當(dāng)PSR控制器導(dǎo)通MOSFET時，變壓器電流iP將線性地從零增加到ipk，如算式(1)。 在導(dǎo)通期間，能量存儲在變壓器中。當(dāng)MOSFET關(guān)斷時(toff)，存儲在變壓器中的能量通過輸出整流器傳送到功率轉(zhuǎn)換器的輸出端。在此期間，輸出電壓VO和二極管的正向電壓VF被反射到輔助線圈NAUX，輔助線圈NAUX上的電壓可由算式(2)表示。這時可運用一種專有的采樣技術(shù)來對反射電壓進(jìn)行采樣，由于輸出整流器的正向電壓變得恒定，故可獲得相關(guān)輸出電壓信息。然后，采樣得到的電壓與精確的參考電壓進(jìn)行比較，形成一個電壓回路，從而確定MOSFET的導(dǎo)通時間，并精確調(diào)節(jié)恒定輸出電壓。

　　在這算式中，LP為變壓器初級線圈的電感;VIN為變壓器的輸入電壓;ton是MOSFET的導(dǎo)通時間;NAUX/NS為輔助線圈與次級輸出線圈的匝數(shù)比;VO是輸出電壓;VF是輸出整流器的正向電壓。

　　這種采樣方案也使得變壓器的放電時間(tdis)加倍，如圖2所示，輸出電流IO與變壓器的次級端電流有關(guān)。IO還可通過ipk、tdis求得，如算式(3)所示。PSR控制器利用這個結(jié)果來確定MOSFET的導(dǎo)通時間，并調(diào)節(jié)恒定輸出電流。Sense電阻RSENSE用來調(diào)節(jié)輸出電流的數(shù)值。