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應(yīng)用材料預(yù)估半導(dǎo)體設(shè)備市場將保持5%的成長率
- 針對2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢，設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產(chǎn)業(yè)，晶圓代工也仍然相當(dāng)強(qiáng)勁，預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場將有持平至5%的成長幅度。
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未來幾年NAND閃存將面臨過剩隱憂
- 據(jù)iSuppli公司，由于智能手機(jī)以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到最高紀(jì)錄。 預(yù)計(jì)2010年NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機(jī)和蘋果iPad等消費(fèi)電子產(chǎn)品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長，2011年NAND閃存市場將繼續(xù)增長，盡管不及今年強(qiáng)勁。iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)明年NAND閃存市場上升25%至225億美元。
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2011年全球DRAM經(jīng)營慘淡
- 2010年對于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，可說是值得紀(jì)念的一年，拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年成長率將高達(dá)30%，創(chuàng)下10年以來新高紀(jì)錄。然而，受到PC產(chǎn)業(yè)成長趨緩影響，2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅將成長5%，移動通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長的重要動能。預(yù)估2011年移動通訊用產(chǎn)品占總體半導(dǎo)體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機(jī)等移動通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。
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NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì)
- NAND Flash的壞塊管理設(shè)計(jì),摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)方案，詳細(xì)闡述了壞塊映射表的建立、維護(hù)及其相關(guān)算法，同時(shí)分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應(yīng)用。測試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
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NAND Flash管理算法的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)
- 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁級兩級地址映射機(jī)制以及映射信息在flash的存儲定義，同時(shí)還提出了對flash的分區(qū)方法。
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三星半導(dǎo)體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存
- 三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導(dǎo)體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，三星預(yù)計(jì)于2011年初完工的半導(dǎo)體華城廠16產(chǎn)線，將于2011年下半開始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。
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固態(tài)硬盤備受NAND Flash廠商親賴
- 固態(tài)硬盤一直以來為各家NAND Flash廠商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤對于NAND Flash的使用量來說是一般內(nèi)建式應(yīng)用產(chǎn)品、隨身碟與記憶卡的數(shù)倍之多，因此對于固態(tài)硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。而從消費(fèi)者的論點(diǎn)來看，固態(tài)硬盤的傳輸速度為傳統(tǒng)硬盤的兩倍以上，同時(shí)也兼具了省電與抗震動的特點(diǎn)，因此，DRAMeXchange認(rèn)為，在未來高畫質(zhì)影音與大容量檔案傳輸?shù)男枨髮⒋蠓嵘?，對于固態(tài)硬盤的需求若能在價(jià)格有效下降至可接受的范圍將會開始提升。
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