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功率晶體管文章進入功率晶體管技術(shù)社區(qū)

英飛凌推出全新射頻功率晶體管

　　英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE:IFX）在近期舉行的IEEE MTT-S國際微波研討會上，發(fā)布了專門面向700 MHz頻段無線基礎(chǔ)設(shè)施應用的全新射頻功率晶體管系列。該頻段在美國將用于承載4G（第四代）蜂窩、移動電視廣播和其他移動寬帶服務，其中包括LTE（長期演進）和下一代無線網(wǎng)絡標準。這一全新系列產(chǎn)品拓展了英飛凌的射頻功率晶體管組合，包括一個55 W驅(qū)動器及兩個輸出級晶體管（分別為170 W和240 W），在700 MHz頻段提供業(yè)界最高水平的峰值功率。　　基于英飛凌先進的LDMOS （橫向
關(guān)鍵字：英飛凌射頻功率晶體管放大器

恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率

　　恩智浦推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶體管，這是恩智浦應用其業(yè)界領(lǐng)先的第七代橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）技術(shù)的首款產(chǎn)品，專為高功耗和Doherty放大器應用進行了優(yōu)化。恩智浦的第七代LDMOS技術(shù)可以實現(xiàn)目前功效最高的LDMOS解決方案，與上一代產(chǎn)品相比，功率密度提高了20%，功率效率增長了兩個百分點，而Rth熱阻則降低25%以上。恩智浦第七代LDMOS基站前期晶體管的最初原型將于2008年美國喬治亞州亞特蘭大舉辦的IEEE MTT-S國際微波研討會期間進行展示。　　恩智浦R
關(guān)鍵字：恩智浦 LDMOS 基站功率晶體管

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功率晶體管介紹

耗散功率在 1瓦以上的晶體管。在電力電子器件中為一大類，包括雙極型功率晶體管、功率場效應晶體管、功率靜電感應晶體管、隔離柵晶體管、復合晶體管等。通常，功率晶體管是雙極型功率晶體管的簡稱。　　制造功率晶體管用的半導體材料多為單晶硅（也有用鍺或砷化鎵的）。器件的心片通常裝在散熱良好的金屬塊上。功率晶體管往往做成功率集成器件，其一個器件的心片上就含有數(shù)十個乃至上萬個并聯(lián)的晶體管單元。　　功率晶體 [ 查看詳細 ]