- 在nand flash上實現(xiàn)JFFS2根文件文件系統(tǒng),JFFS2是Flash上應用最廣的一個日志結構文件系統(tǒng)。它提供的垃圾回收機制，不需要馬上對擦寫越界的塊進行擦寫，而只需要將其設置一個標志，標明為臟塊，當可用的塊數(shù)不足時，垃圾回收機制才開始回收這些節(jié)點。同時，由
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文件文件 系統(tǒng) JFFS2 實現(xiàn) flash nand
- 下代移動設備超輕超薄的特性，Samsung eMMC Pro Class 1500采用了20nm工藝規(guī)范，一塊64GB的芯片厚度僅為1.2毫米，而重量僅有0.6克。
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三星 NAND
- 標簽：NAND POS在嵌入式應用中，海量存儲密度正在以前所未有的速度增長。像便攜式媒體播放器、蜂窩電話、數(shù)碼相機、便攜式導航設備、無線網卡、閃盤這樣的消費產品由于需要處理越來越多的多媒體內容而要求更高的海量
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閃存 海量 存儲 NAND 實現(xiàn) 應用 選擇 嵌入式
- Linux NAND FLASH驅動代碼分析,FLASH驅動在嵌入式系統(tǒng)中有著舉足輕重的位置，而目前市場上NAND flash的價格又要便宜與NOR FLASH,隨著越來越多的平臺支持從NAND FLASH中啟動，掌握NAND flash的驅動編寫有著重要的現(xiàn)實意義，由于內核已經完成了大部分
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代碼 分析 驅動 FLASH NAND Linux
- 訊 7月24日消息，據(jù)路透社報道，東芝公司周二稱，將下調NAND閃存芯片30%產能。這凸顯了芯片市場供應狀況的挑戰(zhàn)性，該公司的股價也因而出現(xiàn)下挫。
東芝表示，由于U盤和存儲卡的芯片供過于求，它將削減其在日本西部的四日市工廠的產能。
資產管理公司Religare Global Asset Management高級科技分析師大衛(wèi)·莫托佐·魯本斯藤(David Motozo Rubenstein)說道，“他們的產能下調幅度讓我有點意外。大家都知道該類芯片的
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東芝 NAND
- 如何讓U-boot實現(xiàn)Nand/Nor 雙啟動,在做u-boot移植的時候，多數(shù)人使用的是Nand flash啟動或Nar Flash啟動。這樣u-boot就只能在Nand flash或Nor flash。那么我們如何讓我們的u-boot在Nand flash或Nor flash都能使用。首先，我們說說u-boot,u-boot是系統(tǒng)
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啟動 Nand/Nor 實現(xiàn) U-boot 如何
- 當全球看好固態(tài)硬盤(SSD)是NAND Flash下一個殺手級應用的同時，手機內建NAND Flash內存的應用(嵌入式SSD)卻搶先一步成為NAND Flash應用的新焦點。目前最普遍的嵌入式SSD的接口規(guī)格為eMMC，是手機內建儲存方案的新標
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應用 焦點 Flash NAND 嵌入式 SSD 手機
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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DSP Flash NAND 存儲管理
- 最近，嵌入式閃存解決方案的主要廠商之一Spansion宣布推出其首個單層單元（SLC）系列NAND閃存產品。至此，Spansion公司的嵌入式閃存產品可大致分為以下三個系列：首要突出閃存性能的GL-S系列并行NOR閃存，注重降低系統(tǒng)成本的FL-S系列串行NOR閃存，以及此次推出的大容量SLC NAND閃存。
嵌入式產品無處不在，因而對嵌入式存儲的需求也十分廣泛。不管是車載信息娛樂系統(tǒng)，還是電視機頂盒，抑或是通信基礎設備，都會用到嵌入式閃存。
隨著科技的不斷發(fā)展，消費者對用在
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Spansion SLC NAND
- 日本DRAM大廠爾必達（Elpida）今年2月召開董事會，向東京地方法院提出更生程序并獲受理，子公司秋田爾必達（封測廠）亦同時申請公司更生程序。爾必達此舉引發(fā)產業(yè)不小震撼，也連帶的對相關上下游產業(yè)產生相當?shù)臎_擊
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DRAM NAND
- 摘要：針對MPEG4格式壓縮的視頻數(shù)據(jù)，給出了采用NAND FLASH為存儲介質，以FPGA為存儲陣列的控制器，并用DSF作為數(shù)據(jù)處理的核心單元，來完成大容量視頻數(shù)據(jù)存儲的系統(tǒng)設計方法，同時對壞塊的檢測處理等關鍵問題提出了
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存儲 系統(tǒng) 設計 視頻 大容量 NAND FLASH 基于
- 2012年5月28日，中國上海 – 嵌入式市場閃存解決方案的創(chuàng)新領軍者Spansion公司（紐約證交所代碼：CODE）今日宣布其首個單層單元(SLC)系列Spansion® NAND閃存產品開始出樣。這一最新SLC NAND閃存產品采用4x nm浮柵技術，專門用于汽車、消費及網絡應用的數(shù)據(jù)存儲需求。Spansion SLC NAND將分為3.0V和1.8V兩個系列，存儲容量在1 Gb到8 Gb之間，該產品性能更為出色、溫度范圍更廣、享有長期技術支持并且符合嚴格的可靠性要求，例如1位
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Spansion NAND 閃存
- IMFT使用的先進工藝可以顯著地改變消費電子產品的設計和使用方式。這些高密度、高性能閃存器件使得Intel支持的Robson閃存緩存技術以及混合SSD/HD系統(tǒng)(受到微軟、Sandisk和希捷的支持)得以實現(xiàn)。這些技術很可能出現(xiàn)在
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表象 技術 細節(jié) 閃存 NAND 16Gb MLC 解密
- 基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng)設計,引言
傳統(tǒng)的存儲設備雖然具有價格低廉的優(yōu)勢，但是在高溫、高速、高沖擊的測試環(huán)境中，往往存在設備存放空間有限、測試參數(shù)較多、采集速率高、環(huán)境復雜等因素。為了得到準確的測試數(shù)據(jù)，對存儲設備的性能也提出
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系統(tǒng) 設計 存儲 數(shù)據(jù) NAND Flash 基于
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