半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
高端不行 低端死命卷!工信部:我國芯片自給率僅10% 差距還很大
- 7月15日消息,近日,工信部電子五所元器件與材料研究院高級(jí)副院長羅道軍公開表示,我國芯片自給率僅10%,需要努力的地方還很多。羅道軍談到,中國擁有最大的新能源車產(chǎn)能,用量也是越來越多。但是,芯片的自給率確實(shí)目前不到10%,是結(jié)構(gòu)性的短缺。他建議做車位芯片的企業(yè)盡量往高端走,低端現(xiàn)在又開始卷的不行了?!拔覀冇幸痪渌渍Z叫只要國人會(huì)做的事情,很快就會(huì)決掉,所以必須要不斷的創(chuàng)新”,他說。羅道軍強(qiáng)調(diào),中國現(xiàn)在的產(chǎn)業(yè)里面兩個(gè)亮點(diǎn),一個(gè)新能源,一個(gè)汽車。他坦言道,“如今國際環(huán)境越來越差,車企的內(nèi)卷也越來越厲害。所以對芯
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先進(jìn)封裝成半導(dǎo)體競爭力關(guān)鍵,美國宣布16億美元補(bǔ)助
- 外媒報(bào)導(dǎo),美國商務(wù)部10日公布意向通知(NOI),啟動(dòng)研發(fā)(R&D)競賽,建立加速美國半導(dǎo)體先進(jìn)封裝產(chǎn)能。正如美國國家先進(jìn)封裝制造計(jì)劃(NAPMP)愿景,美國芯片法案計(jì)劃提供16億美元給五個(gè)新創(chuàng)領(lǐng)域。借潛在合作協(xié)議,芯片法案提供多個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng),每獎(jiǎng)項(xiàng)約1.5億美元資金,領(lǐng)導(dǎo)工業(yè)界和學(xué)術(shù)界民間投資。政府資助活動(dòng)包括一或多個(gè)領(lǐng)域,如設(shè)備、工具、技術(shù)和技術(shù)整合,電力輸送和熱管理,連接器技術(shù),光子學(xué)和射頻(RF),小芯片(Chiplet)生態(tài)系統(tǒng),以及協(xié)同設(shè)計(jì)/電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)等。美國除了資助研發(fā)領(lǐng)域,
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半導(dǎo)體芯片封裝將迎新格局,玻璃基板技術(shù)冉冉升起
- 7 月 12 日消息,集邦咨詢于 7 月 10 日發(fā)布博文,玻璃基板技術(shù)憑借著卓越的性能以及諸多優(yōu)勢,已經(jīng)成為先進(jìn)封裝領(lǐng)域一顆冉冉升起的新星。玻璃基板技術(shù)芯片基板是用來固定晶圓切好的裸晶(Die),封裝的最后一步的主角,基板上固定的裸晶越多,整個(gè)芯片的晶體管數(shù)量就越多。芯片基板材料主要經(jīng)歷了兩次迭代,上世紀(jì) 70 年代開始使用引線框架,在 90 年代過渡到陶瓷基板,也是目前最常見的有機(jī)材料基板。在封裝解決方案中,玻璃基板相比有機(jī)基板有更多優(yōu)勢,IT之家簡要匯總?cè)缦拢骸?卓越的機(jī)械、物理和光學(xué)特性· 芯片上
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半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎爆發(fā)新風(fēng)口,存儲(chǔ)芯片廠商重金“下注”
