半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

特瑞仕推出雙通道輸出大電流高速LDO電壓調(diào)整

　　特瑞仕半導(dǎo)體株式會社開發(fā)了XCM406系列雙通道輸出大電流高速LDO電壓調(diào)整器。　　XCM406系列實現(xiàn)了高精度、低噪音、低壓差，采用CMOS工藝的大電流雙通道輸出LDO電壓調(diào)整器芯片。　　工作電壓范圍為1.5V～6.0V。由于內(nèi)置低導(dǎo)通電阻晶體管，可以把輸入輸出的電位差抑制在最小范圍。本芯片可由低電壓驅(qū)動，例如可用于輸入電壓為1.5V、輸出電壓為1.2V的POL電源。可由各個端子提供700mA的輸出電流。　　采用特瑞仕獨自的USP-12B01封裝，最適于節(jié)省電路設(shè)計的
關(guān)鍵字：特瑞仕半導(dǎo)體 CMOS 電壓調(diào)整器

德國建立32nm光刻掩膜研發(fā)項目

　　先進(jìn)掩膜技術(shù)中心（AMTC）、半導(dǎo)體設(shè)備供貨商Vistec和德國國家物理技術(shù)研究院（PTB）將共同完成研發(fā)下一代芯片生產(chǎn)技術(shù)和量測流程的開發(fā)項目。　　德國教育部對此代號為“CDuR32 （32nm掩膜光刻技術(shù)的核心演習(xí)和使用） ”的研發(fā)項目提供了部分資助。該項目的總預(yù)算資金為16.7百萬歐元（約24.3百萬），其中德國政府資助了7.9百萬歐元。　　該項目預(yù)計為期2.5年，旨在研發(fā)掩膜技術(shù)以用于今后其Dresden晶圓廠32nm存儲芯片和22nm微處理器的生產(chǎn)。AMTC由
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電子整機(jī)制造產(chǎn)業(yè)加快整合是當(dāng)務(wù)之急

　　“過冬”是對國內(nèi)許多電子整機(jī)制造企業(yè)處境的形象描述。而處于產(chǎn)業(yè)鏈上游的半導(dǎo)體企業(yè)也一樣度日艱難。面對運營成本上升、經(jīng)濟(jì)效益下降帶來的壓力和挑戰(zhàn)，要提升半導(dǎo)體企業(yè)抵御市場風(fēng)險的能力，加快產(chǎn)業(yè)整合是重要的途徑和手段之一。　　整合有利于避免惡性競爭。產(chǎn)品重復(fù)開發(fā)、價格惡性競爭是許多企業(yè)深惡痛絕而又無能為力的問題，就連尚未真正形成市場規(guī)模的TD-SCDMA（時分同步的碼分多址技術(shù)）芯片，也已經(jīng)開始了價格戰(zhàn)，更不用說競爭白熱化的消費電子市場。據(jù)說僅在無錫一地，開發(fā)MP3（音樂壓縮格式
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市場技術(shù)雙輪驅(qū)動 IC產(chǎn)業(yè)尋求突圍

　　金秋9月，以“加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)合作，完善產(chǎn)業(yè)鏈，推動創(chuàng)新與發(fā)展”為主題的第6屆中國國際集成電路博覽會暨高峰論壇（IC China 2008）將在蘇州舉辦。與會各界人士將展示現(xiàn)有成果，探討競爭策略，交流發(fā)展經(jīng)驗。在全球經(jīng)濟(jì)增速放緩、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)寒氣逼人的大背景下，中國半導(dǎo)體企業(yè)將如何渡過難關(guān)，成為業(yè)界關(guān)注的焦點。　　危機(jī)考驗中國半導(dǎo)體業(yè) 　　進(jìn)入2008年以來，美國次貸危機(jī)和國際原油價格上漲對全球經(jīng)濟(jì)的負(fù)面影響進(jìn)一步擴(kuò)大，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入一個低速增長期，而中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也受到了一定
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給蘇州造芯計劃潑點冷水

近日，蘇州再起造芯計劃，只不過這個造芯還是芯片制造，而不是芯片設(shè)計。該計劃的核心內(nèi)容是日本存儲大廠Elpida（爾必達(dá)）與蘇州某投資公司（類似于政府投資）和某神秘公司聯(lián)手出資50億美元，建立12英寸晶圓廠。　　表面聽起來這個消息還是很值得振奮的，主要在于蘇州政府參與到了晶圓廠的投資中，這是國內(nèi)政府資金首次投入到晶圓廠（其他多是以貸款為主，無直接投資名分）。芯片對蘇州來說是個重點扶植產(chǎn)業(yè)，可以說在蘇州的工業(yè)產(chǎn)值中芯片產(chǎn)業(yè)提供的比例之大在全國絕對可以排到前三。而芯片產(chǎn)業(yè)科技含量高，投資大但收效快，因此
關(guān)鍵字：晶圓蘇州造芯計劃 Elpida 三星半導(dǎo)體

