功率放大器文章進(jìn)入功率放大器技術(shù)社區(qū)

ATA-304C功率放大器在半波整流電化學(xué)方法去除低濃度含鉛廢水中鉛離子中的應(yīng)用

實(shí)驗(yàn)名稱(chēng)：ATA-304C功率放大器在半波整流電化學(xué)方法去除低濃度含鉛廢水中鉛離子中的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)方向：環(huán)境電化學(xué)實(shí)驗(yàn)設(shè)備：ATA-304C功率放大器，信號(hào)發(fā)生器、蠕動(dòng)泵、石墨棒等實(shí)驗(yàn)?zāi)康模涸诎氩ㄕ麟娀瘜W(xué)方法中，以聚苯胺修飾碳?xì)蛛姌O（PANI/CF）為陰極，利用功率放大器及信號(hào)發(fā)生器等設(shè)備組裝了用于去除低濃度含鉛廢水中鉛離子的裝置。該研究豐富了對(duì)基于半波整流電化學(xué)法處理低濃度含鉛廢水機(jī)理的認(rèn)識(shí)，為進(jìn)一步加快該方法的實(shí)際應(yīng)用提供了基本理論支撐。實(shí)驗(yàn)過(guò)程：如圖所示，我們組裝了一個(gè)單室、無(wú)
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ATA-P2010功率放大器在新控制策略下撞擊式壓電噴射閥點(diǎn)膠性能測(cè)試中的應(yīng)用

實(shí)驗(yàn)名稱(chēng)：ATA-P2010功率放大器在新控制策略下撞擊式壓電噴射閥點(diǎn)膠性能測(cè)試中的應(yīng)用實(shí)驗(yàn)方向：封裝技術(shù)實(shí)驗(yàn)設(shè)備：ATA-P2010功率放大器，信號(hào)發(fā)生器、撞擊式壓電噴射閥、高精度電子秤和顯微鏡實(shí)驗(yàn)?zāi)康模和ㄟ^(guò)功率放大器驅(qū)動(dòng)壓電噴射系統(tǒng)，驗(yàn)證撞擊式壓電噴射閥在不同控制策略下膠點(diǎn)質(zhì)量、氣泡含量等點(diǎn)膠性能。實(shí)驗(yàn)過(guò)程：為了評(píng)估膠粘劑在不同控制策略下的分配性能，包括液滴體積和氣泡含量，本研究構(gòu)建了撞擊式壓電噴射系統(tǒng)的新控制策略實(shí)驗(yàn)平臺(tái)，如圖5.9所示。該平臺(tái)包括控制
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分享8款100w功放電路圖

01D類(lèi)100w功放電路介紹一款采用普通元件制作的D類(lèi)100W功放電路，供廣大音響爰好者參考。電路如圖1所示。元件選擇要點(diǎn)：Ic1選用雙D觸發(fā)器CD4013。IC2選用高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)電路TC4426，該芯片在4．5V～18V供電范圍內(nèi)均能穩(wěn)定地工作，其輸出驅(qū)動(dòng)電流高達(dá)1．5A，而輸出阻抗只有7Ω（內(nèi)部電路如圖2所示），因此是驅(qū)動(dòng)數(shù)字功放中MOSFET功放管的理想器件。輸出管選用NMOS場(chǎng)效應(yīng)管IRFP140（100V，30A，150W）。D1、D2選用高速肖特基二極管MBR150，如果買(mǎi)不到MBR1
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功放的ABCD類(lèi)

1、純Class A（甲類(lèi)）功率放大器純甲類(lèi)功率放大器又稱(chēng)為A類(lèi)功率放大器（Class A），它是一種完全的線性放大形式的放大器。在純甲類(lèi)功率放大器工作時(shí)，晶體管的正負(fù)通道不論有或沒(méi)有信號(hào)都處于常開(kāi)狀態(tài)，這就意味著更多的功率消耗為熱量。純甲類(lèi)功率放大器在汽車(chē)音響的應(yīng)用中比較少見(jiàn)，像意大利的Sinfoni高品質(zhì)系列才有這類(lèi)功率放大器。這是因?yàn)榧兗最?lèi)功率放大器的效率非常低，通常只有20-30%，音響發(fā)燒友們對(duì)它的聲音表現(xiàn)津津樂(lè)道。小信號(hào)放大器主要包括：共射極放大器、共基極放大器、共集極放大器，如果這種小信號(hào)放
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如何測(cè)量功率放大器性能？為什么EVM和ACPR很重要？一篇文章帶你了解功率放大器測(cè)量

