制程技術(shù) 文章 進(jìn)入制程技術(shù)技術(shù)社區(qū)
Intel 4制程技術(shù)細(xì)節(jié)曝光 具備高效能運(yùn)算先進(jìn)FinFET
- 英特爾近期于美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會，公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。相較于Intel 7，Intel 4于相同功耗提升20％以上的效能，高效能組件庫（library cell）的密度則是2倍，同時(shí)達(dá)成兩項(xiàng)關(guān)鍵目標(biāo)：它滿足開發(fā)中產(chǎn)品的需求，包括PC客戶端的Meteor Lake，并推進(jìn)先進(jìn)技術(shù)和制程模塊。 英特爾公布Intel 4制程的技術(shù)細(xì)節(jié)。對于英特爾的4年之路，Intel 4是如何達(dá)成這些效能數(shù)據(jù)？ Intel 4于鰭片間距、接點(diǎn)間距以及低層金屬間距等關(guān)鍵尺寸（Critic
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ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎(jiǎng) 長跑35年第十代即將量產(chǎn)
- 意法半導(dǎo)體（ST）宣布，電機(jī)電子工程師學(xué)會（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎(jiǎng)，表彰ST在超級整合硅閘半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)成果。ST的BCD技術(shù)可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數(shù)字開關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管，滿足高復(fù)雜度、大功率應(yīng)用的需求。多年來，BCD制程技術(shù)已賦能硬盤驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)和汽車系統(tǒng)等終端應(yīng)用獲得重大技術(shù)發(fā)展。在意法半導(dǎo)體Agrate工廠的實(shí)時(shí)／
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Intel 2013年第四季度轉(zhuǎn)向15nm制程技術(shù)?
- 在上周舉辦的IDF2009秋季開發(fā)者論壇上，Intel曾提到會在2011年下半年開始使用22nm制程技術(shù)，而其后的下一步目標(biāo)則將是15nm制程技術(shù)。而對手AMD的代工公司Globalfoundries則會在2012年啟用22nm制程技術(shù)，兩年后的2014年他們計(jì)劃轉(zhuǎn)向15nm制程。盡管有 科學(xué)家聲稱15nm制程技術(shù)尚處在研發(fā)階段，有關(guān)的制造工具甚至都還沒有開發(fā)出來，不過按照Intel“tick-tock”的進(jìn)程推算，預(yù)計(jì)Intel 啟用15nm制程技術(shù)的年份會在2013年左右。
- 關(guān)鍵字： Intel 15nm 22nm 制程技術(shù)
臺積電0.18微米晶圓制程技術(shù)登陸案獲準(zhǔn)
- 臺灣“經(jīng)濟(jì)部投審會”委員會議 通過臺灣積體電路制造股份有限公司申請將其上海廠晶圓制程技術(shù)提升為零點(diǎn)一八微米以上申請案。這是臺灣方面去年底開放零點(diǎn)一八微米晶圓制程登陸后首宗獲準(zhǔn)投資案。 “中央社”報(bào)道，臺灣有關(guān)方面去年底宣布開放零點(diǎn)一八微米晶圓制程赴大陸投資，唯一獲準(zhǔn)在大陸投資設(shè)立八吋、零點(diǎn)二五微米晶圓廠的臺積電率先提出提升制程申請。 臺積電早于二00五年一月即向當(dāng)局提出赴大陸投資零點(diǎn)一八微米制程申請，當(dāng)局直至去年底政策才正式松綁。臺積電遂補(bǔ)件申請。 二十日
- 關(guān)鍵字： 0.18微米晶圓 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng) 臺積電 制程技術(shù) 其他IC 制程
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