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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> 化學(xué)機(jī)械拋光

            利用縫隙抑制型鎢填充接觸區(qū)工藝來降低良率損失

            • 在早先的技術(shù)節(jié)點(diǎn)中,由于器件尺寸較大,能采用成核及平整化化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)進(jìn)行鎢(W)填充。如今,由于插塞處的超小開口很容易發(fā)生懸垂現(xiàn)象,因此薄膜表面均勻生長的共形階段可能在填充完成前就關(guān)閉或夾斷,從而留下孔洞。
            • 關(guān)鍵字: 化學(xué)氣相沉積  良率  化學(xué)機(jī)械拋光  

            化學(xué)機(jī)械拋光 Slurry 的蛻與進(jìn)

            • 岳飛曾說:“陣而后戰(zhàn),兵法之常,運(yùn)用之妙,存乎一心?!币馑际钦f,擺好陣勢以后出戰(zhàn),這是打仗的常規(guī),但運(yùn)用的巧妙靈活...
            • 關(guān)鍵字: IC制造  slurry  化學(xué)機(jī)械拋光  
            共2條 1/1 1

            化學(xué)機(jī)械拋光介紹

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