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      imec展示單片式CFET功能組件 成功垂直堆棧金屬接點(diǎn)

      • 于本周舉行的2024年IEEE國(guó)際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)(VLSI Symposium)上,比利時(shí)微電子研究中心(imec)首次展示了具備電性功能的CMOS互補(bǔ)式場(chǎng)效晶體管(CFET)組件,該組件包含采用垂直堆棧技術(shù)形成的底層與頂層源極/汲極金屬接點(diǎn)(contact)。雖然此次研究的成果都在晶圓正面進(jìn)行接點(diǎn)圖形化,不過(guò)imec也展示了改從晶圓背面處理接點(diǎn)圖形的可行性—這能大幅提升頂層組件的存活率,將其從11%提升到79%。 CMOS互補(bǔ)式場(chǎng)效晶體管(CFET)組件搭配中間介電層(MDI)以及
      • 關(guān)鍵字: imec  單片式  CFET  功能組件  垂直堆棧金屬接點(diǎn)  
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