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半導(dǎo)體
半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)今年產(chǎn)值估1.66萬(wàn)億元
- 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,ITIS15日發(fā)表臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望報(bào)告,預(yù)期第1季臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將呈現(xiàn)下滑趨勢(shì),達(dá)3583億元,較第4季下滑3%,其中IC設(shè)計(jì)產(chǎn)值下滑5.5%,IC制造下滑0.2%最少,IC封測(cè)下滑6.4%最多,全年展望預(yù)估產(chǎn)值將達(dá)1.66萬(wàn)億元,較2011年成長(zhǎng)6.5%。 據(jù)報(bào)道,ITIS指出,IC設(shè)計(jì)雖然島內(nèi)多數(shù)業(yè)者已搶進(jìn)智能型手機(jī)與平板計(jì)算機(jī)商機(jī),但所占比率仍有限,對(duì)營(yíng)收成長(zhǎng)貢獻(xiàn)仍小,再者第1季是傳統(tǒng)淡季,加上歐債危機(jī)仍存在,全球PC/NB、消費(fèi)性電子等市場(chǎng)需求仍弱,因此預(yù)估產(chǎn)值為894
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 IC設(shè)計(jì)
全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額今年小幅增
- 由于今年全球經(jīng)濟(jì)前景仍充滿不確定性,以及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的庫(kù)存量降低速度不夠快,無(wú)法刺激新增的需求,因此2012年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),最佳的狀況僅能小幅成長(zhǎng)。 預(yù)估2012年全球半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額將達(dá)3232億美元(約9兆5667億元臺(tái)幣),較2011年的3128億美元小幅成長(zhǎng)3.3%,不過(guò)比起2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營(yíng)業(yè)額僅有1.25%的年增率,稍有進(jìn)步。 如2013年美國(guó)及其他區(qū)的經(jīng)濟(jì)狀況開始復(fù)蘇,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)可望恢復(fù)活力,估2013~2015年間,半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)額的年成長(zhǎng)率,將可達(dá)到6.6~7.9
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 晶圓
移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),信息產(chǎn)業(yè)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動(dòng)力。工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心的研究認(rèn)為,移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)是信息產(chǎn)業(yè)繼大型機(jī)、小型機(jī)、個(gè)人電腦、傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)之后的第五個(gè)技術(shù)發(fā)展周期。移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展速度明顯快于傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng),其規(guī)模更大并正在逐漸滲透到人們的生活之中,移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)也將重塑全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的格局。 軟件與集成電路促進(jìn)中心有關(guān)專家認(rèn)為, 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及周邊相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在從PC轉(zhuǎn)向移動(dòng)通信和無(wú)線領(lǐng)域,從而逐步過(guò)渡到移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代。有數(shù)據(jù)顯示,以PC市場(chǎng)為主的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)漸漸失去了
- 關(guān)鍵字: iSuppli 半導(dǎo)體
全球第5大半導(dǎo)體封測(cè)廠力成減少DRAM產(chǎn)能
- 前陣子收購(gòu)國(guó)內(nèi)二線封測(cè)龍頭廠超豐的力成,已成為全球第5大半導(dǎo)體封測(cè)廠,其今(9)日召開法說(shuō),公布營(yíng)運(yùn)報(bào)告去年Q4營(yíng)收約為97億,每股稅后盈余(EPS)為1.7元,2011總營(yíng)收達(dá)395億,整體毛利率為23%,全年EPS達(dá)8元。 從其業(yè)務(wù)組合來(lái)看,力成目前測(cè)試業(yè)務(wù)占比為37%,封裝業(yè)務(wù)為63%,而從產(chǎn)品組合來(lái)看,去年Q4的DRAM就占了68%,F(xiàn)lash為30%,邏輯IC為2%。值得注意的是,董事長(zhǎng)蔡篤恭表示,「未來(lái)會(huì)逐步降低DRAM比重,不希望再繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)能」。預(yù)計(jì)到今年Q2,DRAM就會(huì)降至5
