?nand flash 文章 進入?nand flash技術社區(qū)
不怕虧錢，未來十年長江存儲持續(xù)增加研發(fā)投入
- 對于一個多月前在美國圣克拉拉召開的全球閃存峰會上發(fā)布的突破性技術Xtacking，長江存儲執(zhí)行董事長高啟全接受中國證券報記者專訪表示，該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市周期。未來十年，長江存儲將持續(xù)增加研發(fā)投入。 制程的兩大難點 中國證券報：3D NAND制造工藝的難點在哪些地方? 高啟全：3D NAND的困難點在于一層層疊上去的時候需要打洞把每一層連接起來，層數越多需要打的洞就越多，每一個單位都要打洞，數量可達幾百萬個。必須保證做到垂直地
- 關鍵字： 長江存儲，NAND
NAND閃存大科普
- 在半導體業(yè)，有非常多與接口標準、性能規(guī)格、功能特性和設計的真實可能性有關聯(lián)的假設、術語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關于NAND閃存的錯誤觀念?！ ≡谑褂闷诘男阅芎愣??！ 」虘B(tài)硬盤(SSD)寫入數據愈多，特別是隨機數據，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實際的讀取或寫入處理可以為應用于交叉存取后臺管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對于在內部存儲器或硬件加速器方面資源較少的廉價控制器，可能會表現差勁，不是導致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降。 隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見
- 關鍵字： NAND UFS
晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅動，中國晶圓代工產能將于2020年達到全球20%份額
- 近日國際半導體產業(yè)協(xié)會SEMI公布了最新的中國集成電路產業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報告，報告顯示，中國前端晶圓廠產能今年將增長至全球半導體晶圓廠產能的16%，到2020年，這一份額將增加到20%。受跨國公司和國內公司存儲和代工項目的推動，中國將在2020年的晶圓廠投資將以超過200億美元的支出，超越世界其他地區(qū)，占據首位?！ ?014年中國成立大基金以來，促進了中國集成電路供應鏈的迅速增長，目前已成為全球半導體進口最大的國家市場。SEMI指出，目前中國正在進行或計劃開展25個新的晶圓廠建設項目，代工廠、DRAM和3D
- 關鍵字： 晶圓 DRAM 3D NAND
?nand flash介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條?nand flash!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對?nand flash的理解，并與今后在此搜索?nand flash的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對?nand flash的理解，并與今后在此搜索?nand flash的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
?nand flash電路
?nand flash相關帖子
?nand flash資料下載
?nand flash專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473