晶圓功率半導(dǎo)體 文章 進(jìn)入 晶圓功率半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)
東芝 300mm 晶圓功率半導(dǎo)體制造工廠竣工：一期投產(chǎn)后產(chǎn)能是 2021 財(cái)年計(jì)劃的 2.5 倍
- IT之家 5 月 24 日消息，東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（下文簡稱東芝）于 5 月 23 日發(fā)布公告，宣布其 300 mm 晶圓功率半導(dǎo)體制造工廠和辦公樓竣工。東芝在新聞稿中表示現(xiàn)階段正在安裝相關(guān)設(shè)備，爭取在 2024 財(cái)年下半年開始量產(chǎn)。一旦一期工程全面投產(chǎn)，東芝功率半導(dǎo)體（主要是 MOSFET 和 IGBT）的產(chǎn)能將是 2021 財(cái)年制定投資計(jì)劃時(shí)的 2.5 倍，而二期建設(shè)和開始運(yùn)營將根據(jù)市場情況再做決定。新的制造大樓遵循東芝的業(yè)務(wù)連續(xù)性計(jì)劃（BCP），并將為東芝的業(yè)務(wù)連續(xù)性計(jì)劃（BC
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晶圓功率半導(dǎo)體介紹
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