- 據(jù)消息人士透露，包括韓國三星電子、德國英飛凌和韓國海力士半導體在內的10家存儲芯片制造商，本周可能面臨歐盟就非法定價祭出的罰款。上述消息人士稱，“預計周三將做出罰款的決定”，“總罰款金額可能達3億歐元(3.81億美元)，若無和解程序，罰款金額會更高”。
這是根據(jù)歐盟執(zhí)委會2008年7月提出的新和解程序所做的第一項裁決，根據(jù)該程序，坦承聯(lián)合阻礙競爭的企業(yè)可減少10%的罰金。
其他受罰企業(yè)包括美國美光、日本爾必達、NEC電子、日立、東芝、三菱電機
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三星電子 存儲芯片
- 三星電子在16號半導體生產線開工儀式上表示，2010年整體投資將達到26兆韓元。該生產線位于韓國華城，將主要用于生產下一代存儲產品，2011年建成投產后預計能月產12英寸半導體晶片20萬片以上。
2010年三星電子26兆韓元投資計劃主要包括：半導體領域11兆韓元、液晶領域5兆韓元、手機顯示領域2兆韓元以上、整體研發(fā)8兆韓元。經(jīng)過此輪投資三星電子將實現(xiàn)30納米DRAM大規(guī)模量產、擁有能夠月產7萬片的第四條8代液晶面板生產線、擁有全球最大規(guī)模的AMOLED生產線等。這是三星集團繼前不久宣布向新產業(yè)投
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三星電子 DRAM AMOLED
- 三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd)17日發(fā)布新聞稿宣布，該公司計劃的2010年18兆韓圈(159.3億美元)的設備資本支出當中，11兆韓圈將投資在半導體，5兆韓圈將投資在液晶面板上面，其他則將應用于手機與電視事業(yè)。此外，還有8兆韓圈則將投入研發(fā)工作。
三星指出，2010年旗下記憶體部門兆韓圈提升至9兆韓圈，新增的投資額將用來興建DRAM、NAND型快閃記憶體與次世代記憶體產品的生產線「Line-16」，預計將在2011年開始投產，每月將生產200,000片12吋
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三星電子 液晶面板
- 原本進入難產階段的5月DRAM合約價終于開出，一如市場預期，在PC大廠和DRAM大廠多日的拉鋸戰(zhàn)之下，DDR2合約價最后持平開出，而DDR3合約價則是小漲2~3%;DRAM業(yè)者認為，在電子產業(yè)的傳統(tǒng)淡季還能維持此結果，算是滿意，至于第3季傳統(tǒng)淡季展望，DRAM廠都不敢把話說的太滿，對于能否有大幅漲價的空間? DRAM廠僅客氣表示，在此高檔區(qū)間震蕩就算是合理價位。
2010年5月合約價相當難談，幾乎到了快要難產的階段，主要就是卡在三星電子(Samsung Electronics)上，與部分PC大客
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三星電子 DRAM
- 全球DRAM產業(yè)40納米大戰(zhàn)出現(xiàn)變量，由于浸潤式機臺(Immersion Scanner)遞延交貨之故，瑞晶已松口表示，原本計劃年底前旗下8萬片12寸晶圓產能要全轉進45納米制程的目標，將正式遞延至2011年第1季，其第1臺浸潤式機臺本周才會正式到貨，比原訂時程晚了2~3個月，內部已決定將8萬片產能全數(shù)轉進63納米制程作為應變。DRAM業(yè)者皆認為，全球DRAM 產業(yè)的40納米正式對決時間點，會是在2011年!
瑞晶總經(jīng)理陳正坤表示，瑞晶第1臺浸潤式機臺將于本周正式到貨，預計在9月之前會有5~6臺
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三星電子 DRAM 40納米
- 韓國三星集團(Samsung Group)宣布，將在未來10年間，投資210億美元于可再生能源和醫(yī)療領域，使其業(yè)務更為多元化。三星是全球最大的電子設備制造商，目前以制造電腦芯片和手機為主。
這項雄心勃勃的投資計劃，預計將能驅散多年來人們對該集團未來業(yè)務發(fā)展方向的猜測。三星是韓國最大的綜合型大企業(yè)，占到韓國出口總額的五分之一。
這項最新的投資計劃將能幫助三星更好地挑戰(zhàn)包括通用電器(General Electric)、飛利浦(Philips Electronics)和三洋電機(Sanyo El
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三星電子 LED 醫(yī)療設備
- 期相變化內存(PCMorPRAM)市場戰(zhàn)況火熱，繼三星電子(SamsungElectronics) 宣布將相變化內存用在智能型手機(Smartphone)用的MCP(Multi-ChipPackage)芯片問世后，恒憶(Numonyx)也宣布推出針對PC、消費性電子和通訊市場使用的相變化內存新品牌Omneo，采用90奈米制程，容量達128Mb，隨著國際大廠接連發(fā)動攻勢，讓原本冷門的相變化內存市場一夕之間熱了起來!
