- 1.???? 前言近年來，全球耗電量逐年增加，在工業(yè)和交通運輸領域的增長尤為顯著。另外，以化石燃料為基礎的火力發(fā)電和經濟活動所產生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成為嚴重的社會問題。因此，為了實現零碳社會，努力提高能源利用效率并實現碳中和已成為全球共同的目標。在這種背景下，羅姆致力于通過電子技術解決社會問題，專注于開發(fā)在大功率應用中可提升效率的關鍵——功率半導體，并提供相關的電源解決方案。本白皮書將通過“Power Eco Family”的品牌理念，介紹為構建應用生
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羅姆 功率半導體
- 安森美（onsemi）在2024年先后推出兩款超強功率半導體模塊新貴，IGBT模塊系列——SPM31 IPM，QDual 3。值得注意的是，背后都提到采用了最新的FS7技術，主要性能拉滿，形成業(yè)內獨特的領先優(yōu)勢。解密FS7“附體”的超能力眾所周知，IGBT是一種廣泛應用于電力電子領域的半導體器件，結合了金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和雙極結型晶體管（BJT）的優(yōu)點，具有高輸入阻抗和低導通電壓降的特點。而安森美的Field Stop技術則是IGBT的一種改進技術，通過在器件的漂移區(qū)引入一個場截
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功率半導體 onsemi IGBT
- 智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi）再次榮膺電子行業(yè)資深媒體集團ASPENCORE頒發(fā)的2024亞洲金選獎（EE Awards Asia)之車用電子解決方案供應商獎，彰顯其在車用領域的卓越表現和領先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導體獎，基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術帶來出色的效能表現獲得業(yè)界肯定。作為全球領先的汽車半導體供應商，安森美致力于以創(chuàng)新的智能電源和智能感知技術推動汽車電氣化和智能化創(chuàng)新。安森美在多個
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安森美 功率半導體
- 自德州儀器官網獲悉，日前，德州儀器公司（TI）宣布已開始在日本會津工廠生產基于氮化鎵(GaN)的功率半導體。隨著會津工廠的投產，結合其在德克薩斯州達拉斯的現有GaN制造能力，德州儀器的內部GaN基功率半導體制造能力將翻四倍。德州儀器技術與制造高級副總裁穆罕默德·尤努斯（Mohammad Yunus）表示，在GaN芯片設計和制造方面擁有十多年的豐富經驗后，TI成功地將200mm GaN技術（這是目前制造GaN的最具可擴展性和成本競爭力的方法）應用于會津工廠的量產。這一里程碑使德州儀器能夠在內部制造更多的Ga
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德州儀器 氮化鎵 功率半導體
- ●? ?通過高壓開關矩陣實現一次性測試，進而提高生產效率●? ?該系統(tǒng)旨在提高操作人員與設備的安全性；同時確保符合相關法規(guī)要求是德科技推出適用于功率半導體的?3kV高壓晶圓測試系統(tǒng)是德科技（Keysight Technologies, Inc.）近日推出全新的?4881HV?高壓晶圓測試系統(tǒng)，進一步擴展了其半導體測試產品組合。該解決方案通過在一次性測試中高效完成高達3kV的高低壓參數測試，從而顯著提升了功率半導體制造商的生產效率。傳統(tǒng)上
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是德科技 功率半導體 高壓晶圓測試
- 根據韓媒報道，9月2日，三星電子在第二季度引入了少量用于大規(guī)模生產GaN功率半導體的設備。GaN是下一代功率半導體材料，具有比硅更好的熱性能、壓力耐久性和功率效率?；谶@些優(yōu)勢，IT、電信和汽車等行業(yè)對其的需求正在增加。三星電子也注意到了GaN功率半導體行業(yè)的增長潛力，并一直在推動其進入市場。去年6月，在美國硅谷舉行的“2023年三星代工論壇”上，該公司正式宣布：“我們將在2025年為消費電子、數據中心和汽車領域推出8英寸GaN功率半導體代工服務?！备鶕@一戰(zhàn)略，三星電子第二季度在其器興工廠引入了德國愛思
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- ●? ?安森美 (onsemi) 將實施高達 20 億美元的多年投資計劃，鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進功率半導體供應鏈●? ?垂直整合的碳化硅工廠將為當地帶來先進的封裝能力，使安森美能夠更好地滿足市場對清潔、高能效半導體方案日益增長的需求 ? ? ?●? ?安森美與捷克共和國政府合作制定激勵方案，以支持投資計劃落實●? ?該投資將成為捷克共和國歷史上最大的私營企業(yè)投資項目之一，屬于對中歐先進半導
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安森美 碳化硅 功率半導體
