力晶文章進入力晶技術社區(qū)

力晶將今年資本支出目標定為新臺幣110億元

　　力晶半導體股份有限公司(Powerchip Semiconductor Co., 5346.OT)發(fā)言人譚仲民(Eric Tang)周三表示，公司將今年的資本支出目標定為新臺幣110億元。　　譚仲民稱，其中大部分資本支出將用于把公司的晶片生產(chǎn)技術從65納米技術升級到40納米技術。今年1月初，力晶半導體曾表示，將于2010年下半年開始對40納米制程進行測試。譚仲民稱，由于現(xiàn)金充裕，公司目前沒有融資計劃。他稱，力晶半導體2009年的資本支出規(guī)模“很小”。但他拒絕透露具體數(shù)據(jù)
關鍵字：力晶 DRAM

力晶將重啟在徐州地區(qū)建造8英寸內(nèi)存芯片廠的計劃

　　據(jù)臺灣《經(jīng)濟日報》報道，臺系內(nèi)存廠商力晶公司決定重啟其在大陸徐州建造8英寸內(nèi)存芯片廠的計劃，報道稱力晶公司計劃向這間新廠房投資2.93億美元，并將與當?shù)卣块T和大陸當?shù)仄髽I(yè)合作經(jīng)營這間芯片廠。　　與臺積電以及茂德公司類似，力晶公司目前已經(jīng)獲得了臺灣當局的許可，可以在大陸地區(qū)建造8英寸0.18微米及以下級別制程的芯片廠，不過目前為止三家公司中僅有力晶仍未付諸實際行動。
關鍵字：力晶內(nèi)存芯片

力晶半導體稱第四財季實現(xiàn)凈利潤

　　臺灣力晶半導體表示，經(jīng)過連續(xù)十個季度的虧損后，受需求反彈和芯片價格穩(wěn)步上漲的推動，第四財政季度公司實現(xiàn)凈利潤。　　力晶半導體在其網(wǎng)站上發(fā)布公告稱，已有大量現(xiàn)金流入公司，這將顯著改善公司的財務結構。該公司并未提供截至去年12月31日財季的凈利潤數(shù)據(jù)。　　力晶半導體稱，公司將通過增加DDR3芯片發(fā)貨量鞏固凈利潤成果。公司預計，到3月份DDR3芯片發(fā)貨量占其總發(fā)貨量的比重將達到75%。　　分析師們表示，DDR3芯片將成為今年個人電腦應用的主流內(nèi)存芯片。與DDR2芯片相比，DDR3的處理速度更快，
關鍵字：力晶 DDR3

力晶半導體稱第四財季實現(xiàn)凈利潤

　　據(jù)國外媒體報道，臺灣力晶半導體近日表示，經(jīng)過連續(xù)十個季度的虧損后，受需求反彈和芯片價格穩(wěn)步上漲的推動，第四財政季度公司實現(xiàn)凈利潤。　　力晶半導體在其網(wǎng)站上發(fā)布公告稱，已有大量現(xiàn)金流入公司，這將顯著改善公司的財務結構。該公司并未提供截至去年12月31日財季的凈利潤數(shù)據(jù)。　　力晶半導體稱，公司將通過增加DDR3芯片發(fā)貨量鞏固凈利潤成果。公司預計，到3月份DDR3芯片發(fā)貨量占其總發(fā)貨量的比重將達到75%。　　分析師們表示，DDR3芯片將成為今年個人電腦應用的主流內(nèi)存芯片。與DDR2芯片相比，DD
關鍵字：力晶內(nèi)存芯片 DDR3

消息稱力晶董事會批準從爾必達手中購瑞晶股份

　　12月23日消息，據(jù)國外媒體報道，臺灣力晶半導體股份有限公司管理人士周三表示，公司董事會批準了從日本合作伙伴爾必達手中收購合資企業(yè)瑞晶電子股份有限公司股份的計劃。　　這位要求匿名的管理人士向道瓊斯通訊社透露，該計劃的細節(jié)，如力晶將收購的股份數(shù)以及收購價格等，還沒有確定。　　爾必達曾于10月份表示，正考慮在年底前將其在瑞晶電子的持股比例增加到70%以上。就在當月，為了與全球最大的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)韓國三星電子展開競爭，爾必達曾將其在瑞晶電子的股權比例由52%增加至64%。　　DRAM
關鍵字：力晶 DRAM

