三星(samsung) 文章 進(jìn)入三星(samsung)技術(shù)社區(qū)
三星驚爆侵權(quán) 哈佛大學(xué)怒提告
- 韓三星電子今年第2季半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收超車臺積電，時隔2年重回半導(dǎo)體王者寶座。不過據(jù)外媒報導(dǎo)，美國知名學(xué)府哈佛大學(xué)指控三星在微處理器與內(nèi)存芯片領(lǐng)域侵犯了其2項專利，相關(guān)技術(shù)還涉及三星多款手機(jī)。綜合路透社等外媒報導(dǎo)，三星已遭哈佛大學(xué)在德州聯(lián)邦法院起訴。哈佛大學(xué)指控，三星生產(chǎn)微處理器與內(nèi)存芯片的技術(shù)侵犯了該?；瘜W(xué)教授Roy Gordon與其他4位發(fā)明人在2009年與2011年獲得的專利，這4人曾是Roy Gordon教授實驗室的博士后或研究生。哈佛大學(xué)的律師在訴狀中宣稱，三星未經(jīng)授權(quán)在其微芯片、智能型手機(jī)與半導(dǎo)體
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三星8層堆疊HBM3E已通過英偉達(dá)所有測試，預(yù)計今年底開始交付
- 三星去年10月就向英偉達(dá)提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過一直沒有通過英偉達(dá)的測試。此前有報道稱，已從多家供應(yīng)鏈廠商了解到，三星的HBM3E很快會獲得認(rèn)證，將在2024年第三季度開始發(fā)貨。據(jù)The Japan Times報道，三星的HBM3E終于通過了英偉達(dá)的所有測試項目，這將有利于其與SK海力士和美光爭奪英偉達(dá)計算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達(dá)還沒有最終確定供應(yīng)協(xié)議，但是問題不大，預(yù)計今年底開始交付。值得一提的是，三星還有更先進(jìn)的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品
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公司 8 層 HBM3E 芯片已通過英偉達(dá)測試？三星回應(yīng)稱并不屬實
- IT之家 8 月 7 日消息，今天早些時候路透社報道稱，三星的 8 層 HBM3E 芯片已通過英偉達(dá)測試?，F(xiàn)據(jù)韓媒 BusinessKorea 報道，三星電子回應(yīng)稱該報道并不屬實。對于這一傳聞，三星明確回應(yīng)稱：“我們無法證實與客戶相關(guān)的報道，但該報道不屬實。”此外，三星電子的一位高管表示，目前 HBM3E 芯片的質(zhì)量測試仍在進(jìn)行中，與上月財報電話會議時的情況相比沒有任何變化。此前路透社的報道稱，三星的 8 層 HBM3E 芯片已經(jīng)通過英偉達(dá)的測試，并將于第四季度開始供貨。IT之家注意到
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外媒：三星推出超薄型手機(jī)芯片LPDDR5X DRAM
- 8月7日消息，隨著移動設(shè)備功能的不斷增強(qiáng)，對內(nèi)存性能和容量的要求也日益提高。據(jù)外媒gsmarena報道，三星電子近日宣布，公司推出了業(yè)界最薄的LPDDR5X DRAM芯片。這款12納米級別的芯片擁有12GB和16GB兩種封裝選項，專為低功耗RAM市場設(shè)計，主要面向具備設(shè)備端AI能力的智能手機(jī)。gsmarena這款新型芯片的厚度僅為0.65毫米，比上一代產(chǎn)品薄了9%。三星估計，這一改進(jìn)將使其散熱性能提高21.2%。gsmarena三星通過優(yōu)化印刷電路板（PCB）和環(huán)氧樹脂封裝技術(shù)，將LPDDR5X的厚度
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三星超車臺積電 重登半導(dǎo)體王者寶座
- 在AI熱潮帶動下，不僅臺積電賺飽飽，就連臺積電創(chuàng)辦人張忠謀認(rèn)證為最大勁敵的三星電子，也受惠于AI市場的強(qiáng)勁需求，第2季半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收年增94%至28.56兆韓元，為2022年第2季后，時隔2年超車臺積電，重新登上半導(dǎo)體王者寶座。三星電子今（31）日公布第2季財報，受惠于半導(dǎo)體業(yè)務(wù)表現(xiàn)強(qiáng)勁，整體營收年增23%至74.07兆韓元，營業(yè)利益較去年同期飆升近15倍至10.44兆韓元，為2022年第3季以來首次超過10兆韓元。三星電子在7月初公布初步財報時，并未公布各項業(yè)務(wù)的具體營收，但在臺積電公布第2季營收為新臺
