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淺談因電遷移引發(fā)的半導體失效
- 前言半導體產品老化是一個自然現(xiàn)象，在電子應用中，基于環(huán)境、自然等因素，半導體在經過一段時間連續(xù)工作之后，其功能會逐漸喪失，這被稱為功能失效。半導體功能失效主要包括：腐蝕、載流子注入、電遷移等。其中，電遷移引發(fā)的失效機理最為突出。技術型授權代理商Excelpoint世健的工程師Wolfe Yu在此對這一現(xiàn)象進行了分析。?1、?背景從20世紀初期第一個電子管誕生以來，電子產品與人類的聯(lián)系越來越緊密，特別是進入21世紀以來，隨著集成電路的飛速發(fā)展，人們對電子產品的需求也變得愈加豐富。隨著電子
- 關鍵字： 電遷移 半導體失效 世健 Microchip Flash FPGA
一季度 NAND Flash合約價預計上漲15%-20%
- 供應商為了盡量減少損失，正在推高 NAND Flash 價格。
- 關鍵字： NAND Flash
閃存芯片將掀起新一輪漲價潮
- 2023 下半年，以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲器報價逐步止跌回升。近期，NOR Flash 也呈現(xiàn)出明顯的回暖態(tài)勢，供應鏈人士透露，2024 年 1 月，預計 NOR Flash 價格將上漲 5%，并保持上漲態(tài)勢，到第二季度，漲幅將達到 10%。過去幾年，隨著整個半導體市場的變化，NOR Flash 的供需和價格也是起起落落。2018 年，NOR Flash 市場需求較為疲軟，而供貨商的產能卻在持續(xù)提升，導致當年的價格進入下行周期。經過一年的低迷期后，NOR Flash 價格在 2
- 關鍵字： NOR Flash
預估2024年第一季NAND Flash合約價平均季漲幅15~20%
- 據TrendForce集邦咨詢研究顯示，盡管適逢傳統(tǒng)淡季需求呈現(xiàn)下降趨勢，但為避免缺貨，買方持續(xù)擴大NAND Flash產品采購以建立安全庫存水位，而供應商為減少虧損，對于推高價格勢在必行，預估2024年第一季NAND Flash合約價季漲幅約15~20%。值得注意的是，NAND Flash原廠為減少虧損而急拉價格漲幅，但由于短期內漲幅過高，需求腳步卻跟不上，后續(xù)價格上漲仍需仰賴Enterprise SSD拉貨動能恢復。2024年第一季供應商的投產步伐不一，隨著部份供應商產能利用率提早拉升
- 關鍵字： NAND Flash TrendForce
DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息，根據韓媒 ETNews 報道，三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。三星計劃投資 27 萬億韓元（IT之家備注：當前約 1482.3 億元人民幣），比 2023 年投資預算增加 25%；而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元（當前約 290.97 億元人民幣），比今年的投資額增長 100%。報道中指出，三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外，還提高了 2024 年的產能目標。報道稱三星將 DRAM 和 NAND
- 關鍵字： 存儲 DRAM NAND Flash
集邦咨詢稱 2024Q1 手機 DRAM、eMMC / UFS 均價環(huán)比增長 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨詢近日發(fā)布報告，預估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）環(huán)比增長 18-23%，而且不排除進一步拉高的情況。集邦咨詢表示 2024 年第 1 季中國智能手機 OEM 的生產規(guī)劃依然穩(wěn)健，由于存儲器價格漲勢明確，帶動買方積極擴大購貨需求，以建設安全且相對低價的庫存水位。集邦咨詢認為買賣雙方庫存降低，加上原廠減產效應作用，這兩大因素促成這一波智能手機存儲器價格的強勁漲勢。集邦咨詢認為明年第 1 季
- 關鍵字： 存儲 DRAM NAND Flash
明年半導體暴增20%，哪些賽道市場回暖？
- 今年的半導體可謂寒風瑟瑟，市場下滑的消息從年頭傳到年尾，半導體企業(yè)也疲于應對蕭瑟的市場環(huán)境，不斷傳出減產、虧損的消息。熬過冬就是春，最近的半導體市場總算是迎來了一些好消息。IDC 最新的預測，認為半導體市場已經觸底，明年開始半導體將會加速恢復增長。在它的預測中，2023 年全球半導體市場收入從 5188 億美元上調至 5265 億美元，2024 年收入預期也從 6259 億美元上調至 6328 億美元。到明年，全球半導體收入將同比增長 20.2%。IDC 全球半導體供應鏈技術情報研究經理 Rudy Tor
- 關鍵字： NAND flash 射頻前端 CPU 模擬芯片
300層之后，3D NAND的技術路線圖
- 開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
- 關鍵字： 3D NAND
一文看懂TSV技術
- 前言從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構建的，TSV是首字母縮寫，TSV（Through Silicon Via）中文為硅通孔技術。它是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質的填充，實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互聯(lián)，這項技術是目前唯一的垂直電互聯(lián)技術，是實現(xiàn)3D先進封裝的關鍵技術之一。在本文中，我們將告訴您它們是什么，它們如何工作以及它們的用途。在2000年的第一個月，Santa Clara Universi
- 關鍵字： 芯片 TSV HBM NAND 先進封裝
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