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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 半導(dǎo)體材料

半導(dǎo)體材料文章進(jìn)入半導(dǎo)體材料技術(shù)社區(qū)

選購(gòu)LED照明產(chǎn)品“四部曲”

　　前不久，國(guó)務(wù)院辦公廳發(fā)布《國(guó)務(wù)院關(guān)于印發(fā)'十二五'節(jié)能減排綜合性工作方案的通知》，要求政府采取財(cái)政補(bǔ)貼的方式，在居民中推廣使用高效節(jié)能的家電及照明產(chǎn)品。節(jié)能效果顯著的LED光源正在形成一場(chǎng)席卷整個(gè)照明行業(yè)的變革風(fēng)暴。然而，面對(duì)作為新事物的LED光源，大多數(shù)人卻未真正了解、熟悉。而各種LED照明概念和品牌層出不窮，讓消費(fèi)者一頭霧水。在LED照明產(chǎn)業(yè)還沒有形成統(tǒng)一的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的情況下，如何普及產(chǎn)品常識(shí)，讓消費(fèi)者明明白白消費(fèi)是行業(yè)健康發(fā)展的關(guān)鍵之一。下面就教您幾招選購(gòu)LED照明產(chǎn)品的關(guān)鍵方法。　　第一招：
關(guān)鍵字： LED 半導(dǎo)體材料

2012年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)471億美元

　　SEMI Material MarketData Subscription (MMDS)最新研究報(bào)告指出，全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)營(yíng)收在創(chuàng)下連續(xù)三年的佳績(jī)后，2012年首度出現(xiàn)微幅下滑，總營(yíng)收為471億美元，較前年減少2%。　　SEMI表示，就市場(chǎng)區(qū)隔來看，晶圓制造以及封裝材料2011年市場(chǎng)分別為242.2億美元及236.2億美元，2012年晶圓制造材料市場(chǎng)為233.8億美元，封裝材料市場(chǎng)則達(dá)237.4億美元，首度超越晶圓制造材料市場(chǎng)。半導(dǎo)體矽晶圓營(yíng)收不如預(yù)期，成為影響半導(dǎo)體材料營(yíng)收下滑的因素之一。
關(guān)鍵字：晶圓制造半導(dǎo)體材料

半導(dǎo)體材料掀革命 10nm制程改用鍺/III-V元素

　　半導(dǎo)體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在邁入10nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)后，將面臨物理極限，使制程微縮效益降低，因此半導(dǎo)體大廠已相繼投入研發(fā)更穩(wěn)定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率，提升晶片效能與省電效益，已被視為產(chǎn)業(yè)明日之星。　　應(yīng)用材料半導(dǎo)體事業(yè)群EpitaxyKPU全球產(chǎn)品經(jīng)理SaurabhChopra提到，除了制程演進(jìn)以外，材料技術(shù)更迭也是影響半導(dǎo)體科技持續(xù)突破的關(guān)鍵。　　應(yīng)用材料(Applied
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體材料 10nm

日本電力供應(yīng)短缺致半導(dǎo)體材料漲價(jià)聲起

　　日本政府要求關(guān)閉濱岡核電廠，這將讓復(fù)工中的日本半導(dǎo)體材料供應(yīng)商雪上加霜。分析人士指出，由濱岡核電廠關(guān)閉而引起的日本東北部夏日電力供應(yīng)不足，將導(dǎo)致包括硅晶圓、銀膠、環(huán)氧樹脂等半導(dǎo)體材料必然漲價(jià)，第二、三季的漲幅恐將達(dá)20~30%。　　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體材料封裝

美研制出新式超導(dǎo)場(chǎng)效應(yīng)晶體管

　　美國(guó)科學(xué)家使用自主設(shè)計(jì)的、精確的原子逐層排列技術(shù)，構(gòu)造出了一個(gè)超薄的超導(dǎo)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，以洞悉絕緣材料變成高溫超導(dǎo)體的環(huán)境細(xì)節(jié)。發(fā)表于當(dāng)日出版的《自然》雜志上的該突破將使科學(xué)家能更好地理解高溫超導(dǎo)性，加速無電阻電子設(shè)備的研發(fā)進(jìn)程。　　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體材料超導(dǎo)場(chǎng)效應(yīng)晶體管

