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            EEPW 電子產(chǎn)品世界

            第三代半導(dǎo)體應(yīng)用

            隨著 5G 通訊、電動車等新興應(yīng)用對功率元件效能需求提高,相較于第一代材料硅(Si)、鍺(Ge)以及第二代砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)對于溫度、頻率、功率已達極限,難以應(yīng)用在更嚴苛環(huán)境上,第三代半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)及氮化鎵(GaN)在耐高溫、高電流的環(huán)境下仍有極佳效能,所以市場將目光轉(zhuǎn)向第三代半導(dǎo)體。
            因為材料特性,SiC和GaN 用途不同,目前第三代半導(dǎo)體可分為3 大應(yīng)用,但隨著科技持續(xù)發(fā)展,在應(yīng)用上將出現(xiàn)更多的想像空間。

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