德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現(xiàn)超過(guò) 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類競(jìng)爭(zhēng)功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過(guò)高級(jí)封裝將 2 個(gè)非對(duì)稱 NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高性能。
CSD86350Q5D 的主要特性：
- CSD86350Q5D 功率模塊通過(guò)高級(jí)封裝將 2 個(gè)非對(duì)稱 NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高性能。
- NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外，還能夠以高達(dá) 1.5 MHz 的開(kāi)關(guān)頻率生成高達(dá) 40 A 的電流，可顯著降低解決方案尺寸與成本。優(yōu)化的引腳布局與接地引線框架可顯著縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間，改善整體電路性能。此外，NexFET 功率模塊還能夠以低成本方式實(shí)現(xiàn)與 GaN 等其他半導(dǎo)體技術(shù)相當(dāng)?shù)男阅堋?/li>
- 5 毫米 x 6 毫米 SON 外形僅為同類采用 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封裝的分立式 MOSFET 器件的 50%；
- 可在 25 A 的工作電流下實(shí)現(xiàn)超過(guò) 90% 的電源效率，與同類競(jìng)爭(zhēng)器件相比，效率高 2%，功率損耗低 20 %；
- 與同類解決方案相比，無(wú)需增加功率損耗便可將頻率提高 2 倍；
- 底部采用裸露接地焊盤的 SON 封裝可簡(jiǎn)化布局。
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