SK 海力士加大環(huán)保投入，在芯片生產工藝中使用氟氣替代三氟化氮

• 7 月 25 日消息，SK 海力士宣布將在芯片生產清洗工藝中使用更環(huán)保的氣體 —— 氟氣（F2）。SK 海力士 2024 可持續(xù)發(fā)展報告顯示，該公司原先將三氟化氮（NF3）用于芯片生產過程中的清洗工藝，用于去除沉積過程中腔室內部形成的殘留物，其全球變暖潛能值（GWP）顯著高于氟氣（NF3的 GWP 為 17200，而 F2為 0）。除此之外，SK 海力士還進一步增加了氫氟酸（HF）的使用量（可用于低溫蝕刻設備），該氣體的 GWP 為 1 甚至更低，遠低于過去用于 NAND 通道孔蝕刻的氟碳氣體。
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