NAND閃存市場近兩月呈現(xiàn)“崩潰”現(xiàn)象

　　市場研究機(jī)構(gòu)Gartner分析師Bryan Lewis表示，2008年的NAND閃存市場原本已經(jīng)朝著成長趨勢前行，但現(xiàn)在卻出現(xiàn)了10%的下滑。Lewis表示，雖然有多數(shù)半導(dǎo)體類別市場仍成長強(qiáng)勁，但NAND閃存市場卻在過去的兩個月內(nèi)呈現(xiàn)“崩潰”現(xiàn)象。　　考慮到宏觀經(jīng)濟(jì)因素及庫存過剩帶來的歐美市場需求趨緩，Gartner認(rèn)為，2008年NAND閃存的市場營收僅139億美元，與去年相較下滑10.1%。Lewis表示：「閃存市場過去一度被看好，現(xiàn)在卻被認(rèn)為將會顯著下滑。閃存需
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誰將主導(dǎo)存儲市場的未來十年？

　　對于存儲來說，我們有兩點可以肯定：一是數(shù)據(jù)將會持續(xù)不斷的增長下去，而且，他們都需要被存儲;二是，我們的存儲設(shè)備和存儲能力將會隨著數(shù)據(jù)的增長而不斷演變——這確實是兩點可以肯定事情，所有人都知道，但問題在于，我們?nèi)匀贿€不知道怎么去做以應(yīng)付突然而至或者說在我們沒有防備時而到來的數(shù)據(jù)爆炸，現(xiàn)在，IDC已經(jīng)相信，我們所生活的數(shù)字世界中的數(shù)據(jù)增長量已經(jīng)開始超過我們的存儲能力的增長——無論這條被廣泛引用的論據(jù)的可信度達(dá)到多少，我們都已經(jīng)能切身感受到我們身邊的存儲容量的
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蘇州50億美元造"芯" 三大疑問仍然待解

　　即將投入建設(shè)的蘇州12英寸半導(dǎo)體項目十足吊夠了人們的胃口。　　先是業(yè)界的傳言不斷以及各方矢口否認(rèn)，接著是更大范圍的傳聞與否認(rèn)；一直到8月中旬，日本半導(dǎo)體制造大廠爾必達(dá)的一則新聞稿終于為這起投資案做出定論——項目總耗資達(dá)50億美元，由爾必達(dá)、蘇州創(chuàng)業(yè)集團(tuán)以及另一方合作伙伴成立合資企業(yè)進(jìn)行運營。　　讓人意想不到的是，即便在爾必達(dá)公開發(fā)布了合資消息，有關(guān)方面對于項目合作的諸多事宜仍然諱莫如深。圍繞項目的建立，三大疑問仍然待解：蘇州芯片項目“另一方合作伙伴&rdqu
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先進(jìn)半導(dǎo)體高管震蕩上海貝嶺“趁虛而入”

　　上海先進(jìn)半導(dǎo)體制造股份有限公司（以下簡稱“先進(jìn)半導(dǎo)體”）（3355.HK）迎來了公司歷史上最大規(guī)模的高層管理人士變動——9月1日，公司公告稱，董事長呂學(xué)正辭任執(zhí)行董事、總裁及首席執(zhí)行長之職務(wù)；與此同時，業(yè)界傳出消息，公司外籍董事、副董事長Van Bommel、董事Van Der Zeeuw以及公司監(jiān)事會主席葉昱良也已于8月中旬提出辭職，離職申請于9月30日正式生效。　　先進(jìn)半導(dǎo)體拒絕透露高管離職的具體原因，也沒有透露其他董事會成員的繼任信息。不過不久
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全球半導(dǎo)體廠商逆勢擴(kuò)張市場競爭白熱化

