光刻行業(yè)遭雙重打擊 下一代技術(shù)面臨難題

• 　　曾經(jīng)看來大有希望的遠(yuǎn)紫外(EUV)光刻技術(shù)面臨著重重困難，193納米沉浸式技術(shù)似乎成為了必然的選擇，但成本高昂，而且很難延伸到16納米節(jié)點(diǎn)以下。半導(dǎo)體光刻工藝正面臨著技術(shù)和成本方面的雙重壓力。  　　半導(dǎo)體光刻工藝面臨技術(shù)和成本壓力  　　光刻行業(yè)正遭到雙重打擊：對用于集成電路生產(chǎn)的遠(yuǎn)紫外光刻技術(shù)而言，機(jī)會窗口在慢慢關(guān)閉；而最有希望的一項(xiàng)替代技術(shù)即193納米沉浸式光刻技術(shù)卻成本高昂，于是行業(yè)陷入一片混亂當(dāng)中。成本增加會對芯片尺寸的繼續(xù)縮小帶來嚴(yán)重的影響。  　　在近期國際
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