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這次給大家講解一下可控硅觸發(fā)電路原理，常見(jiàn)的可控硅觸發(fā)電路?？煽毓钖艠O觸發(fā)電路為了使使用可控硅（SCR）的電路正常運(yùn)行，觸發(fā)電路應(yīng)在準(zhǔn)確的時(shí)間提供觸發(fā)信號(hào)，以確保在需要時(shí)開(kāi)啟。一般來(lái)說(shuō)，用于觸發(fā)可控硅2SCR的觸發(fā)電路必......
今天給大家講一下晶閘管（可控硅）怎么測(cè)好壞？在講晶閘管怎么測(cè)好壞之前，先給大家講一下晶閘管（可控硅）極性的判斷方法。晶閘管（可控硅）極性判斷的方法晶閘管（可控硅）極性的判斷方法--根據(jù)封裝形式（外觀）普通晶閘管（可控硅）......
今天給大家分享的是：過(guò)零檢測(cè)器、過(guò)零檢測(cè)電路。一、什么是過(guò)零檢測(cè)器（ZCD）？過(guò)零檢測(cè)器檢測(cè)輸入信號(hào)過(guò)零值或零電壓電平的次數(shù)。零檢測(cè)器基本上是一個(gè)比較器電路，將輸入的正弦信號(hào)或正弦波信號(hào)與零電壓電平進(jìn)行比較。換句話說(shuō)，我......
了解如何計(jì)算老化過(guò)程的活化能，以及關(guān)于Arrhenius方程在預(yù)測(cè)晶體老化過(guò)程時(shí)的有用性的一些相互矛盾的觀點(diǎn)。在之前的一篇文章中，我們討論了高溫加速老化方法是一種有效的技術(shù)，它使制造商能夠使用相對(duì)較短的測(cè)試時(shí)間來(lái)確定電子......
了解由于使用石英晶體的溫度和時(shí)間，以及應(yīng)用外推方法、老化方程和Arrhenius方程，電子元件的老化和穩(wěn)定性挑戰(zhàn)。即使有固定的輸入，電子電路也不是完全穩(wěn)定的；經(jīng)常隨時(shí)間和溫度漂移。這些與理想行為的偏差會(huì)給精確測(cè)量增加相當(dāng)......
了解電子電路（即電阻器和放大器）中的溫度漂移。我們還將介紹閃爍噪聲的影響如何發(fā)揮作用，以及漂移如何限制信號(hào)平均的有效性。即使在固定的電氣條件下（電源電壓、輸入和負(fù)載），電子電路也不是完全穩(wěn)定的，因?yàn)樗鼈兺鶗?huì)隨著時(shí)間和溫......
JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過(guò) JFET 的電流通過(guò)反向偏置 PN 結(jié)上的電場(chǎng)引導(dǎo)，而在 MOSFET 中，導(dǎo)電性是由于嵌入在半導(dǎo)體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場(chǎng)......
今天給大家講講結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管極性判斷方法。用萬(wàn)用表來(lái)判斷JFET極性相對(duì)來(lái)說(shuō)比較簡(jiǎn)單，因?yàn)橹挥幸粋€(gè)PN結(jié)要測(cè)：要么在柵極和源極之間測(cè)量，要么在柵極和漏極之間測(cè)量。1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管極性判斷方法--引腳識(shí)別JFET的柵極對(duì)應(yīng)晶......
在這篇文章中，我們探討了在電感器的磁芯中引入氣隙的優(yōu)點(diǎn)。設(shè)計(jì)磁性元件時(shí)，鐵芯飽和是一個(gè)主要問(wèn)題。大多數(shù)應(yīng)用都試圖避免這種情況。正如我們?cè)谇耙黄恼轮杏懻摰哪菢樱ㄟ^(guò)減少電感器的匝數(shù)，可以將鐵芯的磁通密度限制在飽和水平以下......
在這個(gè)項(xiàng)目中，我們通過(guò)將當(dāng)今的BLE技術(shù)與老式的科學(xué)博覽會(huì)計(jì)算機(jī)套件相結(jié)合，將新舊結(jié)合。幾十年來(lái)，Radio Shack除了提供其他產(chǎn)品外，還提供了各種項(xiàng)目工具包。使用這些工具包，初露頭角的電子實(shí)驗(yàn)者和業(yè)余愛(ài)好者可以學(xué)習(xí)......
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