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安森美半導體推出高性能場截止型IGBT
- 應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)推出新系列的場截止型(Field Stop) 絕緣門雙極結(jié)晶體管(IGBT),目標應用為工業(yè)電機控制及消費類產(chǎn)品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120應用于高性能電源轉(zhuǎn)換方案,適合多種要求嚴格的應用,包括電磁爐、電飯煲及其它廚房小家電應用。
- 關(guān)鍵字: 安森美 IGBT NGTB15N120
改進的開關(guān)性能快速IGBT帶來新的挑戰(zhàn)
- 1前言降低動態(tài)功耗需要快速地開關(guān)功率半導體器件。一個典型的系統(tǒng)包括幾10個并聯(lián)的功率半導體器件,這...
- 關(guān)鍵字: IGBT 開關(guān)性能 過電壓
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