全球相變化內存分為3大陣營，包括恒憶/英特爾(Intel)、三星、旺宏/IBM，三
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三星電子 內存
- 三星電子(Samsung Electronics)半導體事業(yè)部社長權五鉉表示，2010年存儲器將供不應求，且將在第2季內決定半導體領域的追加投資規(guī)模。
權五鉉出席4日在首爾三成洞GRAND InterContinental飯店召開的韓國半導體產業(yè)協(xié)會2010年定期總會時說明，若期望在2010年內看到追加投資成果，第4季前所有裝備必須就定位，以交貨時間為考量推算，第2季就須先確定投資計畫。
權五鉉未發(fā)表具體追加投資金額，業(yè)界猜測約為4兆韓元(約35.88億美元)。
權五鉉對于延后確認半
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三星電子 存儲器
- 三星電子(Samsung Electronics Co.)芯片部門負責人權五鉉(Kwon Oh-hyun)5月4日表示，全球內存芯片市場預計將持續(xù)供應短缺直至2010年年底。
三星電子發(fā)言人援引權五鉉在一次與業(yè)界官員會議上的話表示，“由于一些競爭對手轉至50納米技術的進程似乎并非易事，所以整體芯片供應量將不會增加很多。”
權五鉉也表示，在評估市場需求后，該公司將于第二季度適當時間作出關于其2010年資本投資計劃的最后決定。
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三星電子 內存芯片
- 三星電子星期五公布了截止到3月31日的財年第一季度財務報告。由于內存芯片需求強勁和價格上漲以及手機和平板電視機銷售的增長，三星電子第一季度的凈利潤同比增長了6倍，達到了創(chuàng)紀錄的水平。
三星電子第一季度的凈利潤是3.99萬億韓元(35.9億美元)。三星電子去年同期的凈利潤是5820億韓元(5.25億美元)。
三星電子發(fā)言人Jason Kim稱，這個最新的數(shù)字是三星電子迄今為止最高的，超過了去年第三季度創(chuàng)造的3.81萬億韓元的記錄。
三星電子稱，第一季度的銷售收入是34.64萬億韓元(3
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三星電子 內存芯片
- 三星電子計劃透過和Sony共同出資設立的合資企業(yè)S-LCD投下5,000億韓圜(約426億日圓)擴增液晶面板生產設備，提高液晶面板產能。
報導指出，三星電子目前旗下?lián)碛形挥谥仪迥系姥郎绞袦?條三星自家的8代(2,200x2,500mm)液晶面板產線及S-LCD的2條8代線，截至2009年年底為止，湯井線月產能約6萬片、S-LCD 2條產線合計月產能則為14萬片，惟藉由上述的生產設備擴增投資，三星電子液晶面板月產能將可擴增至25萬片以上。
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三星電子 液晶面板
- 下屆韓國半導體產業(yè)協(xié)會會長候選人，業(yè)界提議由現(xiàn)任三星電子 (Samsung Electronics)半導體事業(yè)部社長權五鉉移交給海力士理事會議長金鍾甲，任期1年6個月。 若此提案通過總會承認，金鍾甲將成為10年來首位非三星電子出身的半導體產業(yè)協(xié)會會長。
韓國半導體產業(yè)協(xié)會將在5月4日于首爾Grand InterContinental 飯店進行第24屆定期總會，并將選出第7代半導體產業(yè)協(xié)會會長。
協(xié)會于2月舉辦總會時，原計劃選出權五鉉會長的后繼人選，預定3月底將由海力士社長接手，然因有爭議而
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三星電子 半導體
- 據(jù)路透社報道，三星電子上周五公布公司第一財季報告。公司1月-3月盈利4.4萬億韓幣(折合39.5億美元)，超出湯姆森路透分析師預計的4.27萬億韓幣的預期。公司對第二季度盈利狀況表示樂觀。
三星半導體生產部門利潤增長24%，LCD部門增長7%，通信部門增長12%，電子媒體部門漲幅為4%。
分析人士預計，目前全球科技逐步回暖，作為世界第二大手機生產商的三星也有望在下一季度打破第一季度的記錄。
三星目前逐步加大對平板顯示器以及芯片技術的投入。但是三星在智能手機市場的劣勢將會阻礙其利潤增長
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三星電子 LCD
- 三星電子的一份內部產品路線圖文檔顯示，該公司將為今后的上網(wǎng)本產品開發(fā)一系列基于ARM架構的處理器，包括四核心版本。今年初的CES 2010大展上，Marvell曾經(jīng)宣布了全球首款四核心ARM 處理器，但沒有透露詳細的規(guī)格資料，只說仍屬于ARMADA系列，采用Cortex-A8/A9架構的ARM v7指令集，頻率1GHz以上。
三星的這份文檔顯示，這批處理器中打頭陣的是S5PV210，開發(fā)代號“Taurus”(金牛 座)，基于單核心1GHz Cortex-A8，現(xiàn)已試產，將
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三星電子 處理器
- 英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash，為了趕上半導體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營運。
2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場，遂于2006年初合資成立IM Flash，由英特爾出錢出力，美光則提供技術，由IM Flash專門為這2家公司生產NAND Flash。但在半導體景氣循環(huán)來到低點，再加上金融海嘯的沖擊下，IM Flash受到嚴重沖擊，在2008年IM Flash裁員800人，花費35億美元打造，本應于2
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三星電子 NAND Flash
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