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            為什么要選擇400V SiC MOSFET?


            400V CoolSiC?MOSFET具有超低開關損耗和導通電阻,可有效提高系統(tǒng)效率和功率密度,同時提供了非常具有吸引力的價格定位。非常適合400V RMS AC 560VDC_LINK電壓的3級拓撲結構和288VDC_LINK電池/總線電壓的2級拓撲的需求。

            了解英飛凌400V CoolSiC? MOSFET


            CoolSiC? MOSFET 400V G2將高堅固性與超低開關損耗和導通電阻結合在一起,同時改善了系統(tǒng)成本。400V SiC MOSFET可在2電平和3電平硬開關和軟開關拓撲中提供出色的功率密度和系統(tǒng)效率。目標應用為人工智能服務器PSU、SMPS、電機控制、可再生能源和儲能以及D類放大器中的功率轉換。
            英飛凌官網(wǎng)了解400V CoolSiC?

            主要特征

            ? 與650V SiC MOSFET相比,F(xiàn)OM更好 ? 低Qfr值的快速換流二極管 ? RDS(on)溫度系數(shù)小 ? 柵極閾值電壓VGS(th)=4.5V

            ? 可以單電源驅動VGSoff=0V ? 100%經(jīng)過雪崩測試 ? 開關速度可控性高

            ? 高dV/dt運行期間的低過沖 ? .XT互聯(lián)技術 ? 一流的熱性能

            可以根據(jù)應用需求進行搭配選擇

            參數(shù)表

            可選擇的英飛凌400V CoolSiC™ MOSFET第二代器件

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            關于英飛凌

            半導體對于應對當今時代的能源挑戰(zhàn)和塑造數(shù)字化轉型至關重要。正因如此,英飛凌致力于積極推動低碳化和數(shù)字化進程。作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領域的半導體領導者,我們助力打造引發(fā)行業(yè)變革的解決方案,以實現(xiàn)綠色高效的能源、環(huán)保安全的出行以及智能安全的物聯(lián)網(wǎng)。我們讓生活更加便利、安全和環(huán)保。攜手我們的客戶和合作伙伴,共同創(chuàng)造更加美好的未來。
            英飛凌設計、研發(fā)、生產(chǎn)并銷售范圍廣泛的半導體和基于半導體的解決方案,聚焦汽車、工業(yè)和消費電子等行業(yè)的關鍵市場。其產(chǎn)品多種多樣,從標準元器件,到面向數(shù)字、模擬和混合信號應用的特殊元器件,再到專為客戶打造的特定解決方案,一直到相應的軟件,應有盡有。

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