半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

SunEdison擬將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)分拆上市

　　美國光伏項(xiàng)目開發(fā)商SunEdison Inc(SUNE)周一宣布，已申請將其半導(dǎo)體子公司SunEdison Semiconductor分拆上市，籌資至多2.50億美元，以專注于高利潤率的太陽能業(yè)務(wù)。　　該公司上月已表示，計(jì)劃于明年初通過一次IPO出售新組建的半導(dǎo)體子公司的少數(shù)股份，并將收益用于建設(shè)太陽能發(fā)電場。　　SunEdison原名MEMC電子材料公司，是世界第四大半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)商，由于太陽能電池板價(jià)格的持續(xù)疲軟，該公司也和SunPower以及First Solar等其他太陽能公司一樣開始
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SIA：7月份全球芯片銷售強(qiáng)勁成長5.1%

　　根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)發(fā)布的世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)資料顯示，盡管日本半導(dǎo)體市場銷售下滑，但在美洲地區(qū)強(qiáng)勁成長的表現(xiàn)下，2013年7月全球晶片的平均銷售額較2012年同期成長了5.1%，不但連續(xù)第5個(gè)月成長，也創(chuàng)下今年以來的最佳紀(jì)錄。　　7月份全球半導(dǎo)體3個(gè)月移動平均銷售額較去年成長了5.1%，達(dá)到255.3億美元。市場研究機(jī)構(gòu)Carnegie Group 的分析師Bruce Diesen表示，這一數(shù)字大幅超越了先前預(yù)測的249億美元。　　先前月份的平均銷售額每年約成長2.1%
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1-7月大陸自臺灣地區(qū)進(jìn)口集成電路為440億美元

　　2013年1-7月，我國自臺灣地區(qū)進(jìn)口集成電路為440億美元，同比增長79%，占同期總值的32%。集成電路是我國與臺灣地區(qū)產(chǎn)生貿(mào)易逆差的主要商品，2012年為440億美元，今年1~7月為385億美元。　　同期從韓國、馬來西亞分別進(jìn)口255億美元和168億美元，分別以18%和12%的份額列第二、三位。其他進(jìn)口來源地分別為美國、日本、新加坡、菲律賓等。
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德州儀器任命謝兵為公司副總裁暨全球銷售與營銷副總經(jīng)理

德州儀器(TI) (NASDAQ:TXN) 日前宣布謝兵升任為TI副總裁暨全球銷售與營銷副總經(jīng)理一職。在新的職責(zé)中，謝兵將負(fù)責(zé)推動TI全球銷售的關(guān)鍵戰(zhàn)略在各區(qū)域的執(zhí)行。
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臺積電帶頭臺灣蟬聯(lián)最大半導(dǎo)體支出市場

　　臺灣蟬聯(lián)2013年全球半導(dǎo)體設(shè)備與材料投資金額雙料冠軍。在臺積電領(lǐng)軍下，今年臺灣半導(dǎo)體設(shè)備與材料的投資金額持續(xù)領(lǐng)先全球，并分別達(dá)到104.3億美元與105.5億美元;至于全球半導(dǎo)體設(shè)備支出金額方面則與去年相當(dāng)，維持在362.9億美元上下，預(yù)估2014年可回升至439.8億美元。　　鈺創(chuàng)科技董事長暨臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會理事長盧超群表示，臺灣半導(dǎo)體業(yè)者為鞏固全球領(lǐng)先地位，正持續(xù)加碼設(shè)備與材料的投資金額。　　鈺創(chuàng)科技董事長暨臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(TSIA)理事長盧超群表示，盡管過去3年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值每年
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張家祝：半導(dǎo)體今年產(chǎn)值估成長9.3%

　　國際半導(dǎo)體展(SEMICON Taiwan 2013)4日開展，經(jīng)濟(jì)部長張家祝致詞時(shí)表示，臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在全球供應(yīng)鏈上扮演不可或缺的角色，在全球具有高度競爭力，去年(2012年)臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值達(dá)1.6兆新臺幣，預(yù)估今年(2013年)將成長9.3%，再創(chuàng)新高。　　張家祝表示，臺灣是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中最重要的國家之一，從IC設(shè)計(jì)、晶圓代工到封裝測試等服務(wù)，形成完整的產(chǎn)業(yè)聚落，從去年臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)值達(dá)到新臺幣1.6兆元，預(yù)計(jì)今年會比去年成長9.3%，可望再創(chuàng)歷史新高。　　張家祝指出，臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所
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光谷力爭國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三極

