iP2010采用了IR公司創(chuàng)新的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延功率器件技術(shù)平臺(tái)GaNpowIRTM。GaN的電場性能遠(yuǎn)強(qiáng)于硅，而且具有傳導(dǎo)率極佳的器件結(jié)構(gòu)，因此基于GaN的器件可以在工作電壓和導(dǎo)通電阻之間取得極佳的折衷。與基于硅的類似器件相比，GaN器件能夠高效地工作在非常高的頻率，因?yàn)樗鼈兊臇艠O電荷（Qg）有顯著減少，而且器件開關(guān)RDS(on)*Qg品質(zhì)因數(shù)（FOM）也遠(yuǎn)低于硅。
iP2010目前主要用于服務(wù)器、路由器、交換機(jī)和通用轉(zhuǎn)換器中的負(fù)載點(diǎn)（POL）和多相穩(wěn)壓器。iP2010集成了一個(gè)與多開關(guān)單片硅基氮化鎵功率器件匹配的專用PowIRtuneTM驅(qū)動(dòng)芯片。這種專有的PowIRtuneTM驅(qū)動(dòng)芯片采用了一種超快的檢測機(jī)制，能夠通過調(diào)整死區(qū)時(shí)間來獲得最優(yōu)性能，并能在各種負(fù)載電流、輸入電壓和溫度條件下保持最佳的死區(qū)時(shí)間。由于在單片功率開關(guān)中同時(shí)整合了高邊和低邊GaN功率開關(guān)，從而消除了寄生開關(guān)損耗，而在使用分立型高邊和低邊開關(guān)的傳統(tǒng)功率級(jí)解決方案中，由于使用了銅互連這種損耗無可避免。
iP2010的輸入電壓范圍為7V至13.2V，輸出電壓范圍為0.6V至5.5V，在此電壓范圍內(nèi)的輸出電流最高可達(dá)30A，工作頻率最高可達(dá)3MHz。為了實(shí)現(xiàn)比基于硅的先進(jìn)功率MOSFET更高的效率和兩倍以上的開關(guān)頻率，iP2010器件安裝在倒裝芯片封裝平臺(tái)內(nèi)，因而無需使用邦定線?；贕aN的先進(jìn)技術(shù)加上創(chuàng)新的封裝，使得這款集成式器件可針對600kHz至1.2MHz的工作頻率范圍進(jìn)行優(yōu)化。
因?yàn)閕P2010能夠工作在比傳統(tǒng)硅解決方案更高的頻率范圍內(nèi)，因而在空間非常寶貴的場合它能提供最大的功率密度。通過將功率級(jí)電路工作在這些更高的開關(guān)頻率，還能減小輸出電容和電感的值和體積，進(jìn)而減小整個(gè)電路板面積。
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