- 自ChatGPT發(fā)布以來,人工智能AI迅速席卷全球,引發(fā)了新一輪的科技革命。與此同時(shí),隨著HBM市場需求持續(xù)火爆,以SK海力士、三星、美光等為代表的半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片廠商亦抓住機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)變賽道,開啟了新一輪的市場爭奪戰(zhàn)。投資約748億美元存儲(chǔ)芯片廠商SK海力士押注AI近日,據(jù)彭博社及路透社等外媒報(bào)道,半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片廠商SK海力士計(jì)劃投資103萬億韓元(約748億美元)發(fā)展芯片業(yè)務(wù),重點(diǎn)關(guān)注人工智能和半導(dǎo)體領(lǐng)域。報(bào)道稱,韓國SK集團(tuán)上周日在一份申明中表示,旗下存儲(chǔ)芯片廠商SK海力士計(jì)劃在2028年前投資103萬億韓
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消息稱蘋果繼 AMD 后成為臺(tái)積電 SoIC 半導(dǎo)體封裝大客戶
- 7 月 4 日消息,根據(jù)經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道,在 AMD 之后,蘋果公司在 SoIC 封裝方案上已經(jīng)擴(kuò)大和臺(tái)積電的合作,預(yù)估在2025 年使用該技術(shù)。臺(tái)積電正在積極提高 CoWoS 封裝產(chǎn)能的同時(shí),也在積極推動(dòng)下一代 SoIC 封裝方案落地投產(chǎn)。AMD 是臺(tái)積電 SoIC 的首發(fā)客戶,旗下的 MI300 加速卡就使用了 SoIC+CoWoS 封裝解決方案,可將不同尺寸、功能、節(jié)點(diǎn)的晶粒進(jìn)行異質(zhì)整合,目前在位于竹南的第五座封測廠 AP6 生產(chǎn)。臺(tái)積電目前已經(jīng)整合封裝工藝構(gòu)建 3D Fabric 系統(tǒng),其中分為 3
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2024年上半年,芯片和石墨烯技術(shù)以及第二臺(tái)百億億次計(jì)算機(jī)推動(dòng)半導(dǎo)體極限
- 摩爾定律遇到物理極限,但GPU技術(shù)繼續(xù)快速演變摩爾定律預(yù)測大約每兩年晶體管密度加倍,現(xiàn)在正接近其物理極限。然而,GPU技術(shù)依然在快速演變,架構(gòu)和專用處理單元的創(chuàng)新推動(dòng)了持續(xù)的性能提升。多芯片模塊、3D芯片堆疊和高級(jí)緩存層次結(jié)構(gòu)正在突破單片集成電路的限制。2024年上半年見證了一波技術(shù)進(jìn)步,包括Nvidia推出的Blackwell GPU架構(gòu)、芯粒技術(shù)的廣泛采用以及熱電池和高帶寬內(nèi)存的重大進(jìn)展。本文將探討2024年上半年GPU和半導(dǎo)體技術(shù)的最新趨勢和突破。Aurora超算實(shí)現(xiàn)百億億次性能,全球排名第二202
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美國向被忽視地區(qū)的“技術(shù)中心”頒發(fā)5.04億美元資助
- 拜登政府官員希望這些資金能推動(dòng)歷史上政府資金較少的地區(qū)的技術(shù)創(chuàng)新。報(bào)道2024年7月2日,華盛頓報(bào)道,拜登政府周二向全國各地的12個(gè)項(xiàng)目頒發(fā)了5.04億美元的資助,以期將過去被忽視的社區(qū)轉(zhuǎn)變?yōu)榧夹g(shù)強(qiáng)國。這些補(bǔ)助金將資助“技術(shù)中心”,旨在增強(qiáng)包括蒙大拿州西部、印第安納州中部、南佛羅里達(dá)州和紐約州上州在內(nèi)的地區(qū)的關(guān)鍵技術(shù)生產(chǎn)。這些中心旨在加速美國先進(jìn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,如生物制造、清潔能源、人工智能和個(gè)性化醫(yī)學(xué)。背景該計(jì)劃反映了聯(lián)邦政府?dāng)U大美國科學(xué)和技術(shù)資金分配的努力,超越硅谷和少數(shù)沿海地區(qū)。拜登政府官員表示,這一舉
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美國將砸錢解決半導(dǎo)體人力荒
