該模塊內(nèi)置的功率半導(dǎo)體元件全部由SiC－MOSFET構(gòu)成，尚屬業(yè)界首次※。額定電流提高到180A，應(yīng)用范圍更廣，非常有助于各種設(shè)備的低功耗化、小型化。
※根據(jù)羅姆調(diào)查（截至2012年12月12日）
1） MOS單體即可保持開關(guān)特性不變。無尾電流，開關(guān)損耗更低；
即使去掉SBD亦可實現(xiàn)與以往產(chǎn)品同等的開關(guān)特性。由于不會產(chǎn)生Si-IGBT中常見的尾電流，損耗可降低50％以上，有助于設(shè)備更加節(jié)能。另外，達到了Si-IGBT無法達到的50kHz以上的開關(guān)頻率，因此，還可實現(xiàn)外圍設(shè)備的小型化、輕量化。
2） 可逆向?qū)ǎ瑢崿F(xiàn)高效同步整流電路；
一般Si-IGBT元件無法逆向?qū)?，而SiC-MOSFET可通過體二極管實現(xiàn)常時逆向?qū)?。另外，通過輸入柵極信號，還可實現(xiàn)MOSFET的逆向?qū)?，與二極管相比，可實現(xiàn)更低電阻。通過這些逆向?qū)ㄌ匦裕c二極管整流方式相比，可在1000V以上的范圍采用高效同步整流方式的技術(shù)。
3） 成功解決體二極管的通電劣化，通電時間達1000小時以上且無特性劣化；
羅姆究明了體二極管通電的缺陷擴大機理，通過工藝、元件結(jié)構(gòu)成功控制了產(chǎn)生劣化的因素。一般產(chǎn)品通電時間超過20小時導(dǎo)通電阻就會大幅增加，但本產(chǎn)品通電時間達1000小時以上導(dǎo)通電阻也不會增大。
應(yīng)用領(lǐng)域
工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器。
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