　　8月的最后一個(gè)周三，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的非盈利機(jī)構(gòu)GSA(半導(dǎo)體聯(lián)盟)迎來一名新成員，英文名XMC。　　說到這位“新人”，GSA亞太區(qū)執(zhí)行長王智立博士這樣描述：“在新興半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中，XMC正扮演著創(chuàng)新且重要的角色”。　　這家公司的中文名字叫武漢新芯集成電路制造有限公司(以下簡稱“武漢新芯”)，目前芯片產(chǎn)能排名中部第一。從2006年首條12英寸芯片生產(chǎn)線建成，經(jīng)歷了七年之癢的武漢新芯重回公眾視野，卻代表著光谷的雄心&mdas
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盧超群：往后十年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將走出一個(gè)大多頭

　　臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(TSIA)理事長暨鈺創(chuàng)科技董事長盧超群表示，今年將是3D IC從研發(fā)到導(dǎo)入量產(chǎn)的關(guān)鍵年，3D IC元年最快明年來臨，往后十年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將走出一個(gè)大多頭，重現(xiàn)1990年代摩爾定律為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來的爆發(fā)性成長。　　隨著矽元件趨近納米極限，摩爾定律開始遭遇瓶頸，各界期盼立體堆疊3D IC技術(shù)延續(xù)摩爾定律　　存儲器芯片設(shè)計(jì)公司鈺創(chuàng)董事長盧超群上半年接任臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會理事長，他希望透過協(xié)會的影響力，帶領(lǐng)臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)參與各項(xiàng)國際半導(dǎo)體規(guī)格制定、提升人才參與及素質(zhì)，并讓國內(nèi)外科技投
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東芝歡慶泰國新半導(dǎo)體工廠開業(yè)

　　曼谷和東京--(美國商業(yè)資訊)--東芝公司(Toshiba Corporation，TOKYO:6502)宣布，該公司旗下的泰國公司東芝半導(dǎo)體(泰國)公司(Toshiba Semiconductor (Thailand) Co., Ltd.，簡稱TST)已經(jīng)完成向新半導(dǎo)體制造工廠的搬遷工作，并開始量產(chǎn)，象徵著該公司已經(jīng)從2011年災(zāi)難性大洪水中完全恢復(fù)過來。　　新廠位于曼谷東北方向約140公里處，這是一座位于泰國巴真府(Prachinburi)304工業(yè)園區(qū)的最先進(jìn)工廠。這座工廠的建設(shè)始于2012
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2013年前十大半導(dǎo)體廠排名日本急劇衰落

　?。篒CInsights日前公布2013年上半年全球前十大半導(dǎo)體廠營收排名，其中，日本半導(dǎo)體業(yè)者受到產(chǎn)業(yè)競爭加劇及垂直整合商業(yè)模式式微的沖擊，進(jìn)榜業(yè)者已愈來愈少，目前僅存東芝(Toshiba)一家仍榜上有名，相較于1990年時(shí)最多六家同時(shí)上榜的紀(jì)錄已大幅減少。 ? 　　2013年前十大半導(dǎo)體廠排名　日本急劇衰落
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我國首次制備大規(guī)模鍺基石墨烯助推半導(dǎo)體工業(yè)

　　將助推石墨烯在半導(dǎo)體工業(yè)界廣泛應(yīng)用　　記者從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，該所信息功能材料國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室SOI課題組與超導(dǎo)課題組，采用化學(xué)氣相淀積法，在鍺襯底上直接制備出大面積、均勻的、高質(zhì)量單層石墨烯。相關(guān)成果日前發(fā)表于《自然》雜志子刊《科學(xué)報(bào)告》。　　石墨烯在機(jī)械、電學(xué)、光學(xué)和化學(xué)方面的優(yōu)異性能，使其具有巨大的應(yīng)用前景。目前，化學(xué)氣相沉積法是制備高質(zhì)量、大面積石墨烯的最主要途徑。但是，在石墨烯的生長過程中，金屬基底是必不可少的催化劑，而隨后的應(yīng)用必須要將石墨烯從金屬襯底上轉(zhuǎn)移到所需要的絕緣或者半
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寬禁帶半導(dǎo)體新時(shí)代的來臨