- 報(bào)導(dǎo)指出,美國政府將動(dòng)用為「國家半導(dǎo)體技術(shù)中心」(National Semiconductor Technology Center,NSTC)所撥備的50億美元聯(lián)邦資金,來支持這項(xiàng)被稱為「勞動(dòng)力合作伙伴聯(lián)盟」的半導(dǎo)體人才培育計(jì)劃。NSTC擬向多達(dá)10個(gè)勞動(dòng)力發(fā)展項(xiàng)目提供介于50萬至200萬美元資金,并在未來幾個(gè)月啟動(dòng)申請流程,在考慮所有提案后,官員將拍板總支出規(guī)模。 這筆50億美元資金是來自于2022年通過的《芯片與科學(xué)法案》(Chips and Science Act)。這項(xiàng)具里程碑意義的法案展現(xiàn)美國強(qiáng)
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美國國家實(shí)驗(yàn)室證明半導(dǎo)體可以在核反應(yīng)堆附近生存
- 2024年6月25日,美國國家核能辦公室發(fā)表聲明,橡樹嶺國家實(shí)驗(yàn)室(ORNL)的一項(xiàng)新研究證明氮化鎵半導(dǎo)體可以在核反應(yīng)堆核心附近的惡劣環(huán)境中成功存活。研究發(fā)現(xiàn)這一發(fā)現(xiàn)可能使得在運(yùn)行中的反應(yīng)堆中將電子元件放置得更靠近傳感器成為可能,從而實(shí)現(xiàn)更精確的測量和更緊湊的設(shè)計(jì)。這些研究結(jié)果可能有一天會(huì)導(dǎo)致在核反應(yīng)堆中使用無線傳感器,包括目前正在開發(fā)的先進(jìn)小型模塊化和微型反應(yīng)堆設(shè)計(jì)。更靠近核心傳感器用于從核反應(yīng)堆中收集信息,可以在設(shè)備故障發(fā)生前識(shí)別潛在問題。這有助于防止計(jì)劃外停機(jī),每天可能導(dǎo)致公司損失數(shù)百萬美元的發(fā)電收
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一種研究半導(dǎo)體缺陷的新實(shí)驗(yàn)方法
- 在凝聚態(tài)物理實(shí)驗(yàn)室(PMC*),一個(gè)團(tuán)隊(duì)成功確定了與半導(dǎo)體中原子排列缺陷存在相關(guān)的自旋依賴電子結(jié)構(gòu)。這是首次測量到這種結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果發(fā)表在《物理評(píng)論快報(bào)》上。研究像所有晶體材料一樣,半導(dǎo)體由在空間中完美規(guī)則排列的原子組成。但實(shí)際上材料從未完美,即使使用最先進(jìn)的工藝進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn),半導(dǎo)體仍然存在缺陷。這些缺陷會(huì)改變材料的局部電子結(jié)構(gòu),可能產(chǎn)生負(fù)面影響,也可能對應(yīng)用有益。這就是為什么理解它們背后的基本物理原理如此重要。這正是PMC團(tuán)隊(duì)所完成的工作,得益于阿加莎·烏利巴里在其論文期間的研究,并發(fā)表在《物理評(píng)論快
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中國企業(yè)計(jì)劃在馬來西亞設(shè)廠以避開美國關(guān)稅上調(diào)
- 在美國對部分中國商品提高關(guān)稅的背景下,中國企業(yè)正考慮將生產(chǎn)遷往馬來西亞以避開高額稅款。這些企業(yè)要求馬來西亞政府確保其產(chǎn)品在當(dāng)?shù)厣a(chǎn)后不會(huì)受到美國關(guān)稅的影響。據(jù)《金融時(shí)報(bào)》和《大馬邊緣報(bào)》報(bào)道,美國總統(tǒng)喬·拜登于2024年5月宣布計(jì)劃提高對中國半導(dǎo)體、電池、太陽能產(chǎn)品和其他關(guān)鍵礦物的關(guān)稅,其中半導(dǎo)體關(guān)稅預(yù)計(jì)將從2025年起從25%上升至50%。馬來西亞:中國的免稅天堂?消息人士表示,中國的半導(dǎo)體和電池公司已經(jīng)請求馬來西亞政府游說美國,要求對在馬來西亞制造的產(chǎn)品免除這些關(guān)稅。一位馬來西亞官員透露,中國公司億緯
