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            北大課題組:高性能二維半導體新材料展現(xiàn)出優(yōu)異性能

            •   半導體材料是電子信息產(chǎn)業(yè)的基石。目前,隨著晶體管特征尺寸的縮小,由于短溝道效應等物理規(guī)律和制造成本的限制,主流硅基材料與CMOS(互補金屬氧化物半導體)技術正發(fā)展到10納米工藝節(jié)點而很難提升,摩爾定律可能終結。   因此,開發(fā)新型高性能半導體溝道材料和新原理晶體管技術,是科學界和產(chǎn)業(yè)界近20年來的主流研究方向之一。在眾多CMOS溝道材料體系中,相比于一維納米線和碳納米管,高遷移率二維半導體的器件加工與傳統(tǒng)微電子工藝兼容更好,同時其超薄平面結構可有效抑制短溝道效應,被認為是構筑后硅時代納電子器件和數(shù)字
            • 關鍵字: 二維半導體  

            臺大研發(fā)零缺陷半導體材料 登國際期刊

            •   傳統(tǒng)上,當半導體材料越薄,其缺陷對于電子、光電元件的效能就有越嚴重的影響,一直是難以突破的困境。臺灣大學跨國團隊研發(fā)出獨步全球的零缺陷半導體材料,透過“修復缺陷”簡單方法,讓單層二維半導體材料能達到零缺陷等級,可提升LED發(fā)光效能100倍。上月研究刊登在“科學”《Science》期刊?! 《S半導體材料具有特殊的電子傳導、光學、機械特性,可整合于現(xiàn)今半導體元件制程,被學界認為有很大潛力取代傳統(tǒng)矽材原料,其中中二硫化鉬(MoS2)是最熱門的半導體二維材料之一,但以目前合成制備技術,二維材料的缺陷密度還是
            • 關鍵字: 半導體  二維半導體  

            導體所等在二維半導體異質(zhì)結研究中取得新進展

            •   近日,中科院半導體所超晶格國家重點實驗室博士生康俊,在李京波研究員、李樹深院士和夏建白院士的研究團隊中,與美國勞倫斯伯克利國家實驗室(LBNL)汪林望博士研究組合作,在二維半導體異質(zhì)結的基礎研究中取得新進展。相關成果發(fā)表在9月30日美國化學學會主辦的《納米快報》(Nano Letters)上。   半導體異質(zhì)結是由不同半導體材料接觸形成的結構。由于構成異質(zhì)結的兩種半導體材料擁有不同的禁帶寬度、電子親和能、介電常數(shù)、吸收系數(shù)等物理參數(shù),異質(zhì)結將表現(xiàn)出許多不同于單一半導體材料的性質(zhì)。在傳統(tǒng)半導體領域,以
            • 關鍵字: 二維半導體  導體異質(zhì)結  
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            二維半導體介紹

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