　世界經(jīng)濟(jì)蕭條和半導(dǎo)體價格下跌讓全球半導(dǎo)體市場陰云密布。世界半導(dǎo)體企業(yè)自去年起在虧損狀態(tài)下進(jìn)行了一輪意在“置對手于死地”的攻擊性投資。有分析認(rèn)為，世界排名第5的德國DRAM廠商奇夢達(dá)等部分企業(yè)最近面臨嚴(yán)重危機(jī)，隨著產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)進(jìn)入重新洗牌階段，半導(dǎo)體價格已跌至谷底。　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的危機(jī)已達(dá)到頂點　最近，半導(dǎo)體行業(yè)面臨著前所未有的危機(jī)。尤其
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恩智浦針對HDMI1.3端口推出全集成接口調(diào)節(jié)芯片

　　恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors）（由飛利浦創(chuàng)建的獨立半導(dǎo)體公司）推出業(yè)界首個針對HDMI 1.3端口的全集成接口調(diào)節(jié)芯片。這個全新系列芯片帶有8kV 靜電保護(hù)（根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)）、DDC緩沖技術(shù)，熱插控制、一個HDMI端口轉(zhuǎn)換的選通信號，以及CEC振鈴防止。恩智浦IP4777CZ38芯片，專為DVD播放機(jī)之類的信號源設(shè)計；而IP4778CZ38芯片，則專為電視機(jī)這類的接收器設(shè)計，亦能提供超低線電容來確保最新視頻格式（如1080p）的高信號完整性。　　
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精密放大器和低噪聲失調(diào)電路技術(shù)

　　1 運算放大器的現(xiàn)狀　　運算放大器自1963年問世以來，走過了很長的發(fā)展道路，并成為所有線性系統(tǒng)中事實上的標(biāo)準(zhǔn)部件。幾乎每個大型半導(dǎo)體制造商的產(chǎn)品線中都有運算放大器這個產(chǎn)品。根據(jù)不同的應(yīng)用需求主要分化出通用型、低電壓／低功耗型、高速型、高精度型四大類運放產(chǎn)品。目前放大器的性能水平已達(dá)到了如下指標(biāo)，這在20世紀(jì)60年代是聞所未聞的：帶寬超過1 GHz；轉(zhuǎn)換速率超過5 000 V／μs；工作電流低于10μA；工作電壓低至0.9 V；輸入失調(diào)電壓低于20 μV。　　2 精密放大器
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英飛凌在功率電子市場表現(xiàn)搶眼

　　2007年，英飛凌科技股份公司在功率電子分立式半導(dǎo)體器件和模塊領(lǐng)域表現(xiàn)搶眼，進(jìn)一步鞏固了其全球第一的位置。　　根據(jù)全球市場研究公司IMS Research的最新調(diào)查，英飛凌在全球分立式功率器件和模塊市場的份額提高至9.7%。英飛凌在2007年大約增長了23%，而全球市場的增長為9.3%，達(dá)到136億美元（2006年為125億美元）。該市場研究公司預(yù)測今后五年，分立式功率半導(dǎo)體器件與模塊市場的年平均增速將達(dá)到8%至9%。　　IMS研究公司研究總監(jiān)兼"2008年分立式功率半導(dǎo)體器件與模塊
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亞洲行業(yè)盛事頻繁 IR節(jié)能創(chuàng)新再成矚目焦點

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 宣布將全面參加在2008年秋季舉行的聚焦節(jié)能環(huán)保行業(yè)盛會。屆時，IR將展示其最新為亞洲市場而設(shè)的節(jié)能電源管理技術(shù)和產(chǎn)品，這些技術(shù)和產(chǎn)品主要應(yīng)用在汽車、家用電器、照明和信息處理等領(lǐng)域。　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉在談及IR參與重要行業(yè)盛會的計劃時指出："隨著世界各地能源成本的急劇增加，市場上對節(jié)能的需求也成倍增長。IR在滿足節(jié)能市場需求方面扮演著重要的角色，不僅會向業(yè)界分享我們電源管理方面的理念，與工程技術(shù)組織
關(guān)鍵字： IR 電源技術(shù) 半導(dǎo)體節(jié)能

12寸晶圓首超8寸晶圓主導(dǎo)全球半導(dǎo)體產(chǎn)能

　　根據(jù)美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SemiconductorIndustryAssociation，SIA）的最新統(tǒng)計數(shù)據(jù)，12寸晶圓首度超越8寸晶圓，在全球晶圓制造產(chǎn)能（wafermanufacturingcapacity）以及實際加工晶圓（actualwafersprocessed）中占有最高的比例，分別占總產(chǎn)能的44%以及總加工硅晶圓的47%. 　　此外SIA并指出，整體晶圓產(chǎn)能利用率仍在89%的高水平，其中先進(jìn)制程的利用率甚至超過95%.SIA總裁GeorgeScalise表示，由于占芯片需求約八成的
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]