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IT之家 7 月 22 日消息，據(jù)外媒 Tomshardware 報(bào)道，中國(guó) 3D NAND 閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ)，日前再次將美光告上法院，在美國(guó)加州北區(qū)指控美光侵犯了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 11 項(xiàng)專利，涉及 3D NAN......
在這半年的時(shí)間里，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)經(jīng)歷了多次價(jià)格波動(dòng)。從年初的平穩(wěn)開局，到隨后的快速上漲，再到近期的波動(dòng)調(diào)整，每一次價(jià)格變動(dòng)都牽動(dòng)著業(yè)界的神經(jīng)。那么，這半年來存儲(chǔ)芯片究竟?jié)q價(jià)幾何呢？機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)和各原廠的漲價(jià)計(jì)劃根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)......
在芯片制造領(lǐng)域，先進(jìn)制程的影響力和統(tǒng)治力越來越大，已經(jīng)從之前的邏輯芯片晶圓代工領(lǐng)域，拓展到最先進(jìn)的存儲(chǔ)芯片制造，這在臺(tái)積電和三星身上有凸出的體現(xiàn)。當(dāng)下的 3nm 制程晶圓代工，臺(tái)積電的市場(chǎng)統(tǒng)治力很明顯，三星處于弱勢(shì)地位。......
據(jù)《ZDNet Korea》報(bào)道，三星電子存儲(chǔ)部門新業(yè)務(wù)規(guī)劃團(tuán)隊(duì)董事總經(jīng)理Choi Jang-seok近日表示，即將推出的內(nèi)存模塊被指定為CMM-D2.0，將符合CXL2.0協(xié)議。這些模塊將利用使用第二代20-10nm工......
美光18日宣布，該公司多重存取雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）開始送樣，針對(duì)內(nèi)存需求高達(dá)每DIMM 插槽128GB以上的應(yīng)用，其效能更勝目前的硅晶穿孔型（TSV）RDIMM。光第一代MRDIMM，與IntelR Xeo......
美光宣布旗下消費(fèi)級(jí)品牌英睿達(dá)推出新款固態(tài)硬盤P310，這也是其首款M.2 2230 PCIe 4.0 SSD，將SSD帶到了最小尺寸的M.2規(guī)格上。據(jù)悉，此次發(fā)布的P310系列，精心準(zhǔn)備了1TB與2TB兩種大容量選項(xiàng)，以......
美光科技股份有限公司近日宣布，已出樣多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）。該款?MRDIMM?將賦能美光客戶應(yīng)對(duì)日益繁重的工作負(fù)載，從而最大化計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施的價(jià)值。對(duì)于需要每個(gè)?DIMM?插槽內(nèi)存超過?128GB?的......
近期在智慧手機(jī)、PC、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器上，用于暫時(shí)儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的DRAM價(jià)格漲勢(shì)停歇，買家拉貨不積極，影響DRAM報(bào)價(jià)漲勢(shì)。 業(yè)者期待，SK海力士、三星及美光前三大廠HBM產(chǎn)能增開，對(duì)一般型DRAM產(chǎn)生的排擠效應(yīng)，加上產(chǎn)業(yè)旺季......
在英偉達(dá)一步步站穩(wěn)萬億市值腳根的道路上，少不了兩項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)支持，其中之一是由臺(tái)積電主導(dǎo)的 CoWoS 先進(jìn)封裝，另一個(gè)便是席卷當(dāng)下的 HBM（高帶寬存儲(chǔ)）。英偉達(dá) H200 是首次采用 HBM3E 存儲(chǔ)器規(guī)格的 AI 加......
三星今日宣布，已成功在聯(lián)發(fā)科技的下一代天璣旗艦移動(dòng)平臺(tái)完成其最快的10.7千兆比特/秒（Gbps）LPDDR5X DRAM驗(yàn)證。三星半導(dǎo)體LPDDR5X移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品圖此次10.7Gbps運(yùn)行速度的驗(yàn)證，使用三星的16GB......
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