中國臺灣芯片公司改變策略應對市場下滑危機

　　臺灣半導體生產(chǎn)商期望通過轉(zhuǎn)變策略來應對電腦存儲芯片市場占有率下降帶來的挑戰(zhàn)，但此舉可能導致它們?nèi)P退出核心業(yè)務。　　由于芯片行業(yè)從2007年起陷入有史以來最嚴重的滑坡，南亞科技及臺灣力晶半導體股份有限公司(簡稱：力晶)等臺灣芯片行業(yè)的支柱公司已在虧損中掙扎了兩年多。盡管今年芯片價格出現(xiàn)反彈，但力晶和茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)等公司仍處于貸款違約的邊緣。　　與此同時，韓國和日本的競爭對手憑藉更先進、成本更低的生產(chǎn)技術持續(xù)發(fā)展壯大。　　為應對上述局面，臺資公司
關鍵字：力晶 DRAM 存儲器

DRAM廠資本支出競賽　三星更勝臺廠一籌

　　臺系DRAM廠開始規(guī)劃2010年資本支出，估計包括南亞科、華亞科、力晶和茂德4家DRAM廠2010年資本支出逾新臺幣700億元，且主要支出集中在臺塑集團身上，臺DRAM廠似乎又生龍活虎起來，開始擴大投資規(guī)模，然相較于三星電子(Samsung Electronics)2010年在存儲器領域資本支出至少30億美元來看，臺系4家DRAM廠合計資本支出仍遠落后三星，未來三星不僅將穩(wěn)坐龍頭，且恐將再度侵蝕臺DRAM廠既有市占率。　　三星是這一波DRAM產(chǎn)業(yè)海嘯大贏家，這波巨浪吹倒臺DRAM產(chǎn)業(yè)，亦讓美、日系
關鍵字：力晶 DRAM 存儲器

力晶第4季DRAM產(chǎn)出大躍進　季增率挑戰(zhàn)30~40%

　　臺系DRAM廠為抓準DRAM價格復蘇的時間點，開始大量增加投片量，其中力晶增產(chǎn)的幅度將居冠，傳出第4季位元成長率將較第3季明顯大增 30~40%，力晶11月出貨量大幅成長，也將反映在11月營收上，出現(xiàn)大幅度成長;再者，除了DDR2芯片外，力晶也開始增加DDR3芯片產(chǎn)出，臺廠正緩慢步入DDR2和DDR3交接期。　　臺廠2008年底開始進入長達3季的減產(chǎn)，隨著DRAM價格在奇夢達(Qimonda)退出市場后，由供過于求逐漸走向供給平衡，因此緩步開始增產(chǎn)，尤其在營運開始產(chǎn)生現(xiàn)金流入后，增產(chǎn)的速度加快，現(xiàn)
關鍵字：力晶 DRAM

對DRAM價格樂觀力晶停止紓困

　　力晶在DRAM價格強勁回文件下，將恢復財務自主能力，力晶董事會2日通過，從明年開始停止紓困，全力正?；謴蜖I運，可望從明年起針對銀行正常還款。力晶對第四季價格仍保持每顆2美元至2.5美元的樂觀預期，今年第四季將有機會轉(zhuǎn)虧為盈。　　力晶昨日領先各大DRAM廠，率先公布10月營收，由于產(chǎn)能滿載，加上DRAM價格回文件，該公司10月營收達42.39億元(新臺幣，以下同)、較9月大增28%，創(chuàng)下今年以來新高，預估11月、12月營收將會維持持續(xù)成長的動能。　　力晶指出，在政府政策與銀行團大力支持之下，透過
關鍵字：力晶 DRAM 封測

臺系DRAM廠3Q虧損175億元　4Q可望飛越損平點

　　受惠DRAM價格谷底翻身，臺系DRAM廠第3季虧損金額大幅縮小，合計力晶、茂德、南亞科和華亞科4家DRAM廠共虧新臺幣175億元，累計前3季虧損731億元，其中茂德虧損最多，華亞科虧損金額最小，展望第4季，DRAM價格持續(xù)走強越過2.5美元后，頗有朝3美元的實力，各廠全產(chǎn)能投片后，可望力拼單月?lián)p益兩平，其中力晶旗下瑞晶第3季已轉(zhuǎn)虧為盈，力晶董事長黃崇仁也表示，若報價維持在2.5美元水平，第4季也有機會擠身獲利之林。　　DRAM 產(chǎn)業(yè)在2008年此時受到供過于求嚴重失衡的影響，虧損嚴重到一度將存儲器
關鍵字：力晶 DRAM 晶圓