- 近期，市場各方消息顯示，功率半導體市場逐漸開啟新一輪景氣上行周期，新潔能、揚杰科技、臺基股份等多家功率半導體公司股價紛紛上漲，包括華潤微、揚杰科技、華虹半導體等在內的企業(yè)產能利用率接近滿載，部分高性能功率器件已率先開啟漲價潮。在此市場景氣上行之際，功率半導體市場也將迎來新一輪放量周期，近期士蘭微投資120億元的8英寸SiC功率器件芯片制造生產線正式開工，除此之外，包括芯聯集成、捷捷微電、芯粵能多家企業(yè)功率半導體項目也在上半年有最新動態(tài)。多家企業(yè)產能利用率接近滿載從市場需求端看，消費電子行業(yè)從去年末開始緩慢
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功率半導體
- 01IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應管（MOS）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；（因為Vbe=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結材料和厚度有關））MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。（因為MOS管有Rds，如果Ids比較大，就會導致Vds很大）IGBT綜合了以上兩種器件的
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IGBT 功率半導體
- 近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統(tǒng)級封裝GaN產品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
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- 隨著企業(yè)向低碳未來邁進，市場越來越需要更高效的功率半導體。開發(fā)功率半導體解決方案的關鍵目標在于，盡量降低系統(tǒng)總成本和縮小尺寸，同時提高效率。于是，智能功率模塊
(IPM) 應運而生，并成為熱泵市場備受矚目的解決方案。這種模塊結構緊湊、高度集成，具有高功率密度以及先進的控制與監(jiān)測功能，非常適合熱泵應用。熱泵的重要性根據歐盟統(tǒng)計局數據，在歐盟消耗的所有能源中，約 50% 用于供暖和制冷，而且超過 70% 仍然來自化石燃料（主要是天然氣）。在住宅領域，約 80% 的最終能源消耗用于室內和熱水供暖。熱泵（圖
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- 英飛凌科技股份公司為快速成長的綠色能源行業(yè)領導者、逆變器及儲能系統(tǒng)制造商——麥田能源提供功率半導體器件，共同推動綠色能源發(fā)展。英飛凌將為麥田能源提供?CoolSiCTM?MOSFET 1200 V功率半導體器件，?配合EiceDRIVER?柵極驅動器用于工業(yè)儲能應用。?同時，麥田能源的組串式光伏逆變器將使用英飛凌的?IGBT7 H7 1200 V功率半導體器件。全球光儲系統(tǒng)（PV-ES）市場近年來高速增長。光儲市場競爭加速，提高功率密度成為制勝關鍵；儲能應
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- 3月26日，在三菱電機舉辦的主題為可持續(xù)發(fā)展倡議在線會議上，三菱電機宣布將對有望成為下一代半導體的氧化鎵（Ga2O3）進行投資研發(fā)。與主要用于電動汽車（xEV）的碳化硅（SiC）功率半導體相比，三菱電機稱這一布局是“為擴大更高電壓的市場”。三菱電機表示，2024年~2030年，公司將投入約9000億日元（折合人民幣約430億元）用于碳化硅、氧化鎵等下一代功率半導體、材料和產品的回收利用、可再生能源等綠色領域的研發(fā)。據了解，2023年7月，該公司宣布已投資Novel Crystal Technology（N
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- 3月27日，Wolfspeed宣布其全球最大、最先進的碳化硅工廠“John Palmour 碳化硅制造中心”封頂。據其介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工。Wolfspeed首席執(zhí)行官Gregg Lowe表示，工廠已開始安裝長晶設備，預估今年12月份或者明年1月，這座工廠將會有產出。該工廠將主要制造200mm（8英寸）碳化硅晶圓，尺寸是150mm（6英寸）晶圓的1.7倍，滿足對于能源轉型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的需求
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- 2024年3月27日，Wolfspeed宣布，其在位于美國北卡羅來納州查塔姆縣的“John Palmour碳化硅制造中心”舉辦建筑封頂慶祝儀式。據官方介紹，“John Palmour碳化硅制造中心”總投資50億美元，獲得了來自公共部門和私營機構的支持，將助力從硅向碳化硅的產業(yè)轉型，提升對于能源轉型至關重要的材料的供應。該中心占地445英畝，一期建設預計將于2024年底竣工，該中心將制造200mm碳化硅（SiC）晶圓，顯著擴大Wolfspeed材料產能，滿足對于能源轉型和AI人工智能至關重要的新一代半導體的
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功率半導體介紹
《功率半導體 器件 與應用》基于前兩章的半導體物理基礎，詳細介紹了目前最主要的幾類功率半導體器件，包括pin二極管、晶閘管、門極關斷晶閘管、門極換流晶閘管、功率場效應晶體管和絕緣柵雙極型晶體管。 [
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