G應(yīng)用帶來(lái)了通信技術(shù)的革命性變革，在無(wú)線通信系統(tǒng)中，功率放大器(Power Amplifier, 簡(jiǎn)稱(chēng)PA)占據(jù)傳輸鏈的最后一級(jí)，為天線提供所需的射頻功率，是通信系統(tǒng)中射頻鏈路質(zhì)量的重要貢獻(xiàn)者。如圖1所示。功率放大器(PA)是5G發(fā)射機(jī)傳輸質(zhì)量和電池壽命的關(guān)鍵決定因素。? 圖1 典型通信射頻傳輸鏈路在很多表征功率放大器性能的指標(biāo)中，誤差矢量幅度（EVM）和鄰道功率比（ACPR）是最為關(guān)鍵的，EVM和ACPR指標(biāo)可以量化功率放大器的非線性性能。通常使用EVM作為帶內(nèi)失真的考量，而ACPR則用來(lái)衡量帶外特性。
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預(yù)補(bǔ)償方法以減少Class D功率放大器的爆裂噪聲

1 ?摘要如今，Class D功率放大器在音頻系統(tǒng)中被廣泛使用。?然而，在放大器啟動(dòng)或關(guān)閉時(shí)，以及在靜音 / 取消靜音??切換期間，揚(yáng)聲器中經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)爆裂聲或點(diǎn)擊聲。這些 ?噪音可能會(huì)被聽(tīng)到，并使用戶(hù)感到不適。在音頻系統(tǒng)中???靜音功率放大器是避免在啟動(dòng)或關(guān)閉期間出現(xiàn)爆裂聲的??有效方法。此外，音頻系統(tǒng)有時(shí)播放音樂(lè)，有時(shí)停止播 ?放，這需要頻繁地靜音或取消靜音放大器。因此，爆裂 ?聲是頻
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推挽式B類(lèi)功率放大器的基本原理

了解推挽式B類(lèi)放大器的工作原理，如何計(jì)算其效率，以及其性能與電感性負(fù)載A類(lèi)設(shè)計(jì)的比較。正如我們?cè)谏弦黄恼轮兴懻摰?，單晶體管B類(lèi)放大器（圖1）使用高Q諧振電路作為負(fù)載來(lái)抑制較高的諧波分量。通過(guò)使用高Q諧振電路，輸出電壓僅包含基波分量，使放大器能夠忠實(shí)地再現(xiàn)輸入信號(hào)。通過(guò)短接諧波分量，高Q諧振使輸出電壓成為基頻的正弦波，盡管集電極電流是半波整流的正弦波。單晶體管B類(lèi)RF放大器的電路圖。圖1：?jiǎn)尉w管B類(lèi)RF放大器。除了使用高Q電容器，我們還可以通過(guò)迫使兩個(gè)半正弦波脈沖以相反方向通過(guò)負(fù)載來(lái)消除B
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B類(lèi)功率放大器介紹

B類(lèi)功率放大器是如何工作的？是什么讓它比A類(lèi)功率放大器更高效？在這篇文章中了解答案。高效射頻功率放大器（PA）在許多應(yīng)用中都至關(guān)重要，從手持通信設(shè)備到大型有源元件相控陣天線。例如，在上述手持設(shè)備中，更高的效率意味著更低的功耗，從而可以延長(zhǎng)通話時(shí)間。我們?cè)谥暗奈恼轮辛私獾?，電感性?fù)載的A類(lèi)放大器提供的最大可獲得效率僅為50%。本文介紹了B類(lèi)功率放大器，其理論最大效率為78.5%。在討論了B類(lèi)放大器的基本特性后，我們將探討效率差異的原因。請(qǐng)注意，本文中使用的分析表達(dá)式是近似的，因?yàn)樗鼈兩婕按笮盘?hào)和強(qiáng)非線性，
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電感負(fù)載A類(lèi)功率放大器簡(jiǎn)介

了解電感負(fù)載共射極級(jí)如何用作功率放大器。本系列的前一篇文章討論了使用電阻性負(fù)載共發(fā)射極電路作為功率放大器（PA）的挑戰(zhàn)和局限性。在最后一節(jié)中，我們了解到，通過(guò)使用大型電感器作為共發(fā)射極配置的負(fù)載，可以解決許多挑戰(zhàn)。在本文中，我們將更全面地研究電感性負(fù)載的A類(lèi)放大器。讓我們從圖1中的基本電感性負(fù)載共射極配置開(kāi)始我們的研究。電感負(fù)載共射極放大器的電路圖。圖1：電感負(fù)載共射極放大器的簡(jiǎn)單版本您可能已經(jīng)注意到，圖1看起來(lái)與我們上次介紹的電感負(fù)載PA有些不同。與本文稍后將討論的放大器版本不同，該電路缺少
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A類(lèi)功率放大器簡(jiǎn)介：共發(fā)射極PA

