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無比型動態(tài)MOS反相器

無比型動態(tài)MOS反相器
關(guān)鍵字：動態(tài) MOS 反相器

IR推出150V和200V MOSFET

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關(guān)模式電源 (SMPS) 、不斷電系統(tǒng) (UPS)、反相器和DC馬達(dá)驅(qū)動器等工業(yè)應(yīng)用提供極低的閘電荷 (Qg)。　　與其它競爭器件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達(dá)59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷，則比競爭器件的降低了多達(dá)33%。　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“隨著DC-DC功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用技術(shù)的日
關(guān)鍵字： IR MOSFET SMPS UPS 反相器 DC馬達(dá)驅(qū)動器

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反相器介紹

TTL反相器各自特點(diǎn) ?TTL優(yōu)勢： ?1、工作速度快 ?2、帶負(fù)載能力強(qiáng) ?3、傳輸特性好 TTL反相器的電壓傳輸特性電壓傳輸特性是指輸出電壓跟隨輸入電壓變化的關(guān)系曲線，即UO=f(uI)函數(shù)關(guān)系。如圖2.3.2所示曲線大致分為四段：?? AB段(截止區(qū))：當(dāng)UI≤0.6V時，T1工作在深飽和狀態(tài)，Uces1＜0.1V，Vbe2＜0.7V，故T2、 T3截止，D、T4均導(dǎo)通 [ 查看詳細(xì) ]