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            低vcesat晶體管 文章 進入低vcesat晶體管技術社區(qū)

            NXP發(fā)布最新一代低VCEsat晶體

            • 恩智浦半導體發(fā)布了最新一代低VCEsat晶體管,與普通晶體管相比,其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS(小信號擊穿)晶體管具有超低飽和電壓(1安培時低于60毫瓦)、高電路效率和更低的能源消耗,并能減少便攜式電池供電產(chǎn)品(如筆記本電腦、PDA和數(shù)碼相機)的發(fā)熱量。先進的BISS雙極晶體管還可用于需要低等效導通電阻的工業(yè)及汽車領域。 華碩公司研發(fā)處主任鄭慶福表示:“卓越的節(jié)能性能是華碩科技(ASUSTek)非常關注的一項重要性能,也是我們獲得世界首個筆記本電腦TCO’99認證的關鍵因素。通過與恩智浦
            • 關鍵字: 低VCEsat晶體管  電源技術  模擬技術  
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            低vcesat晶體管介紹

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