射頻放大器設(shè)計(jì)是一項(xiàng)具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)，涉及線性度、效率、增益和輸出功率之間的權(quán)衡。在這里，我們研究共發(fā)射極電路如何能夠或不能用作功率放大器。本系列之前的文章討論了小信號(hào)放大器，它通常設(shè)計(jì)用于增益和線性，而不是功率傳輸。如果接下來(lái)的電路具有純電容輸入阻抗，則小信號(hào)放大器可能會(huì)提供特定的電壓或電流增益，而不會(huì)向?qū)嶋H負(fù)載傳輸任何明顯的功率。由于小信號(hào)放大器不處理高功率電平，因此功率處理能力和功率效率也不是其主要設(shè)計(jì)要求。在接下來(lái)的幾篇文章中，我們將討論一些截然不同的內(nèi)容：射頻功率放大器。功率放大器（PA）出現(xiàn)在
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車(chē)載功放輻射發(fā)射案例分析

車(chē)載功放輻射發(fā)射案例評(píng)論：此案例應(yīng)該指出PCB板與金屬外殼的連接方式（是否連接，怎么連接）。以分析騷擾路徑。
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面向GaN功率放大器的電源解決方案

RF前端的高功率末級(jí)功放已被GaN功率放大器取代。柵極負(fù)壓偏置使其在設(shè)計(jì)上有別于其它技術(shù)，有時(shí)設(shè)計(jì)具有一定挑戰(zhàn)性；但它的性能在許多應(yīng)用中是獨(dú)特的。閱讀本文，了解Qorvo的電源管理解決方案如何消除GaN的柵極偏置差異。如今，電子工程師明白GaN技術(shù)需要柵極負(fù)電壓工作。這曾經(jīng)被視為負(fù)面的——此處“負(fù)面”和“負(fù)極”并非雙關(guān)語(yǔ)——但今天，有一些技術(shù)使這種柵極負(fù)壓操作變得微不足道。今天，我們擁有電源管理集成電路（PMIC）器件，可以輕松可靠地為這些GaN PA通電和斷電，以及PMIC所帶來(lái)更多其他優(yōu)勢(shì)。我們將在下
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pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案

假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開(kāi)關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而，如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確，漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會(huì)導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對(duì)其有效偏置。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)需要負(fù)柵極電壓，并且必須小心控制開(kāi)啟/關(guān)斷的時(shí)序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細(xì)研究這些偏置電路的噪聲和雜散對(duì)RF性能有何影響。
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pHEMT功率放大器的有源偏置解決方案

假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)是耗盡型器件，其漏源通道的電阻接近0 Ω。此特性使得這些器件可以在高開(kāi)關(guān)頻率下以高增益運(yùn)行。然而，如果柵極和漏極偏置時(shí)序不正確，漏極溝道的高電導(dǎo)率可能會(huì)導(dǎo)致器件燒毀。本文探討耗盡型pHEMT射頻(RF)放大器的工作原理以及如何對(duì)其有效偏置。耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)需要負(fù)柵極電壓，并且必須小心控制開(kāi)啟/關(guān)斷的時(shí)序。文中將介紹并比較固定柵極電壓和固定漏極電流電路。我們還將仔細(xì)研究這些偏置電路的噪聲和雜散對(duì)RF性能有何影響。引言圖1顯示了耗盡型pHEMPT RF放大器的簡(jiǎn)
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100W MOSFET功率放大器電路

我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)使用 MOSFET 的功率放大電路，可產(chǎn)生 100W 的輸出功率，驅(qū)動(dòng)約 8 歐姆的負(fù)載。所設(shè)計(jì)的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優(yōu)點(diǎn)。工作原理：該電路采用多級(jí)功率放大原理，包括前置放大器、驅(qū)動(dòng)器和使用 MOSFET 的功率放大。前置放大器采用差分放大器，驅(qū)動(dòng)級(jí)是帶有電流鏡負(fù)載的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 類(lèi)工作方式。與 BJT 相比，MOSFET 具有驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、熱穩(wěn)定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點(diǎn)。前置放大器由兩級(jí)差分放大器電路組成，用于產(chǎn)生無(wú)噪聲放大信號(hào)
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功率放大器介紹

功率放大器簡(jiǎn)介　　利用三極管的電流控制作用或場(chǎng)效應(yīng)管的電壓控制作用將電源的功率轉(zhuǎn)換為按照輸入信號(hào)變化的電流。因?yàn)槁曇羰遣煌穹筒煌l率的波，即交流信號(hào)電流，三極管的集電極電流永遠(yuǎn)是基極電流的β倍，β是三極管的交流放大倍數(shù)，應(yīng)用這一點(diǎn)，若將小信號(hào)注入基極，則集電極流過(guò)的電流會(huì)等于基極電流的β倍，然后將這個(gè)信號(hào)用隔直電容隔離出來(lái)，就得到了電流(或電壓)是原先的β倍的大信號(hào)，這現(xiàn)象成為三極管的放大作用 [ 查看詳細(xì) ]