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 封測(cè)
半導(dǎo)體巨頭看好新興產(chǎn)業(yè)
- 編者按:2011年全球半導(dǎo)體業(yè)保持平穩(wěn)發(fā)展的勢(shì)頭。展望2012年,智能手機(jī)、平板電腦、新能源汽車、LED、數(shù)字電視和便攜式醫(yī)療電子等應(yīng)用依然持續(xù)走熱,平臺(tái)化設(shè)計(jì)、軟硬件協(xié)同設(shè)計(jì)成為制勝關(guān)鍵。2012年,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨哪些新的機(jī)遇和挑戰(zhàn),企業(yè)將采取什么新的發(fā)展策略?《中國(guó)電子報(bào)》特邀請(qǐng)主要企業(yè)代表進(jìn)行探討。 德州儀器中國(guó)區(qū)總裁謝兵 “無(wú)論強(qiáng)調(diào)硬件還是強(qiáng)調(diào)軟件,都是為了滿足消費(fèi)者的應(yīng)用需求,最重要的是給客戶提供完整的解決方案?!? 目前全球經(jīng)濟(jì)相對(duì)疲軟,半導(dǎo)體產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 平板電腦
分析:整并日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是艱難任務(wù)
- 《日本經(jīng)濟(jì)新聞(Nikkei)》日前報(bào)導(dǎo),日本三大電子廠瑞薩(Renesas)、富士通(Fujitsu)與松下(Panasoinic)有意合并彼此的系統(tǒng)晶片(SoC)設(shè)計(jì)/研發(fā)業(yè)務(wù),成立一家新公司;此外該報(bào)導(dǎo)并指出,這三家公司也有意將晶片制造部門獨(dú)立,成立一家專職生產(chǎn)的新機(jī)構(gòu)。 據(jù)了解,若三大日本電子廠真的成立合資公司,將可獲得來(lái)自日本官方支持的“日本創(chuàng)新網(wǎng)路”機(jī)構(gòu)之大筆資金;而傳言也指出,Globalfoundries也有意加入合資的行列。日經(jīng)新聞的報(bào)導(dǎo)充其量只能說(shuō)是概
- 關(guān)鍵字: 瑞薩 半導(dǎo)體
松下等3家日本半導(dǎo)體巨頭擬統(tǒng)合半導(dǎo)體業(yè)務(wù)
- 據(jù)日本共同社與《日本經(jīng)濟(jì)新聞》消息,松下、富士通和芯片巨頭瑞薩電子已開始就合并半導(dǎo)體中的系統(tǒng)LSI(大規(guī)模集成電路)業(yè)務(wù)展開磋商,三家公司計(jì)劃統(tǒng)合半導(dǎo)體事業(yè),與日本產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)合作成立新的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司。 三家公司計(jì)劃剝離系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù),并接受半官方基金產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)出資成立新公司,并計(jì)劃年內(nèi)完成半導(dǎo)體事業(yè)整合方案。日本產(chǎn)業(yè)革新機(jī)構(gòu)將投入數(shù)百億日元規(guī)模的研發(fā)經(jīng)費(fèi),整合完成后新公司將成為產(chǎn)能超過(guò)5000億日元的半導(dǎo)體龍頭企業(yè)。日本的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)因日元升值以及與韓國(guó)廠商的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈而處境艱難,今后欲通
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2012年半導(dǎo)體市場(chǎng)狀況分析
- 2012年全球半導(dǎo)體營(yíng)收年成長(zhǎng)率約3.3%,整體產(chǎn)值來(lái)到3,232億美元,優(yōu)于去年的1.25%,而2012年半導(dǎo)體市況須等下半年才會(huì)反彈,預(yù)估第三季需求就會(huì)轉(zhuǎn)強(qiáng)。 iSuppli半導(dǎo)體分析師杰洛尼克(LenJelinek)表示,今年存儲(chǔ)器將是所有半導(dǎo)體表現(xiàn)最差的產(chǎn)業(yè),預(yù)期今年全球DRAM產(chǎn)值將年下滑26.8%,比去年下滑的16.1%更
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 存儲(chǔ)器
瑞薩開發(fā)出低損耗碳化硅(SiC)功率器件
- 全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社(TSE:6723,以下簡(jiǎn)稱“瑞薩”)宣布開發(fā)出了肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)RJS6005TDPP,該器件采用了碳化硅材料(SiC,注1)——這種材料被認(rèn)為具有用于功率半導(dǎo)體器件的巨大潛力。這款新型SiC肖特基勢(shì)壘二極管適用于空調(diào)、通信基站和太陽(yáng)能陣列等大功率電子系統(tǒng)。該器件還采用了日立株式會(huì)社與瑞薩聯(lián)合開發(fā)的技術(shù),有助于實(shí)現(xiàn)低功耗。與瑞薩采用傳統(tǒng)硅(Si)的現(xiàn)有功率器件相比,其功耗大約降低了40%。
- 關(guān)鍵字: 瑞薩 半導(dǎo)體 碳化硅
半導(dǎo)體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多,按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體;化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]
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