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三星工藝輸臺積電 還被海力士超越！芯片主管揭關(guān)鍵硬傷
- 三星芯片良率不佳，先前爆出三星在試產(chǎn)Exynos 2500處理器時，最后統(tǒng)計出的良率竟為0%。新任芯片主管全永鉉（Jun Young-hyun） 在執(zhí)掌芯片事業(yè)的幾個月后，向員工示警需停止隱瞞或回避問題，如果不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。全永鉉發(fā)備忘錄，警告員工必須改變職場文化，強(qiáng)調(diào)應(yīng)停止隱瞞或回避問題，若不改變將出現(xiàn)惡性循環(huán)。他直言，三星必須重建半導(dǎo)體特有的激烈辯論的文化，「如果我們依賴市場，沒恢復(fù)根本的競爭力，將陷入惡性循環(huán)，重蹈去年營運(yùn)的困境?！谷歉偁帉κ諷K海力士（SK Hynix）在AI內(nèi)存領(lǐng)域追趕，
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高通入門級驍龍4s Gen2發(fā)布：三星4nm、主頻2.0GHz
- 7月29日消息，高通正式發(fā)布了新款移動平臺驍龍4s Gen 2，這款芯片定位于入門級市場，采用三星4nm工藝技術(shù)。CPU為八核心設(shè)計，包括2個最高可達(dá)2.0GHz的A78內(nèi)核和6個A55內(nèi)核，最高頻率為1.8GHz。這款芯片支持Wi-Fi 5、藍(lán)牙5.1、5G NR，以及最高8400萬像素的照片拍攝和1080P 60P視頻錄制，同時兼容FHD+ 90Hz屏幕和最高2133MHz的LPDDR4X運(yùn)行內(nèi)存。與前代產(chǎn)品高通驍龍4 Gen 2相比，驍龍4s Gen 2的多項性能參數(shù)有所降低，例如CPU大核主頻從2
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SEMI日本總裁稱先進(jìn)封裝應(yīng)統(tǒng)一：臺積電、三星、Intel三巨頭誰會答應(yīng)
- 7月28日消息，SEMI日本辦事處總裁Jim Hamajima近日呼吁業(yè)界盡早統(tǒng)一封測技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，尤其是先進(jìn)封裝領(lǐng)域。他認(rèn)為，當(dāng)前臺積電、三星和Intel等芯片巨頭各自為戰(zhàn)，使用不同的封裝標(biāo)準(zhǔn)，這不僅影響了生產(chǎn)效率，也可能對行業(yè)利潤水平造成影響。目前僅臺積電、三星和Intel三家公司在先進(jìn)制程芯片制造領(lǐng)域競爭，同時隨著芯片朝著高集成度、小特征尺寸和高I/O方向發(fā)展，對封裝技術(shù)提出了更高的要求。目前，先進(jìn)封裝技術(shù)以倒裝芯片（Flip-Chip）為主，3D堆疊和嵌入式基板封裝（ED）的增長速度也非常快。HBM內(nèi)
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打破索尼壟斷！郭明錤曝iPhone 18要用三星傳感器
- 7月25日消息，分析師郭明錤表示，蘋果iPhone 18系列將會配備三星影像傳感器，屆時索尼的壟斷地位將會被打破。據(jù)悉，三星已經(jīng)成立了專門的團(tuán)隊來為蘋果提供服務(wù)，從2026年開始，三星將為蘋果出貨4800萬像素1/2.6英寸超廣角影像傳感器，打破長期以來索尼獨供的局面。有觀點認(rèn)為，作為產(chǎn)業(yè)鏈上的頭號大廠，蘋果在全球指定近千家供應(yīng)商完成零部件的生產(chǎn)任務(wù)，供應(yīng)商名單會不時更迭。蘋果管理供應(yīng)鏈有一個很常用的招數(shù)，就是習(xí)慣為每類零部件配置2個供應(yīng)商，一方面可以使供應(yīng)商互相制衡，另一方面可以拿到更優(yōu)的價格。這次蘋果
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三星通過英偉達(dá)測試內(nèi)幕：用在中國大陸產(chǎn)品
