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無畏氮化鎵角逐中功率市場 碳化硅功率元件/模組商機涌現(xiàn)
- 有鑒于全球環(huán)保意識抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢，其功率模組在再生能源與車用電子領域，商機已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵，則將緩步進軍中功率市場。 可以彌補天然能源不足缺口的再生能源設備，為聚焦于中功率、高功率應用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導入碳化矽(SiC)元件的測試結(jié)果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過矽元件。 臺達電技術長暨總
- 關鍵字： SiC GaN
松下：力推阻容元件與開發(fā)工具，開關器件X-GaN效率更高
- 松下被動元件展區(qū)，松下位于德國的器件解決方案部門被動元件團隊產(chǎn)品市場經(jīng)理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問世的導電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優(yōu)，例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流?！ K和ZC產(chǎn)品在125C下可工作4000小時。三種類型產(chǎn)品都有更低的ESR(等效串聯(lián)電阻)和LC，可用于LED、汽車、電力電子、電信等場合?！ ∷上录瘓F汽車&工業(yè)系統(tǒng)公司介紹了其網(wǎng)上工具--LC Simulator，可加速
- 關鍵字： 松下 X-GaN
中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶東莞
- 中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡稱“南方基地”)正式落戶東莞。9月30日，中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會在東莞召開。國家科技部原副部長、國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)決策委員會主任曹健林，廣東省副省長袁寶成、省科技廳廳長黃寧生，市委副書記、市長梁維東，國家第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲等領導出席中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會并見證簽約儀式。 副市長楊曉棠，市政府黨組成員、松山湖管委會主任殷煥明等參加了啟動儀式。 為廣東實現(xiàn)半導體產(chǎn)業(yè)化提
- 關鍵字： 半導體 GaN
以GaN打造的功率放大器為5G鋪路
- 德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的建構模組：以氮化鎵(GaN)技術制造的高功率放大器電晶體... 下一代行動無線網(wǎng)路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，F(xiàn)raunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構模組
- 關鍵字： GaN 5G
諾貝爾獎后 日本GaN產(chǎn)學應用新動態(tài)
- 當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。 比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學、與2個技術研發(fā)基金會加入;日本產(chǎn)業(yè)技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都是
- 關鍵字： GaN LED
諾貝爾獎后 日本GaN產(chǎn)學應用新動態(tài)
- 當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。 比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學、與2個技術研發(fā)基金會加入;日本產(chǎn)業(yè)技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(Nagoya University)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都
- 關鍵字： GaN 藍光LED
基于GaN FET的CCM圖騰柱無橋PFC
- 氮化鎵 (GaN) 技術由于其出色的開關特性和不斷提升的品質(zhì)，近期逐漸得到了電力轉(zhuǎn)換應用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復的安全GaN可實現(xiàn)更高的開關頻率和效率，從而為全新應用和拓撲選項打開了大門。連續(xù)傳導模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個得益于GaN優(yōu)點的拓撲。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓撲相比，CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導體開關和升壓電感器的數(shù)量減半，同時又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因，并給出了相應的解決方案。一個750W圖騰柱PFC原型機被
- 關鍵字： GaN PFC
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