v-nand 文章 進入 v-nand技術(shù)社區(qū)
NAND Flash價格瀕臨成本線 靜待大廠減產(chǎn)
- 全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)在高容量32Gb和64Gb芯片產(chǎn)能持續(xù)開出下，9月下旬合約價續(xù)跌，其中，32Gb芯片合約價下跌5~6%，64Gb芯片大跌 9~10%，模塊廠表示，NAND Flash芯片價格已跌到相當接近各大廠成本線，若價格再跌，恐會讓NAND Flash廠產(chǎn)生虧損，接下來要看大陸十一長假后是否出現(xiàn)補貨需求，帶動NAND Flash價格止跌。 模塊廠表示，近期NAND Flash產(chǎn)品需求比DRAM模塊好一些，DRAM買氣受限于現(xiàn)貨價跌幅較深，通路商補貨意愿不高，但在NAND Flas
- 關(guān)鍵字： NAND DRAM
2011年手機將消耗NAND Flash總量的40%
- 由于2010年第二季受到歐洲債信風暴影響、終端需求疲軟以及庫存水位偏高，下半年各項信息與消費型電子的出貨均大幅下修，然而第二季各手機廠商有效去化庫存以及智能手機成長力道強勁的情況下，下半年手機成長幅度將領(lǐng)先各項電子產(chǎn)品。也由于智能手機的熱賣，帶動了相關(guān) NAND Flash 應用如 MCP 與內(nèi)建式的 eMMC 、 POP 等產(chǎn)品的成長。 蘋果(Apple)推出 iPhone 4 帶動其它智能手機的熱賣，預估2010年手機出貨量將較2009年成長13%，達到13億支的規(guī)模，而智能手機市場扮演重要
- 關(guān)鍵字： 智能手機 NAND
2011年手機將消耗NAND Flash總量的40%
- 集邦科技表示，由于2010年第二季受到歐洲債信風暴影響、終端需求疲軟以及庫存水位偏高，下半年各項信息與消費型電子的出貨均大幅下修，然而第二季各手機廠商有效去化庫存以及智能手機成長力道強勁的情況下，下半年手機成長幅度將領(lǐng)先各項電子產(chǎn)品。也由于智能手機的熱 賣，帶動了相關(guān) NAND Flash 應用如 MCP 與內(nèi)建式的 eMMC 、 POP 等產(chǎn)品的成長。 蘋果(Apple)推出 iPhone 4 帶動其它智能手機的熱 賣，集邦科技預估，2010年手機出貨量將較2009年成長13%，達到13億支的
- 關(guān)鍵字： NAND 智能手機
Gartner上調(diào)全球半導體營收預期至3000億
- Gartner現(xiàn)在預計今年全球半導體營收將達到3000億美元，比去年增長31.5%。它之前預計今年半導體營收的增幅只有27.1%。包括手機和筆記本電腦在內(nèi)的消費者電子產(chǎn)品在半導體銷售中占大多數(shù)份額。手機出貨量持續(xù)增長將推動半導體營收的增長，而電腦出貨量增長速度的減慢將被平板電腦銷售的增長所抵消。 Gartner表示，盡管個人電腦銷售速度減慢，但今年NAND閃存和DRAM的營收仍將增長。DRAM營收今年將增長82.5%，幾乎達到420億美元，但它可能會從明年下半年開始減慢增長速度。Gartner預
- 關(guān)鍵字： 半導體 DRAM NAND
NAND Flash跌價深 上游大廠開始對模塊廠讓步
- NAND Flash價格經(jīng)歷一段大修正后，原本對于價格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開始松動，部分模塊廠開始回補一些庫存，不過，全球兩大NAND Flash陣營三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋果(Apple)訂單的撐腰，對于價格仍是相當強硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補丸。 近期NAND Flash價格修正頗深，除了歐洲和美國市場需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND Flash
爾必達已與Spansion開發(fā)出4G NAND閃存
- 爾必達內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現(xiàn)有芯片更為簡單的信元結(jié)構(gòu)，該公司計劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產(chǎn)該芯片。 這家日本芯片制造商表示，該公司采用了所謂的電荷擷取(charge trap)技術(shù)來開發(fā)這個4G的NAND閃存芯片，該芯片的信元結(jié)構(gòu)不同于現(xiàn)有的以傳統(tǒng)浮動柵(floating gate)技術(shù)制造的NAND閃存芯片。該公司表示，這項新技術(shù)可幫助生產(chǎn)較目前市場
- 關(guān)鍵字： 爾必達 NAND
Intel鎂光生產(chǎn)出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片
- Intel與鎂光公司已經(jīng)成功生產(chǎn)出基于25nm制程技術(shù)的3位元型NAND閃存芯片產(chǎn)品，目前他們已經(jīng)將有關(guān)的產(chǎn)品樣品送往部分客戶手中進行評估，預計這款NAND閃存芯片將于今年年底前開始量產(chǎn)。這款25nm NAND閃存芯片的存儲密度為64Gb，為三位元型閃存。 這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型設(shè)計，一個存儲單元可存儲3位數(shù)據(jù)，比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲量更大。 這款產(chǎn)品的面積要比現(xiàn)有Intel與鎂光公司推
- 關(guān)鍵字： Intel 25nm NAND
英特爾和Micron稱下一代25納米NAND取得突破
- 據(jù)國外媒體報道，英特爾和Micron已經(jīng)開始發(fā)布下一代25納米NAND存儲芯片，為達到最高效率，該芯片使用了三層存儲單元技術(shù)。 首款8GB和64GB芯片正在向選定的客戶發(fā)售，用于SD卡存儲設(shè)備。該芯片在每個存儲單元中保存三位信息，而非像傳統(tǒng)芯片那樣保存一到兩位信息，英特爾宣稱，這種芯片是目前市場上最有效率的。 英特爾副總裁及NAND開發(fā)組主管Tom Rampone聲稱25納米已經(jīng)是業(yè)界最小的尺寸，在開發(fā)完成25納米程度的三層存儲單元之后，公司還將繼續(xù)為用戶探索和發(fā)展更高級的產(chǎn)品。公司計劃利
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND 存儲芯片
v-nand介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條 v-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對 v-nand的理解，并與今后在此搜索 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對 v-nand的理解，并與今后在此搜索 v-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
v-nand電路
v-nand相關(guān)帖子
v-nand資料下載
v-nand專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473