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低功耗dct
低功耗dct 文章 進(jìn)入低功耗dct技術(shù)社區(qū)
一種基于位寬調(diào)節(jié)的低功耗DCT電路設(shè)計(jì)*
- 本文提出了一種基于位寬調(diào)節(jié)的低功耗離散余弦變換（DCT）電路設(shè)計(jì)。該方案利用了DCT的能量集中特性，在近似DCT的基礎(chǔ)上重新設(shè)計(jì)了近似系數(shù)并對(duì)其位寬進(jìn)行調(diào)節(jié)，借此減小了高頻輸出中間運(yùn)算的位寬，降低了運(yùn)算的復(fù)雜度。在0.18 um的CMOS工藝下實(shí)現(xiàn)該電路，仿真結(jié)果顯示相較于傳統(tǒng)DCT，提出的結(jié)構(gòu)在面積上減小了36.0%, 功耗上降低了62.6%，但PSNR只損失了4.3 dB。同時(shí)，與其他的近似DCT相比，提出的結(jié)構(gòu)具有顯著更低的功耗，能夠滿足一些低功耗場(chǎng)合的要求。
- 關(guān)鍵字： 低功耗DCT 位寬調(diào)節(jié) 近似計(jì)算 能量集中特性 202009
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低功耗dct介紹
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