?nand 文章 進入?nand技術(shù)社區(qū)
中國NAND閃存市場占全球1/3
- 相對于舊式 HDD 硬盤的式微，NAND 閃存及 SSD 固態(tài)硬盤的發(fā)展就成了儲存市場的潮流風向。不論是在移動設(shè)備、個人電腦、或是數(shù)據(jù)中心等市場上都在快速成長。而目前因為中國已經(jīng)成為 NAND 閃存的最大市場，而 SSD 固態(tài)硬盤也是成長最快的市場。因此，也吸引了各家中國本土廠商的競相投入。 在NAND 閃存的市場部分，根據(jù) TrendForce 旗下的 DRAMeXchange 的最新研究報告顯示，中國市場消耗的 NAND 閃存越來越多，2017 年將占到全球市占率的 30% ，而到了 202
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
儲存技術(shù)不斷演進 NAND Flash僅是開端
- 在進展緩慢的儲存技術(shù)世界里，NAND Flash的普及速度算是極快，幾乎每種儲存產(chǎn)品都有其足跡，最主要原因就是速度。據(jù)TechTarget報導，NAND Flash剛推出時是市場上最昂貴的儲存裝置，后來供應(yīng)商發(fā)現(xiàn)只要加入相對小量的快閃存儲器，便可以大幅提升效能以快閃存儲器技術(shù)為基礎(chǔ)的儲存裝置也開始大受歡迎。 由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開發(fā)的3D XPoint技術(shù)，以及IBM根據(jù)相變化存儲器(Phase Change Memory)修正后開發(fā)的新型態(tài)儲存裝置，在速度、耐用性和重
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
Toppan Photomasks, Inc批準在中國建設(shè)先進光掩模生產(chǎn)線項目
- 全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準對近期擴建的中國上海廠的下一階段投資計劃;該廠由TPI獨資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運營。TPI將對此工廠再投資8000萬美元以展現(xiàn)其對中國快速成長的半導體產(chǎn)業(yè)及客戶之長期承諾。TPI先前已投資2000萬美元擴建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現(xiàn)已量產(chǎn)并且為中國唯一提供全方位技術(shù)及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠。
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
美光科技推出適用于下一代智能手機的移動 3D NAND 解決方案
- 美光科技有限公司今日推出了首項適用于移動設(shè)備的 3D NAND 存儲技術(shù)，并推出了基于通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標準的首批產(chǎn)品。美光的首項移動 3D NAND 32GB 解決方案主要面向中高端智能手機細分市場，這一細分市場大約占據(jù)全球智能手機總量的 50%[1]。隨著移動設(shè)備替代個人電腦成為消費者的主要計算設(shè)備，用戶行為對設(shè)備的移動內(nèi)存和存儲要求產(chǎn)生了極大影響。美光的移動 3D NAND 解決了這些問題，實現(xiàn)了無與倫比的用戶體驗，包括流暢傳輸高分辨率視頻、更高的游戲帶寬、更快的啟動時間、更好的
- 關(guān)鍵字： 美光 NAND
面對大陸攻勢 三星海力士強化3D NAND投資
- 據(jù)韓國經(jīng)濟報導，大陸半導體產(chǎn)業(yè)在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導體業(yè)者也紛紛強化投資。 市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導體市場中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權(quán)收購，成立長江存儲科技有限責任公司，未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。 清華紫光擁有清華大學的人脈，在社會上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
- 關(guān)鍵字： 三星 3D NAND
三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND
- 上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。 SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術(shù)演進，成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
東芝超車失敗：三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND
- 上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。 SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術(shù)演進，成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉(zhuǎn)向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
英特爾大連55億美元非易失性存儲項目提前投產(chǎn)
- 經(jīng)過8個多月的努力，英特爾大連非易失性存儲制造新項目7月初實現(xiàn)提前投產(chǎn)。7月25日，記者在英特爾半導體(大連)有限公司廠區(qū)內(nèi)看到，1000多名英特爾員工和來自全世界的數(shù)千名項目建設(shè)供應(yīng)商員工，正井然有序地忙碌著，他們的共同目標只有一個：全力加速非易失性存儲制造新項目的量產(chǎn)步伐。 去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設(shè)為世界上最先進的非易失性存儲器制造工廠。該項目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開放以來最大的外資項目。此前的2010年，作為英特爾在亞洲
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND
?nand介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條?nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對?nand的理解，并與今后在此搜索?nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對?nand的理解，并與今后在此搜索?nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
?nand電路
?nand相關(guān)帖子
?nand資料下載
?nand專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473