2010年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)同比增長(zhǎng)25％

　　國(guó)際半導(dǎo)體制造裝置材料協(xié)會(huì)(SEMI)宣布，2010年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)比上年增長(zhǎng)25%，達(dá)到435億5000萬(wàn)美元。其中晶圓處理工序(前工序)用材料為比上年增長(zhǎng)29%的179億美元，封裝組裝工序(后工序)用材料為比上年增長(zhǎng)21%的206億3000萬(wàn)美元。SEMI就材料市場(chǎng)擴(kuò)大的理由，列出了前工序中的硅晶圓和后工序中的尖端封裝材料市場(chǎng)均大幅擴(kuò)大。　　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體材料晶圓

2010年全球半導(dǎo)體材料銷售額創(chuàng)下新高

　　由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出貨量創(chuàng)新高，2010年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)較2009年增長(zhǎng)25%，超過了2007年426.7億美元的高位。　　2010年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)收入總共為435.5億美元。晶圓制造材料和封裝材料分別為229.3億美元和206.3億美元，2009年分別為177.5億美元和170.9億美元。硅材料和封裝襯底收入的巨大漲幅為市場(chǎng)整體增長(zhǎng)做出了貢獻(xiàn)?！?/li>
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體材料全球銷售額

2010年全球半導(dǎo)體材料銷售額創(chuàng)下新高

　　由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出貨量創(chuàng)新高，2010年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)較2009年增長(zhǎng)25%，超過了2007年426.7億美元的高位。　　2010年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)收入總共為435.5億美元。晶圓制造材料和封裝材料分別為229.3億美元和206.3億美元，2009年分別為177.5億美元和170.9億美元。硅材料和封裝襯底收入的巨大漲幅為市場(chǎng)整體增長(zhǎng)做出了貢獻(xiàn)。　　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體材料晶圓

半導(dǎo)體材料與設(shè)備業(yè)創(chuàng)新需政策助力

　　從2010年開始，中國(guó)集成電路市場(chǎng)步入新一輪成長(zhǎng)期，但市場(chǎng)的發(fā)展速度將不會(huì)再現(xiàn)前幾年的高速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，平穩(wěn)增長(zhǎng)將成為未來中國(guó)集成電路市場(chǎng)發(fā)展的主旋律。未來3年中國(guó)集成電路市場(chǎng)發(fā)展速度將保持在10%以上。因此，國(guó)內(nèi)集成電路材料和設(shè)備企業(yè)，應(yīng)該抓住機(jī)遇，努力創(chuàng)新，在重點(diǎn)材料和設(shè)備方面有所突破，滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體材料硅片

輝鉬材料異軍突起或成為新一代半導(dǎo)體材料

　　近日，瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院(EPFL)納米電子學(xué)與結(jié)構(gòu)(LANES)實(shí)驗(yàn)室稱，用一種名為輝鉬(MoS2)的單分子層材料制造半導(dǎo)體，或用來制造更小、能效更高的電子芯片，在下一代納米電子設(shè)備領(lǐng)域，將比傳統(tǒng)的硅材料或富勒烯更有優(yōu)勢(shì)。研究論文發(fā)表在1月30日的《自然?納米技術(shù)》雜志上。　　輝鉬在自然界中含量豐富，通常用于合金鋼或潤(rùn)滑油添加劑中的成分，在電子學(xué)領(lǐng)域尚未得到廣泛研究。“它是一種二維材料，非常薄，很容易用在納米技術(shù)上，在制造微型晶體管、發(fā)光二極管(LEDs)、太陽(yáng)能電池等方面有很大潛
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體材料納米電子設(shè)備

Dow Corning加入imec GaN研發(fā)項(xiàng)目

　　Dow Corning正式簽署協(xié)議，加入imec的關(guān)于GaN半導(dǎo)體材料和器件技術(shù)的多方研發(fā)項(xiàng)目。該項(xiàng)目關(guān)注于下一代GaN功率器件和LED的發(fā)展。Dow Corning和imec的合作將致力于將硅晶圓上外延GaN技術(shù)帶入制造階段。
關(guān)鍵字： Dow Corning 半導(dǎo)體材料功率器件

