二硫化鉬文章進(jìn)入二硫化鉬技術(shù)社區(qū)

重磅消息！美國(guó)芯片實(shí)現(xiàn)重大突破，有望引領(lǐng)新一輪的技術(shù)革命！

近日，美國(guó)麻省理工學(xué)院（MIT）的研究團(tuán)隊(duì)取得了一項(xiàng)重大突破，他們開(kāi)發(fā)出了一種全新的技術(shù)，可以將低溫生長(zhǎng)區(qū)與高溫硫化物前體分解區(qū)分離，并通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法，在低于300℃的溫度下合成二維材料。這項(xiàng)技術(shù)可以直接在8英寸的二硫化鉬薄膜CMOS晶圓上生長(zhǎng)，從而實(shí)現(xiàn)更高層次的芯片建造。這項(xiàng)技術(shù)的意義非常重大，如果成熟并得到廣泛應(yīng)用，將會(huì)引領(lǐng)新一輪的技術(shù)革命。人工智能和機(jī)器人技術(shù)將會(huì)迅速發(fā)展，賽博朋克世界或許也會(huì)很快到來(lái)。為什么這項(xiàng)技術(shù)如此重要呢？首先，我們需要了解芯片在現(xiàn)代社會(huì)中扮演著什么樣的角色。芯片是
關(guān)鍵字： MIT 二硫化鉬

據(jù)報(bào)道，麻省理工學(xué)院的研究團(tuán)隊(duì)最近成功開(kāi)發(fā)出了一種基于二硫化鉬的原子級(jí)薄晶體管，這個(gè)突破將對(duì)芯片技術(shù)的發(fā)展產(chǎn)生重大影響。傳統(tǒng)的半導(dǎo)體芯片是由塊狀材料制成，呈方形的3D結(jié)構(gòu)，將多層晶體管堆疊起來(lái)實(shí)現(xiàn)更密集的集成非常困難。而這種原子級(jí)的薄晶體管則由超薄的二維材料制成，每個(gè)晶體管只有3個(gè)原子厚，可以堆疊起來(lái)制造更強(qiáng)大的芯片。這項(xiàng)技術(shù)的突破將有望推動(dòng)芯片技術(shù)的發(fā)展進(jìn)入一個(gè)新的階段，突破摩爾定律的天花板，為高性能計(jì)算、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域帶來(lái)重大影響。此外，這種技術(shù)還可以為柔性電子設(shè)備、可穿戴技術(shù)和智能紡織品等領(lǐng)
關(guān)鍵字：二硫化鉬 MIT

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