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韓國將于7月啟動(dòng)26萬億韓元的半導(dǎo)體補(bǔ)貼計(jì)劃
- 據(jù)《朝鮮日報(bào)》報(bào)道,從7月開始,韓國政府將開始向半導(dǎo)體公司提供激勵(lì)和補(bǔ)貼,啟動(dòng)一項(xiàng)規(guī)模為26萬億韓元(190億美元)的資金計(jì)劃,以支持該行業(yè)。在中美兩國向戰(zhàn)略部門注入政府資金的背景下,韓國政府也加入了這一努力,以應(yīng)對地緣政治緊張局勢正在使全球芯片供應(yīng)鏈分裂的情況。最初,韓國將啟動(dòng)一項(xiàng)規(guī)模為18萬億韓元(129.4億美元)的投資計(jì)劃,包括優(yōu)惠貸款和投資基金。根據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)財(cái)政部的聲明,符合條件的公司將能夠從一項(xiàng)規(guī)模為17萬億韓元的低息貸款計(jì)劃中借款。據(jù)《朝鮮日報(bào)》報(bào)道,該金融支持計(jì)劃將于下個(gè)月開始,為大公司提
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臺(tái)積電據(jù)報(bào)道開發(fā)面板級(jí)封裝技術(shù):另一項(xiàng)新型芯片封裝技術(shù)
- 據(jù)《日經(jīng)新聞》援引消息人士的報(bào)道,臺(tái)積電正在開發(fā)一種新的先進(jìn)芯片封裝技術(shù),使用矩形面板狀基板,而不是目前使用的傳統(tǒng)圓形晶圓。這種技術(shù)允許在單個(gè)基板上放置更多芯片,以應(yīng)對由人工智能(AI)驅(qū)動(dòng)的未來需求趨勢。盡管該研究仍處于早期階段,可能需要數(shù)年時(shí)間才能實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),但該報(bào)告指出,這代表了臺(tái)積電的一次重要技術(shù)轉(zhuǎn)變。據(jù)報(bào)道,臺(tái)積電目前正在試驗(yàn)尺寸為515毫米×510毫米的矩形基板,其可用面積是當(dāng)前12英寸晶圓的三倍以上,因此更能滿足AI芯片組的需求。在回應(yīng)《日經(jīng)新聞》的詢問時(shí),臺(tái)積電表示,公司正在密切關(guān)注先進(jìn)封裝
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美國對華高科技和人工智能投資實(shí)施新限制后,中國考慮采取“反制措施”
- 在美國財(cái)政部宣布對向中國的高科技投資實(shí)施進(jìn)一步限制后,中國商務(wù)部周一對美國發(fā)表了強(qiáng)烈譴責(zé),并表示“保留采取反制措施的權(quán)利”。美國財(cái)政部周五宣布,將制定針對美國個(gè)人和公司在中國的人工智能、量子信息技術(shù)或半導(dǎo)體投資的規(guī)則。該規(guī)則目前處于草案階段,可能會(huì)加深已經(jīng)持續(xù)了六年的貿(mào)易爭端和美國對中國科技公司的限制。北京方面多次指責(zé)華盛頓試圖放緩中國的經(jīng)濟(jì)發(fā)展。中國商務(wù)部在周一的一份聲明中表示“嚴(yán)重關(guān)切和堅(jiān)決反對”,并補(bǔ)充說,美國“應(yīng)該尊重市場經(jīng)濟(jì)的規(guī)則和公平競爭的原則,停止將貿(mào)易和商業(yè)問題政治化或武器化”。商務(wù)部聲明
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半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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