TFC是政治正確產(chǎn)物 TIMC不能沉默是金

　　力晶宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)的消息，對內(nèi)存產(chǎn)業(yè)無疑是一枚深水炸彈，不論就技術自主、產(chǎn)能整合和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新等條件上，TFC都是力晶精心策劃下的「政治正確」產(chǎn)物，從條件論而言，“經(jīng)濟部"很難直接拒絕TFC計劃，尤其是現(xiàn)在臺灣創(chuàng)新內(nèi)存(TIMC)的技術來源爾必達(Elpida)在日本政府資金介入后，傳出不讓臺灣地區(qū)政府投資的謠言不絕于耳，力晶在此時拿出TFC計劃，就算不能獲得政府補助，也達到破壞TIMC的目的，臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整合大戲未來要如何演下去，在各廠底
關鍵字：力晶 DRAM 內(nèi)存

力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元

　　“經(jīng)濟部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺塑集團旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計畫;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺灣存儲器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)一軍。力晶董事長黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟部”所要求技術扎根條件，未來力晶
關鍵字：力晶 DRAM 存儲器 NAND

力晶半導體提交政府投資申請

　　力晶半導體股份有限公司已遞交政府投資申請。　　據(jù)境外媒體報道，力晶半導體公共關系部門一位拒絕透露姓名的管理人士稱，公司于周二下午遞交了尋求政府投資的申請。臺灣政府將周二設定為各公司提交申請的截止日期。　　該管理人士拒絕透露其他細節(jié)。
關鍵字：力晶半導體

4大DRAM廠現(xiàn)金正流入　華亞科、力晶、茂德飛越現(xiàn)金成本線

　　DRAM價格漲不停，1Gb容量DDR2價格直逼2美元，苦熬多時的臺系DRAM廠終于進入現(xiàn)金正流入的狀態(tài)，包括華亞科、力晶和茂德營運都終止失血，南亞科在自己晶圓廠生產(chǎn)部分也開始有現(xiàn)金流入，但采購自華亞科的部分，受到母子公司拆帳仍是Margin-Sharing模式，因此部分還是現(xiàn)金流出，但以整個臺塑集團的DRAM事業(yè)來看，已進入現(xiàn)金正流入狀態(tài)，下一步臺系DRAM業(yè)者的目標是轉(zhuǎn)虧為盈。　　4 大DRAM廠2008年虧損金額超過新臺幣1,000億元，眼看龍頭廠三星電子(Samsung Electronic
關鍵字：力晶 DRAM DDR2

臺灣旺宏計劃斥資333億元興建兩座12寸芯片廠

　　據(jù)臺灣媒體報道，臺灣旺宏計劃投資1600億新臺幣(約和332.5億人民幣)興建兩座12寸芯片廠，此舉將導致茂德、力晶等內(nèi)存芯片公司向旺宏賣廠求現(xiàn)的美夢破碎，恐促使DRAM(動態(tài)隨機存儲器)廠雪上加霜。　　旺宏是上半年臺灣唯一獲利的內(nèi)存芯片廠，積極擴廠后，更將坐穩(wěn)獲利龍頭寶座。　　旺宏投資1600億新臺幣興建兩座12寸芯片廠的計劃，已向臺灣當局遞交文件，申請進駐中科后里園區(qū)。第一期建廠預計年底前動工，2011年初投產(chǎn)，兩座新廠規(guī)劃產(chǎn)能約8萬片，并導入60納米以下最新技術。　　為配合旺宏建廠計
關鍵字：力晶 DRAM 內(nèi)存芯片

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力晶介紹

力晶于八十三年十二月創(chuàng)立于新竹科學園區(qū)，業(yè)務范圍涵蓋動記憶體制造及晶圓代工兩大類別。八十七年以科技類股票在臺灣正式掛牌上柜。八十八年發(fā)行全球存托憑證，成為我國第一家在盧森堡證券交易所上市的上柜公司。截至九十六年底，力晶擁有六千一百位員工，資本額達新臺幣七百八十二億元，年度營收為新臺幣七百七十五億元。　　為提升國際競爭力及科技實力，力晶在設立之初即和日本三菱電機締結技術、生產(chǎn)與銷售的策略聯(lián)盟； [ 查看詳細 ]

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