- 路透社披露，三星的高帶寬內(nèi)存芯片HBM3已經(jīng)通過英偉達(dá)認(rèn)證，將使用在符合美國出口管制措施，專為中國大陸市場設(shè)計的H20人工智能處理器上，至于更高階的HBM3E版本，尚未通過英偉達(dá)的測試。 由于SK海力士、美光及三星為HBM的主要供貨商，為了緩解緊繃的市況，并降低成本集中少數(shù)供貨商的壓力，英偉達(dá)一直很希望三星及美光能盡速通過測試，黃仁勛6月訪臺時也曾提及此事，指出剩工程上的作業(yè)需要處理，保持耐心完成工作。此外，黃仁勛也否認(rèn)媒體報導(dǎo)三星HBM出現(xiàn)過熱及功耗的問題，直言「并沒有這件事。」如今，三星
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三星搶得特斯拉車載平臺AI5訂單
- 特斯拉揭露下一代車載計算平臺，不再沿用過往的HW（Hardware）命名方式，而是直接名為AI5，凸顯其強(qiáng)大的AI特性。相較于現(xiàn)行的HW4.0平臺，AI5將帶來顯著的性能提升，外界估計，其算力將可能達(dá)到驚人的3,000-5,000 TOPS（每秒兆次運(yùn)算）。另外，據(jù)業(yè)界人士透露，AI5將采用三星的4奈米制程技術(shù)，并且可能延續(xù)使用基于Exynos-IP的設(shè)計；法人推測，恐是為成本考慮。 智駕車競賽從芯片端開始打響，過往FSD芯片委托三星代工，在三星4奈米制程良率拉升之下，馬斯克依舊將AI5交由
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拆解：三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000處理器3nm GAA工藝
- 三星最新推出的Galaxy Watch 7，繼續(xù)重新定義可穿戴技術(shù)的極限。這款最新型號承襲了其前身產(chǎn)品的成功之處，同時在性能、健康追蹤和用戶體驗方面實現(xiàn)了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實驗室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在對其進(jìn)行拆解和詳細(xì)的技術(shù)分析。敬請期待我們對Galaxy Watch 7內(nèi)部結(jié)構(gòu)的深入分析，我們將揭示這款設(shè)備在智能手表領(lǐng)域脫穎而出的原因。? Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000處理器。這款最新的Exyn
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三星于聯(lián)發(fā)科技天璣旗艦移動平臺完成其最快LPDDR5X驗證
- 三星今日宣布，已成功在聯(lián)發(fā)科技的下一代天璣旗艦移動平臺完成其最快的10.7千兆比特/秒（Gbps）LPDDR5X DRAM驗證。三星半導(dǎo)體LPDDR5X移動內(nèi)存產(chǎn)品圖此次10.7Gbps運(yùn)行速度的驗證，使用三星的16GB LPDDR5X封裝規(guī)格，基于聯(lián)發(fā)科技計劃于下半年發(fā)布的天璣9400旗艦移動平臺進(jìn)行。兩家公司保持密切合作，僅用三個月就完成了驗證。"通過與聯(lián)發(fā)科技的戰(zhàn)略合作，三星已驗證了其最快的LPDDR5X DRAM，該內(nèi)存有望推動人工智能（AI）智能手機(jī)市場，"三星電子內(nèi)存產(chǎn)
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三星 Exynos 2500 芯片被曝使用硅電容
- 7 月 17 日消息，韓媒 bloter 于 7 月 15 日發(fā)布博文，爆料稱三星計劃在 Exynos 2500 芯片中使用硅電容。注：硅電容（Silicon Capacitor）通常采用 3 層結(jié)構(gòu)（金屬 / 絕緣體 / 金屬，MIM），超薄且性狀靠近半導(dǎo)體，能更好地保持穩(wěn)定電壓以應(yīng)對電流變化。硅電容具有許多優(yōu)點，讓其成為集成電路中常用的元件之一：· 首先，硅電容的制造成本較低，可以通過批量制造的方式大規(guī)模生產(chǎn)?！?其次，硅電容具有較高的可靠性和長壽命。由于其結(jié)構(gòu)簡單，易于加工和集成，硅電容的失效率較低
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