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            直流和脈沖電鍍Cu互連線的性能比較
            
                                                            
              
                    	
            • 針對先進納米Cu互連技術(shù)的要求，比較了直流和脈沖兩種電鍍條件下Cu互連線的性能以及電阻率、織構(gòu)系數(shù)、晶粒大小和表面粗糙度的變化。實驗結(jié)果表明，在相同電流密度條件下，脈沖電鍍所得cu鍍層電阻率較低，表面粗糙度較小，表面晶粒尺寸和晶粒密度較大，而直流電鍍所得鍍層(111)晶面的擇優(yōu)程度優(yōu)于脈沖。在超大規(guī)模集成電路Cu互連技術(shù)中，脈沖電鍍將有良好的研究應(yīng)用前景。
              • 
                    	                        
            • 關(guān)鍵字：
                        直流  脈沖電鍍  互連線  性能比較                            
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            集成電路Cu互連線的XRD研究
            
                                                            
              
                    	
            • 對硫酸鹽體系中電鍍得到的Cu鍍層，使用XRD研究不同電沉積條件、不同襯底和不同厚度鍍層的織構(gòu)情況和擇優(yōu)取向。對比了直流電鍍和脈沖電鍍在有添加劑和無添加劑條件下的織構(gòu)情況。實驗結(jié)果表明，對于在各種條件下獲得的lμm Cu鍍層，均呈現(xiàn)(111)晶面擇優(yōu)，這樣的鍍層在集成電路Cu互連線中有較好的抗電遷移性能。
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            • 關(guān)鍵字：
                        XRD  集成電路  互連線                            
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	共2條
	1/1															1								
	
            
		                
            
	               	
            
                
            
        	
            
            
            
        
            
	
            
	
            
  		
            
    		
            
      			
            
          			
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