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            工程師技術(shù)講解:基于單硅后級的電路仿真

            • 電路模型:仿真波形如下:對仿真結(jié)果總結(jié)得到的是:電容在被反向充電達到頂峰后即向充電方向的反向放電,這時可控硅關(guān)斷。圖中電容開始反向放電時假設(shè)參數(shù)如圖:ik為關(guān)閉前的維持電流,im為為電感回路的最大峰值電流,總電流要滿...
            • 關(guān)鍵字: 單硅電路仿  
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            單硅電路仿介紹

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