　　第三代半導(dǎo)體中SiC(碳化硅)單晶和GaN(氮化鎵)單晶脫穎而出，最有發(fā)展前景。第三代半導(dǎo)體主要包括SiC單晶、GaN單晶、ZnO單晶和金剛石，其中又以SiC和GaN為最核心的材料。SiC擁有更高的熱導(dǎo)率和更成熟的技術(shù)，而GaN直接躍遷、高電子遷移率和飽和電子速率、成本更低的優(yōu)點(diǎn)則使其擁有更快的研發(fā)速度。兩者的不同優(yōu)勢決定了應(yīng)用范圍上的差異，在光電領(lǐng)域，GaN占絕對的主導(dǎo)地位，而在其他功率器件領(lǐng)域，SiC適用于1200V以上的高溫大電力領(lǐng)域，GaN則更適用900V以下的高頻小電力領(lǐng)域。目前來看，未來2
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半導(dǎo)體、電子設(shè)備：電子行業(yè)整體運(yùn)行狀況

　　電子板塊五個(gè)交易日上漲2.46%，排在23個(gè)行業(yè)中第4位，成交金額512.70億元，資金流出2.34億元;漲幅前三名分別為：億緯鋰能(300014)上漲16.50%、天源迪科(300047)上漲14.66%、環(huán)旭電子(601231)上漲14.49%;跌幅前三名分別為：華燦光電(300323)下跌12.97%、天津普林(002134)下跌7.68%、興森科技(002436)下跌5.71%。　　行業(yè)動態(tài)觸控筆記本OGS面板低價(jià)版問世Win8觸控PC約占全球筆記本出貨10%國內(nèi)液晶電視面板自給率超過3成
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半導(dǎo)體巨頭搶入20納米設(shè)備廠新一輪搶單

　　隨著臺積電、英特爾、三星等半導(dǎo)體大廠將在明年微縮制程進(jìn)入20納米以下世代，設(shè)備廠也展開新一波的搶單計(jì)劃。　　在應(yīng)用材料于其SEMVision系列設(shè)備上引進(jìn)首創(chuàng)缺陷檢測掃瞄電子顯微鏡(DRSEM)技術(shù)后，另一設(shè)備大廠科磊(KLATencor)21日宣布，同步推出新一化光學(xué)及電子束晶圓缺陷檢測系統(tǒng)。隨著兩大設(shè)備廠已搶進(jìn)臺積電及英特爾供應(yīng)鏈，對于國內(nèi)設(shè)備廠漢微科來說競爭壓力大增。　　雖然半導(dǎo)體市場下半年景氣能見度不高，但是包括臺積電、英特爾、三星、格羅方德(GlobalFoundries)、聯(lián)電等大
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半導(dǎo)體搶入16/14nm FinFET制程業(yè)者掠地

　　EDA業(yè)者正大舉在FinFET市場攻城掠地。隨著臺積電、聯(lián)電和英特爾(Intel)等半導(dǎo)體制造大廠積極投入16/14奈米FinFET制程研發(fā)，EDA工具開發(fā)商也亦步亦趨，并爭相發(fā)布相應(yīng)解決方案，以協(xié)助IC設(shè)計(jì)商克服電晶體結(jié)構(gòu)改變所帶來的新挑戰(zhàn)，卡位先進(jìn)制程市場。　　16/14奈米(nm)先進(jìn)制程電子設(shè)計(jì)自動化(EDA)市場戰(zhàn)火正式點(diǎn)燃。相較起28/20奈米制程，16/14奈米以下制程采用的鰭式場效電晶體(FinFET)結(jié)構(gòu)不僅提升晶片設(shè)計(jì)困難度(圖1)，更可能拖累產(chǎn)品出貨時(shí)程，為協(xié)助客戶能突破Fi
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