管文章進(jìn)入場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)社區(qū)

簡(jiǎn)單場(chǎng)效應(yīng)管功放電路圖甲類(lèi)DC功放

簡(jiǎn)單場(chǎng)效應(yīng)管功放電路圖甲類(lèi)DC功放用AP500A作推動(dòng)級(jí)，末級(jí)精選一對(duì)日立名管K1058/J162擔(dān)任。圖中K1、K2為鈕 ...
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圖解使用數(shù)字萬(wàn)用表測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管MOS管

場(chǎng)效應(yīng)管英文縮寫(xiě)為FET?？煞譃榻Y(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET),我們平常簡(jiǎn)稱為MOS管。而MOS...
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場(chǎng)效應(yīng)管知識(shí) 什么叫場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管工作原

1.什么叫場(chǎng)效應(yīng)管？Fffect Transistor的縮寫(xiě),即為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載 ...
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場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)和特點(diǎn)

一：場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)(1)直流參數(shù) 飽和漏極電流IDSS 它可定義為：當(dāng)柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極 ...
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場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)

場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法與經(jīng)驗(yàn)
一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別（1）用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極
根據(jù)場(chǎng)效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的三個(gè)電極。具體方法：將萬(wàn)用表?yè)?/li>
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設(shè)置時(shí)間不到20ns的GaAs pHEMT微波開(kāi)關(guān)

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選擇高壓場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)節(jié)能

高壓金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）技術(shù)在過(guò)去幾年中經(jīng)歷了很大的變化，這為電源工程師提供了許多選擇。了解不同MOSFET器件的細(xì)微差別及不同切換電路的應(yīng)力，能夠幫助工程師避免許多問(wèn)題，并實(shí)現(xiàn)效率最大化。經(jīng)驗(yàn)證明，采用新型的MOSFET器件取代舊式MOSFET，除簡(jiǎn)單地導(dǎo)通電阻上的差異之外，更重要的是，還能實(shí)現(xiàn)更高的電流強(qiáng)度與更快的切換速度以及其他優(yōu)越性能。
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巧焊場(chǎng)效應(yīng)管和CMOS集成電路

焊接絕緣柵（或雙柵）場(chǎng)效應(yīng)管以及CMOS集成塊時(shí)，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會(huì)感應(yīng)靜電高壓，導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
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構(gòu)建塊狀易于封裝的電源供電設(shè)計(jì)

基于iPOWIR的功率塊通過(guò)在單個(gè)BGA封裝中包含所有的功率場(chǎng)效應(yīng)管、驅(qū)動(dòng)器和無(wú)源器件簡(jiǎn)化了這樣的設(shè)計(jì)。專用...
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場(chǎng)效應(yīng)管中英文對(duì)照表

在場(chǎng)效應(yīng)管對(duì)照表中，收編了美國(guó)、日本及歐洲等近百家半導(dǎo)體廠家生產(chǎn)的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)次晶體管（MOSFET）、肖特基勢(shì)壘控制柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SB）、金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MES）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、靜電感應(yīng)晶體管（SIT）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管系列的單管、對(duì)管及組件等，型號(hào)達(dá)數(shù)萬(wàn)種之多。每種型號(hào)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管都示出其主要生產(chǎn)廠家、材料與極性、外型與管腳排列、用途與主要特性參數(shù)。同時(shí)還在備注欄列出世界各國(guó)可供代換的場(chǎng)效應(yīng)晶體管型號(hào)，其中
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場(chǎng)效應(yīng)管

絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和符號(hào) 　　三極管稱電流控制元件；場(chǎng)效應(yīng)管稱電壓控制元件。場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入電阻高（最高可達(dá) 10 15 Ω）、噪聲低、熱穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、耗電省等優(yōu)點(diǎn)。
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場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)符號(hào)意義

Cds---漏-源電容Cdu---漏-襯底電容Cgd---柵-源電容Cgs---漏-源電容Ciss---柵短路共源輸入電容Coss---柵短路共源輸出電容Crss---柵短路共源反向傳輸電容D---占空比（占空系數(shù)，外電路參數(shù)）di/dt---電流上升率（外電路參數(shù)）dv/dt---電壓上升率（外電路參數(shù)）ID---漏極電流（直流）IDM---漏極脈沖電流ID(on)---通態(tài)漏極電流IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）IDS---漏源電流IDSM---最大漏源電流IDSS---柵-源短路時(shí)，漏極電流I
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新型抑制浪涌電流電路的設(shè)計(jì)

摘要：提出了一種新型抑制浪涌電流電路，給出了實(shí)際設(shè)計(jì)方案。關(guān)鍵詞：浪涌電流；場(chǎng)效應(yīng)管引言在現(xiàn)代電子設(shè)備中有許多繼電器用于電源開(kāi)關(guān)。但在開(kāi)關(guān)過(guò)程中，常伴隨著幾個(gè)到幾十個(gè)毫秒的觸點(diǎn)回跳和抖動(dòng)過(guò)程，單次抖跳的時(shí)間可達(dá)幾十微秒到幾毫秒，因此會(huì)引起被控電路的多次誤動(dòng)作。同時(shí)存在不同程度的機(jī)械碰撞噪聲，由于觸點(diǎn)電弧火花，會(huì)引發(fā)嚴(yán)重的EMI和RFI，關(guān)斷時(shí)的線圈反電勢(shì)高達(dá)幾百到幾千伏，嚴(yán)重時(shí)會(huì)危及驅(qū)動(dòng)電路，由于超過(guò)規(guī)定的尖峰電壓、浪涌電流會(huì)使觸點(diǎn)擊穿、燒損或粘結(jié)，從而誤導(dǎo)通或喪失功能。如何解
關(guān)鍵字： 0609_A 場(chǎng)效應(yīng)管浪涌電流消費(fèi)電子雜志_設(shè)計(jì)天地消費(fèi)電子

新型饋電狀態(tài)傳感器的研究

摘要：本文介紹的新型饋電狀態(tài)傳感器，以電容檢測(cè)原理來(lái)監(jiān)測(cè)電纜芯線對(duì)地電場(chǎng)狀態(tài)，從而間接檢測(cè)礦井電纜的饋電狀態(tài)，與負(fù)載是否工作、電纜有無(wú)電流無(wú)關(guān)。具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低、可靠性高、靈敏度高、易于維護(hù)以及更換方便等優(yōu)點(diǎn)。關(guān)鍵詞：饋電狀態(tài)；傳感器；監(jiān)控系統(tǒng)；場(chǎng)效應(yīng)管引言目前市場(chǎng)上的饋電狀態(tài)傳感器大多基于光纖、電壓互感器或采用霍耳器件，除進(jìn)行防爆、防塵、防潮外，均沒(méi)有進(jìn)一步針對(duì)煤礦井下特殊條件進(jìn)行考慮，所以在用于煤炭安全生產(chǎn)的設(shè)備中存在著難維護(hù)、靈敏度低、可靠性差、系統(tǒng)復(fù)雜、造
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場(chǎng)效應(yīng)管介紹

目錄場(chǎng)效應(yīng)管 1.概念: 2.場(chǎng)效應(yīng)管的分類(lèi): 3.場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù) : 4.結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的管腳識(shí)別: 5.場(chǎng)效應(yīng)管與晶體三極管的比較場(chǎng)效應(yīng)管　　根據(jù)三極管的原理開(kāi)發(fā)出的新一代放大元件，有3個(gè)極性，柵極，漏極，源極，它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。 1.概念: 　　場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effec [ 查看詳細(xì) ]