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            中國(guó)半浮柵晶體管橫空出世 應(yīng)避免被國(guó)外趕超

            •   8月9日出版的《科學(xué)》(Science)雜志刊發(fā)了復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)課題組最新科研論文,該課題組提出并實(shí)現(xiàn)了一種新型的微電子基礎(chǔ)器件:半浮柵晶體管(SFGT,Semi-Floating-GateTransistor)。這是我國(guó)科學(xué)家在該頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表的第一篇微電子器件領(lǐng)域的原創(chuàng)性成果,標(biāo)志著我國(guó)在全球尖端集成電路技術(shù)創(chuàng)新鏈中獲得重大突破。   集成電路產(chǎn)業(yè)獲突破   經(jīng)過(guò)十余年的發(fā)展,當(dāng)前我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售收入從2001年的199億元,提高到2011年的1572億元,占全球集成電路市場(chǎng)的
            • 關(guān)鍵字: 半浮柵晶體管  電路設(shè)計(jì)  

            復(fù)旦研制新型微電子器件半浮柵晶體管 有望提速CPU

            •   復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院副院長(zhǎng)、國(guó)家02重大專項(xiàng)總體組專家張衛(wèi)教授領(lǐng)銜的科研團(tuán)隊(duì)研制出一種新型的微電子器件——半浮柵晶體管(SFGT),可讓數(shù)據(jù)擦寫(xiě)更容易、速度更快,操作電壓更低,為設(shè)計(jì)低功耗芯片奠定了基礎(chǔ)。相關(guān)研究成果刊登于8月8日出版的《科學(xué)》雜志上。這是我國(guó)科學(xué)家在該雜志上發(fā)表的第一篇微電子器件方面的論文。   據(jù)介紹,張衛(wèi)教授團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)期從事集成電路工藝和半導(dǎo)體器件的研究。這一成果被業(yè)內(nèi)學(xué)者稱為將可能改變近年來(lái)IT業(yè)界所擔(dān)憂的問(wèn)題:技術(shù)的發(fā)展將使摩爾定律達(dá)到極限無(wú)法再突破。這也
            • 關(guān)鍵字: 微電子器件  半浮柵晶體管  
            共2條 1/1 1

            半浮柵晶體管介紹

              半浮柵晶體管   目錄   1簡(jiǎn)介   2性能和結(jié)構(gòu)   3應(yīng)用領(lǐng)域   4制造工藝   1簡(jiǎn)介   半浮柵晶體管(SFGT) 是介于普通MOSFET晶體管和浮柵晶體管之間的晶體管,它的英文名字是“SFGT,Semi-Floating-Gate Transistor”,簡(jiǎn)稱SFGT.   2性能和結(jié)構(gòu)   半浮柵晶體管(SFGT):結(jié)構(gòu)巧 性能高   金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng) [ 查看詳細(xì) ]

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