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            引入負(fù)反饋的一般有哪些原則

            • 引入負(fù)反饋的一般有哪些原則?實(shí)用放大電路引入負(fù)反饋的目的是為了穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)和改善動(dòng)態(tài)性能。不同組態(tài) ...
            • 關(guān)鍵字:   模擬電路  模擬芯片  德州儀器  放大器  ADI  模擬電子  

            模擬萬(wàn)用表和數(shù)字萬(wàn)用表在測(cè)二極管、三極管和電容時(shí)的應(yīng)用并比較

            • 模擬萬(wàn)用表和數(shù)字萬(wàn)用表在測(cè)二極管、三極管和電容時(shí)的應(yīng)用并比較。模擬萬(wàn)用表(電流黑出紅入)1) 測(cè)二極管正負(fù) ...
            • 關(guān)鍵字:   模擬電路  模擬芯片  德州儀器  放大器  ADI  模擬電子  

            放大電路的主要性能指標(biāo)

            • 放大電路的主要性能指標(biāo)?答:放大電路的性能指標(biāo)是徇它的品質(zhì)優(yōu)劣的標(biāo)準(zhǔn)并決定其適用范圍。1、 輸入電阻輸入 ...
            • 關(guān)鍵字:   模擬電路  模擬芯片  德州儀器  放大器  ADI  模擬電子  

            軟起動(dòng)器基礎(chǔ)問(wèn)答十例

            • 1.什么是軟起動(dòng)器?它與變頻器有什么區(qū)別?  軟起動(dòng)器是一種集電機(jī)軟起動(dòng)、軟停車(chē)、輕載節(jié)能和多種保護(hù)功能于 ...
            • 關(guān)鍵字:   模擬電路  模擬芯片  德州儀器  放大器  ADI  模擬電子  

            場(chǎng)效應(yīng)三極管詳細(xì)介紹

            • 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載 ...
            • 關(guān)鍵字:   模擬電路  模擬芯片  德州儀器  放大器  ADI  模擬電子  

            mos場(chǎng)效應(yīng)管工作原理

            • 場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET))簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載 ...
            • 關(guān)鍵字:   模擬電路  模擬芯片  德州儀器  放大器  ADI  模擬電子  

            VMOS場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法

            • VMOS場(chǎng)效應(yīng)管(VMOSFET)簡(jiǎn)稱(chēng)VMOS管或功率場(chǎng)效應(yīng)管,其全稱(chēng)為V型槽MOS場(chǎng)效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來(lái)的高 ...
            • 關(guān)鍵字:   模擬電路  模擬芯片  德州儀器  放大器  ADI  模擬電子  

            電路基礎(chǔ)

            • 1、 模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào):  電子技術(shù)所處理的對(duì)象是載有信息的電信號(hào),按信號(hào)的特點(diǎn)不同分為兩大類(lèi),即模擬信 ...
            • 關(guān)鍵字:   模擬電路  模擬芯片  德州儀器  放大器  ADI  模擬電子  

            邏輯門(mén)電路的識(shí)別分類(lèi)及測(cè)量

            • 邏輯門(mén)電路的識(shí)別分類(lèi)及測(cè)量一、 符號(hào):                          A,B為輸入端,Y為輸出 ...
            • 關(guān)鍵字:   模擬電路  模擬芯片  德州儀器  放大器  ADI  模擬電子  

            二極管的識(shí)別分類(lèi)及測(cè)量

            晶振的識(shí)別分類(lèi)及測(cè)量

            電感器的識(shí)別分類(lèi)及測(cè)量

            • 電感器的識(shí)別分類(lèi)及測(cè)量一、單位:亨利簡(jiǎn)稱(chēng)“亨”(H)      1H=103mH=106uH符號(hào):  “L”         ...
            • 關(guān)鍵字:   模擬電路  模擬芯片  德州儀器  放大器  ADI  模擬電子  

            電容的識(shí)別分類(lèi)及測(cè)量

            • 電容的識(shí)別分類(lèi)及測(cè)量一、單位:法拉(F)    1F=103mF=106uF=109nF=1012pF   符號(hào):  “C、TC、MC、EC”    ...
            • 關(guān)鍵字:   模擬電路  模擬芯片  德州儀器  放大器  ADI  模擬電子  

            電阻器的識(shí)別分類(lèi)及測(cè)量

            可控硅的工作原理及基本特性

            • 1、可控硅元件的工作原理可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個(gè)PN結(jié),分析原理時(shí),可以把它看作由一個(gè)PNP ...
            • 關(guān)鍵字:   模擬電路  模擬芯片  德州儀器  放大器  ADI  模擬電子  
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            亞德諾 adi介紹

            您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條亞德諾 adi!
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