NEULAND開辟可再生能源電力高效利用新途徑

　　隨著全球能源需求的不斷攀升，提高能源效率成為降低二氧化碳排放，確保能源可靠供應(yīng)的重要手段。　　為此，德國(guó)半導(dǎo)體和太陽(yáng)能行業(yè)的6家合作伙伴攜手開展了NEULAND項(xiàng)目。該項(xiàng)目由德國(guó)聯(lián)邦教育與研究部(BMBF)資助，旨在開辟可再生能源電力高效利用的新途徑。NEULAND代表具備高能效和成本效益、基于寬帶隙化合物半導(dǎo)體的創(chuàng)新功率器件。該項(xiàng)目旨在系統(tǒng)成本不大幅提高的前提下，將可再生能源電力并網(wǎng)損耗降低50%，例如光伏逆變器。
關(guān)鍵字：可再生能源半導(dǎo)體材料

全球電子化學(xué)品市場(chǎng)前景看好

　　經(jīng)歷了2008年底和2009年初的大幅下挫后，當(dāng)前全球電子化學(xué)品需求已經(jīng)恢復(fù)至下挫前的水平。與此同時(shí)，生產(chǎn)商面臨的成本壓力以及市場(chǎng)熱捧新型材料兩大因素正在促使電子化學(xué)品行業(yè)進(jìn)行革新和產(chǎn)業(yè)鏈的整合。這是從國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)于7月中旬在美國(guó)舊金山舉辦的2010年SEMICON West國(guó)際半導(dǎo)體展上傳出的信息。　　微電子公司ATMI公司執(zhí)行副總裁陶得·海因波特曼表示，與2009年相比，當(dāng)前電子化學(xué)品工業(yè)表現(xiàn)景氣，客戶消費(fèi)信心更加充足。在這樣的市場(chǎng)環(huán)境下，全球半導(dǎo)體生產(chǎn)
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體材料 65納米 45納米

斯坦福研究新太陽(yáng)能技術(shù) 效率提高一倍

　　斯坦福大學(xué)的工程師們正在致力于研發(fā)新技術(shù)，旨在讓目前的太陽(yáng)能能源系統(tǒng)的效率提升一倍。　　這種新的方法被描述為“光子增強(qiáng)熱離子發(fā)射”，克服了傳統(tǒng)的光伏發(fā)電技術(shù)隨著氣溫上升而效率下降的缺點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了較高溫度下的能量轉(zhuǎn)換。　　研究人員利用一種半導(dǎo)體材料上的銫涂層完成了200攝氏度以上的高溫下正常工作，如果該技術(shù)附加到現(xiàn)有系統(tǒng)中，可以降低部署拋物面天線和熱轉(zhuǎn)換裝置的成本，提高實(shí)際效率到50-60%,是目前最高水平的一倍以上。
關(guān)鍵字：太陽(yáng)能半導(dǎo)體材料

SEMI：半導(dǎo)體材料市場(chǎng)反彈至創(chuàng)新的記錄

　　根據(jù)SEMI于SEMICON West上最新的數(shù)據(jù)報(bào)道，由于IC出貨量的持續(xù)增加，導(dǎo)致半導(dǎo)體材料用量己經(jīng)回到近08年水平，但是預(yù)期2011年的增速減緩。　　2010年總的半導(dǎo)體前道材料(fab Materials)將由09年的178.5億美元(與08年相比下降26，2%)提高到217.1億美元，但仍未超過2008年241.9億美元水平。這是由SEMI分析師Dan Tracy在7月12日下午的年會(huì)上公布的數(shù)據(jù)。　　在2010年中增長(zhǎng)最快是硅片(32%up，達(dá)94.1億美元)，緊接著是光刻膠(2
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體材料硅片光刻膠

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半導(dǎo)體材料介紹

半導(dǎo)體材料（semiconductor material）導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電的電子材料，其電導(dǎo)率在10（U-3）～10（U-9）歐姆/厘米范圍內(nèi)。半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)對(duì)光、熱、電、磁等外界因素的變化十分敏感，在半導(dǎo)體材料中摻入少量雜質(zhì)可以控制這類材料的電導(dǎo)率。正是利用半導(dǎo)體材料的這些性質(zhì)，才制造出功能多樣 [ 查看詳細(xì) ]

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